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中国工程物理研究院科学技术发展基金(20111A0403017)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:彭勃施志贵张照云张慧高杨更多>>
相关机构:中国工程物理研究院电子工程研究所中国工程物理研究院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成技术
  • 1篇电极
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇微机电系统
  • 1篇微机械
  • 1篇微机械系统
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇机电系统
  • 1篇SOI
  • 1篇MEMS
  • 1篇高性能
  • 1篇电系统

机构

  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 2篇张照云
  • 2篇施志贵
  • 2篇彭勃
  • 1篇席仕伟
  • 1篇高杨
  • 1篇张慧

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
金属电极的腐蚀特性研究
2012年
对金属电极的腐蚀特性进行了研究。实验中设计了多种不同的金属电极,通过改变电极材料、电极厚度、电极层数、腐蚀液成分及温度等条件,研究了金属电极的腐蚀特性。通过研究发现,电极的腐蚀特性跟电极材料、电极厚度、电极层数、电极的缺陷及应力、腐蚀液成分及温度等条件有关。最后设计了一种打底层金属材料为Tiw,层厚20 nm,上层金属为Au,层厚度为200 nm的金属电极,在覆盖一层光刻胶,并对光刻胶进行后烘坚膜的情况下,在常温下,用HF溶液腐蚀1 h后,SOIMEMS微结构完全释放,金属电极还十分完好。
张照云施志贵高杨席仕伟彭勃
关键词:微机械系统SOIMEMS湿法腐蚀金属电极
高性能微惯性器件单片集成技术被引量:1
2014年
讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。
张照云施志贵张慧彭勃
关键词:微机电系统单片集成
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