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国家自然科学基金(11074017)

作品数:6 被引量:8H指数:1
相关作者:王如志严辉王波徐利春陈程程更多>>
相关机构:北京工业大学中山大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市科技新星计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇场发射
  • 3篇性能研究
  • 3篇纳米
  • 3篇GAN
  • 2篇第一性原理
  • 2篇钛酸
  • 2篇铝镓氮
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇低维
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇第一原理计算
  • 1篇电性能
  • 1篇形式主义
  • 1篇氧化锌
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电相变

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 9篇王如志
  • 8篇严辉
  • 3篇宋志伟
  • 3篇王波
  • 2篇徐利春
  • 2篇陈程程
  • 2篇沈震
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇陈建
  • 1篇邓杨
  • 1篇房慧
  • 1篇赵维
  • 1篇刘立英
  • 1篇王京

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇中国电子学会...
  • 2篇2016真空...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...
  • 1篇第十三届固态...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Site occupation of doping La^(3+) cations and phase transition in Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-BaTiO_3 solid solution被引量:1
2013年
The effects of La doping on the ferroelectric properties of 0.92Na0.5Bi0.5TiO3-0.08BaTiO3(NBT-BT) solid solution have been studied both experimentally and theoretically.The experimental results show that an abnormal ferro-toantiferroelectric phase transition is induced by La doping in NBT-BT.The first-principles calculations indicate that La3+ cations selectively substitute for the A site in NBT-BT as donors.Furthermore,the computed binding energy reveals that La cations is most likely to substitute Ba 2+or Na+,not Bi3+,at A site as donors in NBT-BT,as supported by our Raman spectra.The ferro-to-antiferroelectric phase transition of La-doped NBT-BT is believed to originate from the lattice aberrance and redistribution of valence electrons,thus strengthening the bonding of A-O,enhancing the hybridization between the A cation d orbital and O 2p orbital,and resulting in the deflection of the polar direction of NBT-BT lattice.
刘立英王如志朱满康侯育冬
关键词:LA掺杂铁电相变钛酸铋钠LA铁电性能
Anomalous spin of the Chern-Simons-Georgi-Glashow model
2013年
With the Coulomb gauge, the Chern-Simons-Georgi-Glashow (CSGG) model is quantized in the Dirac formalism for the constrained system. Combining the Gauss law and Coulomb gauge consistency condition, the difference between the Schwinger angular momentum and canonical angular momentum of the system is found to be an anomalous spin. The reason for this result lies in the fact that the Schwinger energy momentum tensor and the canonical one have different symmetry properties in the presence of the Chern-Simons term.
霍秋红姜云国王如志严辉
关键词:能量动量张量形式主义
不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能
本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38 nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27....
沈震宋志伟王如志严辉
关键词:铝镓氮场发射
文献传递
退火时间对SiC基GaN纳米薄膜场发射性能的影响
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在SiC基底上制备了系列相同厚度的GaN纳米薄膜,并将其进行不同时间的退火并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析,结果表明:退火时间对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。随着退...
陈程程王如志王波严辉
关键词:SICGAN退火温度场发射
文献传递
ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...
宋志伟沈震王如志严辉
关键词:场发射GANZNO脉冲激光沉积
文献传递
Ⅲ氮化物半导体结构设计与预测
Ⅲ族氮化物半导体因其广阔的应用前景引起了研究者重视与关注。采用第一性原理计算与晶格预测技术,设计了一些具有优异性能的新型AlGaN半导体结构,并就其性能进行了预测分析。利用第一性原理声子计算方法,系统研究了GaN、AlN...
王如志
关键词:场发射热学性能
文献传递
不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究被引量:5
2013年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
陈程程刘立英王如志宋雪梅王波严辉
关键词:基底GAN场发射
低维AlGaN材料制备及其场发射性能研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙,且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合,具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性和抗辐射强度高等优点,在场发射平板显示器,场效应晶体管及紫外光...
王如志王宇清宋志伟严辉
文献传递
立方(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3高压诱导带隙变化的第一性原理研究被引量:1
2011年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算研究了(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)晶体在高压下的电子结构及能带变化行为.研究结果发现,随着压强的增加,BST能带间隙先增加,在压强为55GPa时达到最大值,然后减小,这些有趣的结果将有助于开发与设计新的BST铁电器件.进一步地,通过电子态密度和密度分布图的研究分析可知:在低压区域(055GPa),则是出现的离域现象占主导(电子的离域作用超过键态的作用),从而使带隙减小.
邓杨王如志徐利春房慧严辉
关键词:钛酸锶钡第一性原理
含扭转晶界位错Al金属拉伸强度第一性原理预测被引量:1
2012年
本文基于密度泛函理论第一原理方法,从影响力学性能本质的电子结构计算上,对含∑5{001}扭转晶界位错Al金属拉伸强度进行了预测,发现其理论拉伸强度达到8.73 GPa,临界应变为24%.拉伸强度低于文献报道(Phys.Rev.B 75,174101(2007))的倾斜晶界位错Al金属的理论拉伸强度9.5 GPa,但其临界应变却远大于倾斜晶界的16%.本研究结果表明,通过工艺参数控制,改变缺陷形态,可极大地改变其力学性能.进一步地,从电子结构层次上,分析了含晶界位错Al金属拉伸断裂行为的实质,通过分析电荷密度分布、键长变化等,发现其断裂处发生在晶界处;理论计算结果将对Al金属结构设计及力学性能改善具有重要的指导作用.
王如志徐利春严辉香山正宪
关键词:AL第一原理计算
共2页<12>
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