国家杰出青年科学基金(60725415)
- 作品数：54 被引量：125H指数：6
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- 相关机构：西安电子科技大学中国人民解放军西安通信学院秉亮科技(苏州)有限公司更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 一种基于S曲线模型的红外焦平面阵列非均匀性自适应校正算法被引量：4
- 2009年
- 针对红外焦平面阵列(IRFPA)中探测元的非线性响应以及响应特性的漂移引起的校正误差,提出了一种基于S曲线模型的场景自适应校正算法。该算法利用对数运算将IRFPA的输出信号线性化,并运用自适应滤波技术对线性信号实施非均匀性校正,并采用指数变换还原出实际的校正输出信号。基于人造黑体图像和实景红外视频的仿真实验结果表明,该算法在校正精度和大动态范围信号响应特性方面均优于传统的场景自适应校正算法。
- 赖睿杨银堂王炳健周慧鑫刘上乾
- 关键词：红外焦平面阵列非均匀性校正自适应滤波
- 双环控制单周期PFC转换器高层次模型及电路被引量：4
- 2010年
- 为简化设计过程,提高电源效率,采用Simulink拓扑结构和线性化方法,基于双环动态转移控制函数,建立了单周期、临界控制模式升压型功率因数校正转换器的高层次模型.电压环路提供低频稳定性以获得低的总谐波失真,电流环路改善高频动态特性.根据系统模型,采用Sinomos 1.0μm 40 VCMOS工艺完成了功率因数校正的电路设计和验证.测试结果表明,在VDD为15 V,VINV为2 V,VZCD为2 V的条件下,功率校正因数可达到0.988,总谐波失真为3.8%,稳定工作时电流仅为2.43 mA.双环控制系统能够有效地实现单周期控制,提高系统的稳定性和动态响应速度,体现了高性能电源管理芯片的特点.
- 李娅妮杨银堂朱樟明
- 关键词：双环控制功率因数校正
- 基于Simulink的Sigma-DeltaA/D转换器调制器系统建模被引量：4
- 2008年
- 基于Sigma-Delta模数转换器结构,采用Simulink仿真工具提出了过采样Sigma-Delta调制器系统建模方法。结合调制器结构参数和电路噪声参数,建立了二阶低通型和二阶带通型过采样Sigma-Delta模数转换器调制器的非理想系统模型,并对调制器的功率谱密度图和信噪比进行仿真,验证了建模方法的正确性。
- 朱樟明杨银堂
- 关键词：SIMULINKSIGMA-DELTA调制器噪声
- 一种PWM/伪PFM双模调制的降压型DC/DC开关电源(英文)被引量：6
- 2008年
- 利用根据负载电流的大小变换调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源.当控制电压占空比小于20%时,采用伪PFM（pseudo-pulse-frequency modulation）模式调制;占空比大于20%时,采用PWM（pulse-width modulation）模式调制,平均转换效率约为90%,输出电流范围为0.01-3.0A.控制芯片采用0.5μm DPDM CMOS工艺制造,并采用二次集成的方式在封装内部集成了功率p-MOSFET.
- 刘帘曦杨银堂朱樟明
- 关键词：脉宽调制占空比
- 一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计被引量：2
- 2009年
- 采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨导控制,消除共模电压对输入级跨导的影响,输出采用前馈式AB类输出级,以提高动态输出电压范围。基于标准0.18μmCMOS工艺仿真运放,测得输出范围0.4～782.5mV,功耗48.8μW,电源抑制比58dB,CMRR65dB,直流开环增益63.8dB,单位增益带宽2.4MHz,相位裕度68°。版图设计采用双阱交叉空铅技术,面积为97.8μm×127.6μm。
- 杨银堂李娅妮朱樟明
- 关键词：衬底驱动低压低功耗轨对轨恒定跨导
- 考虑工艺波动的RC互连树统计功耗
- 2011年
- 为了有效分析考虑工艺波动的RC互连树统计功耗,本文首先给出了考虑工艺波动的互连寄生参数和输入驱动点导纳矩的构建方法,然后,推导得出了互连功耗均值与标准差的表达式.计算结果表明,与目前广泛应用的Monte Carlo分析方法相比,采用本文方法得到的RC互连功耗均值误差小于4.36%,标准差误差则小于6.68%.结果显示,本文方法在确保精度的前提下大大缩短了仿真时间.
- 董刚薛萌李建伟杨银堂
- 关键词：工艺波动
- 一种1.8V 10位120MS/s CMOS电流舵D/A转换器IP核被引量：3
- 2008年
- 采用低摆幅低交叉点的高速CMOS电流开关驱动器结构和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的pMOS电流源阵列版图布局方式,基于TSMC0.18μm CMOS工艺实现了一种1.8V10位120MS/s分段温度计译码电流舵CMOS电流舵D/A转换器IP核.当电源电压为1.8V时,D/A转换器的微分非线性误差和积分非线性误差分别为0.25LSB和0.45LSB,当采样频率为120MHz,输出频率为24.225MHz时的SFDR为64.9dB.10位D/A转换器的有效版图面积为0.43mm×0.52mm,符合SOC的嵌入式设计要求.
- 朱樟明李亚妮杨银堂
- 关键词：数字模拟转换器CMOS
- 一种考虑温度时间—空间分布的解析互连延时模型
- 2010年
- 本文从热扩散方程出发,得到了互连温度时间—空间分布的解析表达式。考虑互连温度对互连电阻和Elmore延时的影响,同时提出了一种用以分析互连时间—空间温度分布效应对互连延时影响的等效内阻模型。基于所提出的模型,详细地分析了互连长度、输入信号频率和功率对互连延时的影响。所提出的互连温度分布和延时解析模型可以应用于深亚微米温度相关的互连性能分析中。
- 董刚冷鹏柴常春杨银堂
- 关键词：互连温度延时
- 一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型被引量：9
- 2009年
- 基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式.基于90和65nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.
- 朱樟明钱利波杨银堂
- 关键词：分布式
- 考虑通孔和边缘效应的互连网络热电分析被引量：1
- 2012年
- 考虑互连通孔和边缘效应,建立互连层间、层内、通孔热阻模型,利用热电二元性,提出一种考虑温度效应对热流影响的热电耦合仿真方法,利用热电之间的反馈关系,修正建模后的温度分布对节点网络热流的影响.并对以聚合物和硅氧化物为介质的多层互连进行分析,以有限元建模结果为参照,与已有模型相比,互连热分布结果的相对标准差分别降低了71.2%、12.9%.考虑通孔效应和边缘效应后,该方法在不同纳米级工艺中所得峰值温升,较已有模型均有一定程度的降低.
- 王宁董刚杨银堂王增王凤娟丁灿
- 关键词：热阻温度分布
