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全球变化研究国家重大科学研究计划(2009CB930504)

作品数：2 被引量：11H指数：1
相关作者：邢兵杜为民曹文彧王伟王磊更多>>
相关机构：北京大学更多>>
发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇增益
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇激活能
  • 1篇GAN
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇杜为民
  • 2篇邢兵
  • 1篇李睿
  • 1篇杨子文
  • 1篇曹文彧
  • 1篇胡晓东
  • 1篇于涛
  • 1篇王磊
  • 1篇王伟

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱被引量：10
2010年
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高。
邢兵曹文彧杜为民
关键词：INGAN激活能
变条长实验测量GaN增益时条宽的影响被引量：1
2010年
研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响,提出利用光刻溅射处理样品来严格控制泵浦条的宽度,并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明:泵浦条宽度越窄,饱和长度越长,但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。
王伟杨子文于涛邢兵王磊李睿杜为民胡晓东
关键词：GAN
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共1页<1>
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