国家高技术研究发展计划(2007AA804233)
- 作品数:6 被引量:15H指数:3
- 相关作者:祖小涛向霞袁晓东吕海兵蒋晓东更多>>
- 相关机构:电子科技大学中国工程物理研究院中国科学院更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域:理学机械工程交通运输工程化学工程更多>>
- 氨处理抑制SiO_2/ZrO_2薄膜膜间渗透被引量:1
- 2009年
- 以正硅酸乙酯和丙醇锆为原料,用溶胶-凝胶法在K9基片上提拉镀制SiO2/ZrO2双层膜,样品1镀完SiO2后直接镀ZrO2,样品2镀完SiO2经氨处理后再镀ZrO2。研究表明,ψ和Δ两个椭偏参数的模拟值曲线与椭偏仪的测量值曲线十分吻合,进而发现氨处理可有效抑制SiO2/ZrO2双层膜之间的渗透,氨处理后渗透层减少近45 nm。利用激光束对两种样品进行了损伤阈值的测试,用光学显微镜观察损伤形貌,结果发现两者损伤阈值分别为14.8和15.03 J/cm2,损伤形貌均为熔融型。
- 章春来尹伟祖小涛王毕艺向霞袁晓东蒋晓东吕海兵郑万国
- 关键词:溶胶-凝胶激光损伤阈值
- 熔石英亚表面三维Hertz锥形划痕附近光强分布的数值模拟被引量:3
- 2010年
- 熔石英亚表面划痕对入射激光的调制是导致光学材料损伤的主要因素.本文建立了熔石英后表面上三维Hertz锥形划痕模型,采用三维时域有限差分方法对划痕周围的电场强度进行了计算模拟,并分别讨论了划痕的深度、半径以及倾斜角度对入射光场调制作用的影响.结果表明:Hertz锥形划痕中心区域的电场增强效果最明显,最容易被辐照损伤;划痕的深度从λ变化到9.5λ的过程中,熔石英内的最大电场强度逐渐增大;半径小于1.5λ的Hertz锥形划痕较容易引起熔石英的损伤,当半径大于1.75λ时,熔石英内的最大电场强度都维持在2.5V/m,不再受半径大小影响;当入射激光在划痕的内侧界面和熔石英后表面之间发生内全反射时,光场增强效果愈加明显.
- 花金荣祖小涛李莉向霞陈猛蒋晓东袁晓东郑万国
- 关键词:电场分布数值模拟
- 经355nm激光预处理后熔石英的损伤增长被引量:2
- 2009年
- 为研究经预处理的熔石英损伤点随激光脉冲的增长关系,采用355 nm脉冲激光辐照预处理熔石英,再辐照位于后表面的损伤点,然后用Mias软件采集损伤增长的图像并测量每次脉冲后损伤点的面积。通过与未经预处理熔石英的损伤增长相比较可得出,经预处理与未经预处理的熔石英损伤点面积均随激光辐照脉冲数呈指数增长,但前者的损伤增长速度比后者的快。355 nm激光预处理能够有效提高熔石英元件的抗损伤阈值,但损伤一旦发生将会更加快速地扩展。
- 尹伟祖小涛蒋晓东袁晓东吕海兵王成程郑万国
- 关键词:激光技术熔石英
- 熔石英亚表面杂质颗粒附近光场调制的三维模拟被引量:3
- 2011年
- 熔石英亚表面缺陷是光学材料低损伤阈值的主要因素之一.本文建立了熔石英亚表面三维球形杂质颗粒模型,采用三维时域有限差分方法对杂质附近的光场进行了数值模拟,分析了杂质的介电常数与尺寸对光强增强因子的影响,结果显示:介电常数小于熔石英的杂质,其光强增强因子不随尺寸、介电常数的改变而改变,均保持为4左右;当介电常数为6.0时,半径为1.5λ,2λ及2.5λ的杂质,相应的光强增强因子分别为50.1588,73.3904及102.9953,即增强因子随杂质尺寸的增大而增大;恰为球体的杂质比椭球体的杂质对入射光强的增强更大.因此,介电常数大于熔石英,且尺寸较大的球形杂质,其场增强非常明显.
- 花金荣李莉向霞祖小涛
- 预填充聚苯乙烯控制SiO_2/ZrO_2薄膜膜间渗透被引量:3
- 2009年
- 提出预填充方式控制膜间渗透,采用聚苯乙烯(PS)对低折射率SiO2膜内孔隙进行预填充,镀第2层ZrO2后再于甲苯中洗脱,恢复孔隙率以实现膜间防渗透。采用椭偏仪、紫外-可见光分光光度计、原子力显微镜(AFM)和光学显微镜对薄膜进行表征,研究了预填充PS前后的溶胶-凝胶SiO2/ZrO2薄膜膜间渗透与激光辐照损伤。结果表明,单层SiO2填充PS后膜面均方根粗糙度由4.164 nm下降为1.983 nm,折射率由1.1474增加到1.358 3,在甲苯中浸泡15 min后可完全清除PS。PS填充后的SiO2/ZrO2双层膜清洗1 h后,可使填充了PS的SiO2层的平均折射率由1.36降为1.29(未填充区域为1.38),透光率峰值提高(1~2)%。利用Nd:YAG激光器(1.064μm,8.1 ns)对SiO2/ZrO2双层膜进行了损伤阈值的测试,结果表明经PS填充并清洗后损伤阈值降低了8 J/cm2,但两者损伤形貌均为熔融型。
- 章春来袁晓东蒋晓东向霞祖小涛吕海兵
- 关键词:溶胶-凝胶激光损伤阈值
- 熔石英亚表面缺陷的研究进展被引量:4
- 2009年
- 介绍了熔石英亚表面缺陷(SSD)的深度分布与粒径的量化关系及表面粗糙度的量化,以及杂质引起热破坏、裂纹导致电场增强、缺陷导致机械性能弱化3种诱导熔石英损伤的机理。还介绍了氢氟酸(HF)刻蚀和激光预处理2种非常有效的控制熔石英亚表面缺陷的技术,并对熔石英亚表面缺陷研究现状、存在问题和发展趋势进行了简要的总结和展望。
- 蒋勇袁晓东祖小涛向霞徐世珍吕海兵章春来尹伟陈猛王成程
- 关键词:激光预处理