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南京电子器件研究所

作品数：2,357 被引量：2,978H指数：15
相关作者：薛舫时贾正根陈辰林金庭李忠辉更多>>
相关机构：东南大学南京大学电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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合作机构

文献类型

  • 1,958篇期刊文章
  • 337篇会议论文
  • 32篇科技成果
  • 10篇学位论文
  • 3篇专利
  • 2篇标准

领域

  • 2,059篇电子电信
  • 73篇电气工程
  • 66篇理学
  • 42篇自动化与计算...
  • 42篇一般工业技术
  • 28篇机械工程
  • 21篇经济管理
  • 20篇金属学及工艺
  • 18篇化学工程
  • 5篇交通运输工程
  • 5篇航空宇航科学...
  • 5篇核科学技术
  • 4篇冶金工程
  • 3篇动力工程及工...
  • 3篇建筑科学
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇文化科学
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇医药卫生
  • 2篇社会学

主题

  • 274篇电路
  • 257篇放大器
  • 234篇晶体管
  • 195篇单片
  • 195篇集成电路
  • 194篇砷化镓
  • 164篇GAAS
  • 151篇功率放大
  • 143篇功率放大器
  • 140篇半导体
  • 136篇GAN
  • 113篇单片集成
  • 109篇显示器
  • 109篇二极管
  • 104篇迁移率
  • 97篇MMIC
  • 95篇单片集成电路
  • 94篇电子迁移率
  • 90篇高电子迁移率
  • 88篇异质结

机构

  • 2,342篇南京电子器件...
  • 113篇东南大学
  • 52篇南京大学
  • 41篇电子科技大学
  • 31篇中国科学院
  • 30篇南京国博电子...
  • 14篇南京航空航天...
  • 13篇北京大学
  • 13篇南京理工大学
  • 11篇中国电子科技...
  • 10篇南京邮电大学
  • 9篇北京理工大学
  • 9篇西安交通大学
  • 9篇微波毫米波单...
  • 7篇南京国博电子...
  • 6篇杭州电子科技...
  • 6篇清华大学
  • 6篇西安电子科技...
  • 5篇中国电子产品...
  • 5篇中国科学院大...

作者

  • 208篇陈堂胜
  • 118篇李拂晓
  • 107篇贾正根
  • 98篇陈效建
  • 97篇薛舫时
  • 87篇林金庭
  • 86篇蒋幼泉
  • 85篇陈辰
  • 84篇李忠辉
  • 82篇朱健
  • 78篇柏松
  • 70篇陈新宇
  • 67篇陈刚
  • 64篇孔月婵
  • 62篇邵凯
  • 55篇周建军
  • 53篇董逊
  • 52篇钱峰
  • 52篇张斌
  • 51篇张有涛

