中国科学技术大学物理学院
- 作品数：4,281 被引量：12,980H指数：41
- 相关作者：汪秉宏王宇阴泽杰曹烈兆施朝淑更多>>
- 相关机构：中国科学院高能物理研究所中国科学院安徽光学精密机械研究所中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- Ce3+，Tb3+掺杂的焦硅酸镥Lu2Si2O7的制备和发光性质研究
- 近年来,铈掺杂的焦硅酸镥 LuSiO：Ce(LPS：Ce)闪烁晶体由于其良好的闪烁性能越来越受到人们的重视,而透明陶瓷闪烁体也是近年的研究热点,透明陶瓷闪烁体克服了单晶生长的费用昂贵,耗时,尺寸大小受限等缺点,并能获得优...
- 李勇游宝贵张慰萍尹民
- 文献传递
- 开放型物理实验的研究和探索
- 目前，我国的教育体制基本上还是以积累知识为主，教学手段还是没摆脱传道、授业、解惑的传统模式.评价学生的优劣，主要看分数的高低，而不是能力，特别是创造能力，限制了学生创造能力的发挥和个性的发展，限制了创造型人才的脱颖而出。...
- 浦其荣霍剑青轩植华
- 关键词：教学改革开放性教学物理实验
- 文献传递
- 大学物理仿真实验和教学实践被引量：57
- 2001年
- 介绍了大学物理仿真实验软件的基本内容和特点 。
- 王晓蒲霍剑青杨旭袁泉郭玉刚
- 关键词：实验教学
- GdVO_4∶Eu^(3+)发光的温度效应被引量：5
- 2001年
- 研究了GdVO4 ∶Eu3 + 在高压汞灯的 3 1 3和 3 65nm激发下室温以上 ( 3 0 0～ 60 0K)发光的温度依赖关系。发现来自5D0 的发射强度随温度的升高而显著增强 ,直到 60 0K也未见饱和。其中5D0 →7F2 的 61 9nm发射在60 0K温度时的强度是室温下的 2 0多倍。我们认为Eu3 + 的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中 ,先激发到Eu3 + 本身的5DJ(J=1 ,2 ,3… )激发态 ,然后在温度的作用下上升到电荷迁移态(CTS) ,温度升高时传递几率显著增强 ,并按5D3 ,5D2 ,5D1依次使被激发的电子转入CTS态 ,从电荷迁移态直接弛豫传递给5D0 态 ,由于5D0 态电子数不断增多 ,致使来自5D0 的发射随温度升高而增强。
- 刘波施朝淑张庆礼
- 关键词：发光温度特性激光材料温度效应
- 离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响被引量：5
- 2007年
- 针对衍射光学元件(DOE)的离子束刻蚀工艺,结合掩模套刻过程实例,本文提出了刻蚀误差面形分布的概念。在标量衍射的夫琅和费原理上,进行了误差数值模拟分析及讨论。模拟分析和实验数据结果表明,误差的面形分布在DOE器件的衍射焦斑中心会产生一个明显的光强畸变毛刺亮点,严重破坏了靶场照明的均匀性。
- 刘强张晓波邬融田杨超李永平
- 关键词：衍射光学元件离子束刻蚀
- 偶氮侧链聚合物液晶薄膜光致双折射及其光存储实验被引量：8
- 2002年
- 本文实验研究了偶氮侧链聚合物液晶薄膜（P-CN）的光致双折射和光存储性质。在连续 532nm激光作用下,该液晶薄膜（P-CN）表现出显著的光致双折射（△n～10-2）。基于光致双折射效应,实验中获得了长久的、高对比度的光信息记录。
- 王沛明海梁忠诚章江英鲁拥华孙世宇谢建平张其锦刘键刘杰李增昌
- 关键词：光致双折射光存储
- 新结构、新材料的表面等离子体亚波长光学（SPSO）特性及其应用
- ＜正＞～～
- 明海
- 文献传递
- 锐钛矿相TiO2(001)单晶薄膜表面态的圆二色性研究
- 圆二色谱(Circular dichroism,CD)与角分辨光电子能谱(ARPES)相结合,是探索材料手性电子结构的有利手段,比如自旋[1],轨道角动量[2]和波函数相位[3]等。
- 马晓川谭世倞崔雪峰王兵
- 关键词：A-TIO2表面态圆二色谱
- a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析被引量：2
- 2002年
- 基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。
- 林鸿生马雷
- 关键词：硅太阳能电池
- 超导临界温度测量被引量：2
- 1991年
- <正> 1911年翁纳斯(Onnes)在测量低温下汞的电阻时,发现在4.2K附近电阻突然消失,突变前后,电阻值变化超过10~4倍。这种在低温下电阻突然消失的现象称为超导电性。具有超导电性的材料称为超导体。
- 阮耀钟黄伟
- 关键词：超导临界温度
