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中央高校基本科研业务费专项资金(2010HGXJ0077)
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王春来
李琳珑
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基于可控Cd掺杂In_2O_3纳米线的电学特性研究
2012年
文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1~2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。
郭慧尔
葛焱
王春来
李琳珑
于永强
关键词:
化学气相沉积
场效应晶体管
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