传媒

  • 908篇固体电子学研...
  • 223篇光电子技术
  • 80篇电子与封装
  • 62篇Journa...
  • 48篇真空电子技术
  • 40篇半导体技术
  • 25篇微波学报
  • 21篇电子学报
  • 21篇电子工程师
  • 20篇电子元件与材...
  • 20篇微纳电子技术
  • 17篇半导体情报
  • 17篇红外与毫米波...
  • 17篇电子器件
  • 15篇2001全国...
  • 14篇光电技术
  • 13篇微电子学
  • 13篇电子元器件应...
  • 13篇第13届全国...
  • 12篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2024
  • 53篇2023
  • 65篇2022
  • 66篇2021
  • 61篇2020
  • 68篇2019
  • 73篇2018
  • 66篇2017
  • 60篇2016
  • 69篇2015
  • 83篇2014
  • 58篇2013
  • 62篇2012
  • 55篇2011
  • 52篇2010
  • 42篇2009
  • 77篇2008
  • 51篇2007
  • 82篇2006
  • 60篇2005
共 2,357 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二
1990年
一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:
王烈强钱鼎荣
关键词：电子器件半导体器件光电器件
微波单片集成电路的一种中心设计方法
1993年
本文系统地提出了一种微波单片集成电路的中心设计方法,有效地提高了单片电路的成品率,改善了电路性能;同时,占机时少,收敛速度快。试用结果表明,该方法是有效和可靠的,具有应用前景。
戚颂新杨铨让过常宁
关键词：单片集成电路微波集成电路
G波段1W GaN固态功率放大器被引量：1
2022年
南京电子器件研究所首次成功研制了G波段瓦级固态功率放大器。该固态放大器以南京电子器件研究所自主研制的G波段GaN功率MMIC为基础,结合太赫兹低损耗传输技术和高效合成技术,实现了16路高效功率合成,典型输出功率达到1W。G波段固态功率放大器的实物照片如图1所示,该固态功率放大器外形尺寸为:280 mm ×204 mm ×48 mm。
成海峰朱翔徐建华周明王维波
关键词：固态功率放大器功率合成固态放大器GAN传输技术MMIC
C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟...
赵志飞李赟尹志军朱志明陆东赛
相位体制数模转换器动态参数的表征与测试
2006年
详细分析并讨论了相位体制数模转换器(DAC)动态参数的表征方法,提出用无杂散动态范围(SFDR)、近区谐波失真(TH D 6)、有效工作带宽(EW B)、输出信号功率及正交输出信号幅度一致性来全面描述相位DAC的频域性能。采用上述方法对利用南京电子器件研究所标准76 mm G aA sM ESFET全离子注入工艺流片得到的3b it相位DAC进行了频域测试。结果显示其EW B大于1.5 GH z,转换速率大于12 G bps,全频带内输出信号的正交精度低于4%,幅度一致性低于26%(大多数测试点低于10%)。在500 MH z输入信号下,其SFDR、TH D 6分别为33.8 dB c-、33.7 dB c。该相位DAC的动态参数良好,尤其正交性能优异。
张有涛夏冠群李拂晓高建峰
关键词：动态参数谐波
CRT投影显示近况
1997年
ＣＲＴ显示近十年取得较快的发展，市场也稳定增加。显示功能逐步改进。
贾正根
关键词：CRT电子枪静电聚焦磁聚焦象差
K波段收发多功能GaAs MMIC芯片被引量：2
2015年
介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT功率工艺的K波段收发一体多功能芯片。该多功能芯片包含了功率放大器和低噪声放大器及收发开关。接收支路19.6-23.0GHz内增益大于23dB,增益平坦度为±0.2dB,输入输出驻波均小于1.8,噪声低于3.5dB;发射支路21-23GHz内输出驻波小于2.2,输入驻波小于2,增益大于25.6dB。在22GHz时饱和输出功率为23.3dBm,饱和电流170mA,效率达到25.2%。该多功能芯片接收/发射由单刀双掷开关控制。芯片尺寸为：4.1mm×2.75mm×0.05mm。
凌志健彭龙新
关键词：微波单片集成电路K波段
由TPS看研究型企业生产精益化管理策略
2021年
TPS是基于精益思想的一种生产方式,为研究型企业应对市场竞争、提升企业的经营能力与活力提供了很好的启示。文章通过对TPS精益生产的分析,结合研究型企业的具体实践,对研究型企业生产经营精益化管理的策略进行了探讨。
吴亚洁
关键词：TPS精益化管理
K波段低噪声放大器的设计与测试
本文研究了K波段微波低噪声放大器的设计方法和测试方法.在设计中,分别对FMM5701X芯片的输入输出电路进行设计,再对其馈电电路和版图进行设计.在测试方法上对微组装工艺进行了要求.此款K波段低噪声放大器在24GHz下噪声...
薛静张忻钱锋
关键词：K波段低噪声放大器
哪种结构优越? Npn还是Pnp?被引量：1
1993年
在分析影响f_(max)的因素后,导出了f_(max)与载流子迁移率的关系式,指出f_(max)不仅与少子迁移率有关,也与多子迁移率相关,是一种综合效应。并推断在材料和器件结构参数相同情况下,Pnp晶体管的f_(max)与Npn晶体管的f_(max)基本相等或稍高。
陈福荫
关键词：晶体管振荡频率载流子迁移率
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