国家自然科学基金(60976052)
- 作品数：6 被引量：21H指数：3
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- 离子镀Ti(1-x)Al_xN涂层的形貌及力学性能研究被引量：8
- 2013年
- 采用多弧离子镀和磁过滤阴极电弧离子镀技术制备了Ti1-xAlxN涂层。研究了工艺参数对用Ti∶Al=1∶1的TiAl合金靶制备的Ti1-xAlxN涂层表观颜色的影响,以及以获得深色Ti1-xAlxN涂层为目的时工艺参数对涂层性能的影响。结果表明:不同工艺参数对Ti1-xAlxN涂层表观颜色的影响大小依次为基体偏压,真空度,沉积温度,霍尔离子源功率;离子镀Ti1-xAlxN涂层的膜基结合力较好,在脉冲偏压-150V、直流偏压-15 V附近有硬度最高,在较高真空度、较高沉积温度、较高基体负偏压下制备的Ti1-xAlxN涂层的磨擦学性能较好。
- 宋慧瑾鄢强
- 关键词：离子镀涂层
- 等离子体刻蚀对CdTe太阳电池性能的影响
- 2013年
- 采用不同干法腐蚀条件下的CdTe薄膜制成器件,通过I-V、C-V和光谱响应等测试了电池性能参数。结果表明,溅射时间太短和功率太小时不能完全去除氧化层,溅射时间过长和功率过高会对薄膜表面造成损伤,影响器件性能。通过选择器件性能较好的电池、找出适合等离子束溅射工艺的条件,所制成的电池转化效率达到10.99%;而湿法腐蚀所制成器件的转化效率为10.26%。由此可以认为,等离子束轰击溅射的腐蚀方法较湿法腐蚀更适用于CdTe太阳电池的制备。
- 宋慧瑾鄢强
- 关键词：等离子体刻蚀CDTE薄膜太阳电池
- 一种笔记本电脑水冷散热系统设计及散热效果被引量：6
- 2017年
- 设计了某型号笔记本电脑水冷散热系统,通过热力学理论散热模拟计算设计制造出的换热器散热效率为90%,水冷散热系统的峰值温度为70℃。用鲁大师软件监测了计算机中央处理器(CPU)和显卡的温度,比较分析了其散热效果。结果表明:在大型游戏连续运行2 h内,水冷散热系统下,CPU温度最高达75℃,显卡温度达到80℃;风冷散热系统下,显卡和CPU达到80℃左右,相对于水冷散热系统,散热较慢;而在大型单机游戏运行结束时,水冷系统下显卡和CPU突降为50℃,在非大型游戏电脑正常工作状态下,显卡和CPU温度维持在50℃左右。而风冷散热系统下大型游戏运行2 h结束90 min后,CPU温度降至55℃左右,显卡温度降至50℃以下。
- 宋慧瑾鄢强朱晓东王刚兰莎莎
- 关键词：散热水冷散热风冷散热散热效果
- 38CrMoAl活塞杆耐腐蚀性能研究被引量：3
- 2017年
- 采用小多弧离子镀制备了TiN涂层。通过金相显微镜、分析天平及X射线衍射(XRD)研究了有无镀覆TiN涂层的活塞杆材料(38CrMoAl)在高温、水蒸气及酸性条件下的耐腐蚀性能。结果表明,200℃下两种样品未被氧化,400℃下38CrMoAl样品表面氧化,而镀有TiN薄膜的样品表面无明显变化,600℃下镀有TiN涂层样品氧化;3种腐蚀条件下,有TiN涂层的38CrMoAl活塞杆比未镀覆涂层的活塞杆耐腐蚀性能好。
- 宋慧瑾鄢强朱晓东董志红
- 关键词：TIN涂层抗氧化性
- 干湿法腐蚀工艺条件下CdTe薄膜光谱研究
- 2012年
- 采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理.对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性.结果表明:等离子束溅射轰击刻蚀可以彻底清除CdTe薄膜表面的氧化层,刻蚀后的CdTe薄膜颗粒更为均匀致密,等离子体刻蚀与溴甲醇腐蚀相比,可以改善CdTe薄膜表面的粗糙度,增强薄膜的附着力,改善薄膜的性能.
- 宋慧瑾鄢强
- 关键词：等离子体刻蚀CDTE薄膜太阳电池
- 不同温度下制备的CdTe薄膜对太阳电池光电性能的影响被引量：4
- 2010年
- 在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了CdTe多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的CdTe薄膜对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.在此研究基础上制备出了面积为300mm×400mm,组件转换效率为8.2%的大面积CdTe太阳电池.
- 李愿杰郑家贵冯良桓黎兵曾广根蔡亚平张静全李卫雷智武莉莉蔡伟
- 关键词：CDTE薄膜
