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中国科学院知识创新工程重要方向项目(Y2YF028001)

作品数:7 被引量:23H指数:3
相关作者:夏洋刘邦武李超波李勇李惠琪更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所山东科技大学辽宁工业大学更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇原子层沉积
  • 2篇电池
  • 2篇液相
  • 2篇液相沉积
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电沉积
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇液相沉积法
  • 1篇太阳电池
  • 1篇微观结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米材料研究
  • 1篇晶态薄膜
  • 1篇互连
  • 1篇互连技术
  • 1篇光谱
  • 1篇光学

机构

  • 7篇中国科学院微...
  • 2篇山东科技大学
  • 1篇辽宁工业大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国石油大学...

作者

  • 7篇刘邦武
  • 7篇夏洋
  • 5篇李超波
  • 2篇李惠琪
  • 2篇何静
  • 2篇李勇
  • 1篇李云白
  • 1篇邵长金
  • 1篇王冰
  • 1篇钟思华
  • 1篇万军
  • 1篇冯嘉恒
  • 1篇仇洪波
  • 1篇唐立丹
  • 1篇陈波

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇发光学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备被引量:2
2014年
采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。
宁婕妤刘邦武夏洋李超波
液相沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能被引量:2
2012年
采用液相沉积法在硅基底上成功制备了二氧化硅薄膜,利用扫描电子显微镜、光电子能谱和少子寿命测试仪等对二氧化硅薄膜的组织结构和钝化性能进行了研究,结果表明,液相生长的二氧化硅薄膜致密平整,含有少量的F元素;对硅具有较好的减反和钝化作用,平均反射率由28.87%降低至10.88%,表面复合速度由6 923 cm/s降低至2 830 cm/s。
刘邦武钟思华何静夏洋李超波
关键词:液相沉积二氧化硅薄膜钝化
Cu2O薄膜的制备与表征被引量:4
2013年
以透明导电玻璃ITO和铜片为工作电极,用0.1mol/L乙酸铜和0.02mol/L乙酸钠的混合溶液作为电解液,通过两电极电化学沉积方法制备了Cu2O薄膜。讨论了pH值和沉积电位对Cu2O薄膜的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)对薄膜进行表征。结果表明,两电极电化学沉积法制备Cu2O薄膜最佳的pH值为5.7~5.9,沉积电位为1.1~1.3V。此外,分析了沉积电位对Cu2O薄膜形貌的影响。
宁婕妤李云白刘邦武夏洋李超波
关键词:CU2O
黑硅材料的制备及其光学特性被引量:2
2012年
采用金催化化学腐蚀和钝化两个过程成功制备了黑硅。利用原子力显微镜、分光光度计、红外光谱仪和光致发光光谱仪分别对黑硅的微观结构、反射率、表面状态和发光性能进行了研究。结果表明:黑硅表面呈现山峰状的微观结构,其平均反射率可低至3.31%。光致发光光谱上出现了3个发光峰,分别由量子限制效应、硅氧烯、杂质和缺陷引起。
邵长金何静刘邦武夏洋李超波
关键词:微观结构反射率红外光谱光致发光光谱
等离子增强原子层沉积低温生长AlN薄膜被引量:8
2013年
采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析,结果表明,采用等离子增强原子层沉积制备AlN晶态薄膜的最低温度为200C,薄膜表面平整光滑,具有六方纤锌矿结构与(100)择优取向,Al2p与N1S的特征峰分别为74.1eV与397.0eV,薄膜中Al元素与N元素以Al-N键相结合,且成分均匀性良好.
冯嘉恒唐立丹刘邦武夏洋王冰
关键词:氮化铝晶态薄膜
原子层沉积技术研究及其应用进展被引量:4
2012年
原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导体方面(如IC互连技术、电容器、太阳电池晶体硅表面钝化)以及纳米结构材料方面(如催化剂与燃料电池、光催化、太阳电池、分离膜)。最后,指出了目前ALD在材料制备和生产工艺方面所面临的挑战,并对其未来发展进行了展望。
仇洪波刘邦武夏洋李惠琪陈波李超波万军李勇
关键词:太阳电池互连技术催化剂分离膜
原子层沉积方法制备核-壳型纳米材料研究被引量:1
2013年
采用原子层沉积方法在碳黑纳米颗粒表面分别沉积Al2O3,ZnO,TiO2和Pt,成功制备出核-壳型纳米材料.通过高分辨率透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、能谱仪对材料的表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,原子层沉积方法是制备核壳型纳米材料的理想方法.此外,还分析了采用原子层沉积方法沉积不同材料,所生长的薄膜材料有单晶、多晶、非晶等多种存在形式的形成原因.
李勇李惠琪夏洋刘邦武
关键词:原子层沉积
共1页<1>
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