南阳理工学院太阳能电池研究所
- 作品数：9 被引量：19H指数：3
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- 发文基金：河南省基础与前沿技术研究计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- 退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：4
- 2010年
- 通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。
- 靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱扫描电镜
- 在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响被引量：1
- 2008年
- 用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好。
- 靳瑞敏陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜拉曼光谱
- PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。
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- 关键词：溶胶-凝胶
- 光和传统热固化对SiO_2减反膜影响的对比
- 2013年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,采用溶胶-凝胶技术,通过调节添加剂控制溶胶溶液性能,然后分别用光固化和传统电阻炉固化两种不同的热处理方案,制备出低折射率SiO2光学减反薄膜。分别采用椭偏仪、扫描电镜等对所制备薄膜的结构、物性进行研究。研究结果表明:光固化比传统电阻炉固化减反膜折射率低。
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- 关键词：光固化
- 太阳能级多晶硅标准的现状及发展被引量：8
- 2009年
- 回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准。
- 靳瑞敏郭新峰陈兰莉罗鹏辉郑小燕
- 工业化生产光伏玻璃减反膜的研究
- 本文介绍了通过离线工艺连续生产光伏玻璃减反膜,主要包括镀膜的配置和减反膜的生产。正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3·H20 和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术制备镀膜液,然后在光伏压延玻璃上镀膜并对其...
- 靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增韩香菊
- 关键词：工业化
- 文献传递
- 多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究
- 2013年
- 本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析。
- 靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜晶化机理
- 催化剂对制备SiO_2减反膜的影响被引量：6
- 2010年
- 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H20和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过调节催化剂控制SiO2纳米颗粒尺度,然后在玻璃上用旋涂法镀膜并对其进行热处理,制备低折射率SiO2减反膜.分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究不同性质和剂量的催化剂对薄膜结构、折射率的影响.结果表明:通过控制适量的碱酸催化剂可以制备出低折射率多孔结构的SiO2太阳电池减反膜.
- 靳瑞敏肖东岳苍利民阎韬徐建军韩香菊
- 关键词：溶胶-凝胶催化剂
- 非晶硅薄膜中微晶的产生与晶化
- 通过PECVD法在不同条件下直接沉积非晶硅(a-Si：H)薄膜，然后用光退火方法对非晶硅薄膜二次晶化，然后用Raman光谱和SEM分析对比，研究非晶硅薄膜和多晶硅薄膜的晶化情况，结果显示：适当条件下PECVD法直接沉积的...
- 靳瑞敏李定珍陈兰莉罗鹏辉卢景霄
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜拉曼光谱扫描电镜
- 文献传递
