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山东理工大学物理与光电信息技术学院

作品数:74 被引量:320H指数:10
相关作者:高绪团刘汉平李洁王立刚胡光辉更多>>
相关机构:电子科技大学光电信息学院山东大学物理学院德州学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金辽宁省教育厅资助项目更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 71篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 31篇理学
  • 21篇电子电信
  • 10篇机械工程
  • 8篇一般工业技术
  • 8篇文化科学
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇艺术
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 11篇导电薄膜
  • 11篇透明导电
  • 11篇透明导电薄膜
  • 9篇溅射
  • 9篇ZNO
  • 9篇磁控
  • 8篇磁控溅射
  • 6篇光栅
  • 5篇英文
  • 5篇教育
  • 5篇ZR
  • 4篇柔性衬底
  • 4篇全息
  • 4篇溅射法
  • 4篇光电
  • 4篇衬底
  • 3篇栅绝缘层
  • 3篇射频磁控
  • 3篇视觉
  • 3篇膜厚

机构

  • 72篇山东理工大学
  • 5篇山东大学
  • 3篇电子科技大学
  • 2篇德州学院
  • 2篇大连交通大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇聊城大学
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇南阳师范学院
  • 1篇菏泽学院
  • 1篇莱阳农学院
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇济宁学院
  • 1篇山东师范大学
  • 1篇泰山学院
  • 1篇中国海洋大学
  • 1篇宝钢集团中央...
  • 1篇淄博迈特汽轮...

作者

  • 17篇张化福
  • 16篇刘汉法
  • 15篇类成新
  • 10篇袁长坤
  • 9篇袁玉珍
  • 5篇刘云燕
  • 4篇刘瑞金
  • 4篇魏功祥
  • 4篇万云芳
  • 4篇张静华
  • 3篇祁康成
  • 3篇杨淑连
  • 3篇臧永丽
  • 3篇陈钦生
  • 3篇张延贤
  • 3篇齐立森
  • 3篇高绪团
  • 2篇刘德胜
  • 2篇刘志华
  • 2篇黄明

传媒

  • 21篇山东理工大学...
  • 5篇半导体技术
  • 5篇液晶与显示
  • 2篇计算机集成制...
  • 2篇物理学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇材料导报
  • 2篇大学物理
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇教育探索
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇数学的实践与...
  • 1篇应用激光
  • 1篇功能材料
  • 1篇兵工学报
  • 1篇情报资料工作
  • 1篇科技情报开发...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 9篇2009
  • 14篇2008
  • 17篇2007
  • 18篇2006
  • 13篇2005
  • 1篇2004
74 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)
2009年
利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35~208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。
张化福李雪类成新刘汉法袁长坤
关键词:缓冲层磁控溅射透明导电薄膜
基于免疫的防火墙系统安全技术研究被引量:7
2005年
针对各种网络攻击技术,特别是对防火墙的攻击技术进行了系统的研究,在分析典型的网络攻击技术的基础上,提出了一个防火墙安全技术模型:基于免疫的防火墙系统安全模型和基于协议的防火墙安全策略模型,并详细介绍了采用的安全策略。
杨赞国程全洲
关键词:免疫防火墙系统安全
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
2007年
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(P-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响,在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
张化福刘汉法祁康成
关键词:PECVD
基于Moodle的虚拟学习社区
2007年
Moodle是商业在线学习系统的替代方案,而且采用开放原始码的授权方式免费使用,使用者可以完整地存取程序代码而依个人需求进行任何改变。作为学习管理系统或课程管理系统的Moodle,不仅具有开源软件的独特属性,还具有认知工具的典型功能,在虚拟学习社区建设方面具有潜在的教育应用价值。Moodle作为认知工具的特性主要表现在:代码开放,免费使用;功能完备,易于扩展;界面友好,操作方便;面向用户,适应性强。
齐立森
关键词:虚拟学习社区在线学习系统程序代码授权方式开源软件
小型背压式汽轮机性能计算软件开发被引量:1
2005年
针对小型汽轮机性能定量研究相对缺乏的现状,开发了小型背压式汽轮机性能通用计算软件.采用顺序和倒序的计算方法和模块化设计方法,以Windows为工作平台,运用Visual Basic 6.0软件开发工具研制开发,界面友好,适用性强,能满足小型背压式汽轮机性能计算要求,是汽轮机设计、改进和运行良好的辅助计算工具.
宋桂霞曹新忠韩才祥
关键词:汽轮机性能计算软件开发
基于TN-LCSLM的计算全息实时再现被引量:1
2006年
分析了计算全息图编码原理,介绍了用MATLAB编程计算全息编码的主要步骤.用Matlab模拟了计算全息图的再现结果.将编码全息图实时输出到高分辨扭曲向列型液晶空间光调制器(TN LCSLM)上,和傅里叶变换透镜、滤波器、CCD等组成计算全息实时再现系统,实现了全息图的实时再现.最后,分析了提高再现像质量的方法.
魏功祥袁长坤张化福类成新刘云燕周爱萍王新峰
关键词:计算全息傅里叶变换滤波
p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究被引量:3
2008年
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的Si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-Si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV.cm2),其界面特性达到了制备高质量p-SiTFT栅绝缘层的性能要求。
张化福袁玉珍臧永丽祁康成
关键词:TFT
高校专业性社团对专业技能培养的反辅作用被引量:9
2007年
学生社团是高校学生群体的一种特殊组成形式。它既是学生思想政治工作的一个渠道,又是高校培养学生实践能力和创新能力的有效途径。尤其是专业性社团,它不仅具有一般社团的功能,还对学生专业技能的培养有着一定的反辅功能,在培养学生的实践能力、创新能力方面发挥了重要作用。
牛凤燕万云芳
基于分数阶傅立叶变换的伪码体制引信线性调频干扰抑制技术被引量:22
2006年
分析线性调频(LFM)干扰对伪码体制引信相关检测性能的影响,结果表明当LFM干扰超出伪码体制引信自身抗干扰容限时,相关输出严重恶化,因此必须在相关检测前对LFM干扰进行抑制。通过对LFM干扰信号分数阶傅立叶变换计算结果的分析,提出在分数阶域进行LFM干扰抑制的方法;为避免固定门限方法在强干扰情况下造成有用信号的损失,提出了自适应门限的干扰抑制方法。通过仿真分析发现该方法能够有效消除LFM干扰,相关输出曲线明显改善,信干比得到显著提高。
张淑宁赵惠昌吴兵
关键词:信息处理技术分数阶傅立叶变换自适应门限
脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器
2007年
用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.
刘晓娟傅汝廉卓然然薛兵招方涛
关键词:调Q锁模
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