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国家自然科学基金(50802005)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：黄安平杨智超肖志松王玫程国安更多>>
相关机构：北京航空航天大学北京师范大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇栅介质
  • 1篇栅极
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇介质
  • 1篇金属
  • 1篇金属栅
  • 1篇金属栅极
  • 1篇功函数
  • 1篇PMOS
  • 1篇HF
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇北京航空航天...
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 2篇肖志松
  • 2篇杨智超
  • 2篇黄安平
  • 1篇郑晓虎
  • 1篇程国安
  • 1篇王玫

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
pMOS金属栅极材料的研究进展被引量：1
2010年
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.
杨智超黄安平肖志松
关键词：PMOS金属栅极功函数
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量：3
2011年
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
郑晓虎黄安平杨智超肖志松王玫程国安
关键词：稀土掺杂
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共1页<1>
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