贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
- 作品数：91 被引量：97H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学自然科学总论自动化与计算机技术更多>>
- 等离子体鞘套局部电磁传输通道法
- 2021年
- 根据RAM-C高超音速飞行试验数据,给出一种鞘套反演建模法,能够以一维实验数据,构建三维局部电磁传输通道。在此基础上,采用非均匀介质射线跟踪法,研究鞘套对L和S波段部分频点的能量传输干扰。研究发现,在所关注频段,鞘套显示出一些新的影响特征,例如传输汇集效应,电磁能量在局域具有沿特定方向传输的现象。该研究结果可进一步促进对电波在鞘套中传播行为的理解,也为相关问题研究提供了一种更贴近实际物理背景的建模方法。
- 杨鑫
- 关键词：电磁建模电波传播
- In液滴低温时在不同沉积量下的形貌演变分析
- 2023年
- 本文研究了低温时不同沉积量的In液滴在GaAs(001)衬底上的形貌特征.在衬底温度为160℃时,对In液滴形貌进行观察和分析并根据经典的成核理论解释了不同沉积量下In液滴纳米结构的形成机制和In液滴形貌随沉积量的演变规律;通过对液滴数量,直径和高度以及液滴周围出现扩散圆盘的直径和高度进行统计,结合液滴形貌与沉积量的相关理论公式以及本文实验中所得数据,拟合计算出In液滴产生扩散圆盘的最小沉积量约为3.3 ML,表明In液滴的沉积量大于3.3 ML时才会形成圆盘.相关研究结果对液滴外延法制备InAs纳米结构具有指导意义.
- 唐锦程丁召丁召李家伟宋娟赵梦琴张丹懿王一郭祥
- 关键词：沉积量分子束外延形貌
- AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2019年
- 基于密度泛函理论,对各组分Alx In1-x As(x为0~1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,Alx In1-x As的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的Alx In1-x As晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.
- 张振东王一黄延彬李志宏杨晨杨晨罗子江丁召
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 一种超低失调集成运算放大器的设计与实现
- 2024年
- 基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引入的随机失调,有效改善了输入级失调。增益级采用结型场效应晶体管(JFET)差分对管以获得高增益,输出级采用全npn晶体管的乙类输出结构可满足大功率输出需求。芯片实测数据表明:在全温度范围内,失调电压最大为-25.3μV,失调电压温漂为0.025μV/℃,输入偏置电流为-3.535 nA,输入失调电流为-0.825 nA。实现了超低的失调电压、电流和温漂。
- 刘传兴何贵昆马奎杨发顺
- 关键词：低失调低温漂
- 基于正弦分段线性近似算法的DDS频谱分析
- 2010年
- 直接数字频率合成技术在数字通信系统中被广泛采用..但是DDS本身的结构决定了其输出信号中存在无法消除的杂波,采用严格的数学方法分析了基于分段线性近似DDS中的频谱。得到DDS输出信号的时域和频域数学表达式,为精确计算DDS的杂散抑制度提供了方便。并作出八分段近似DDS的误差分析和频谱图。
- 谭亚军郑瑞锋陆安江杨健
- 关键词：频谱分析
- 高性能运算放大器研究与设计被引量：1
- 2015年
- 应用0.5um CMOS工艺,在5V电压下设计了一个放大倍数为81.29d B的二级运算放大器,采用了密勒补偿的方法对电路进行补偿,相位裕度达到64度。偏置电路中采用cascode连接结构确保偏置稳定。另外输入级采用差分输入,增强电路抗干扰能力。
- 刘萌
- 关键词：运算放大器反馈补偿
- 一种峰值电流模式DC-DC转换器控制电路设计被引量：1
- 2023年
- 基于中科渝芯40 V双极型工艺,完成了一种峰值电流模式DC-DC电压转换器控制电路的模块设计、芯片版图设计和流片验证,其通用于升压、降压、反相的场景,并可以实现输出电压可调。电路采用峰值电流模式的PWM控制方式,能够更好的提供瞬态特性以及重载下的输出性能。芯片集成功率开关管,采用类三角形分布式发射极版图设计,保证足够发射区面积的同时有效降低了基极电阻,减弱了电流集边效应,弥补了发射极去偏置效应,并且不增加额外面积。实测数据表明:外接1 nF的定时电容可产生约32 kHz的振荡频率,功率开关管关态集电极电流低至52 nA,功率管直流电流增益约为131,基准电压温度系数约为0.09 mV/℃,静态电源电流低,约为2.7 mA。
- 余德水杨发顺杨发顺
- 关键词：DC-DC转换器峰值电流模式双极型
- 一种差动式位移传感器芯片的信号调理电路设计
- 2024年
- 设计了一种适用于线性可变差动式位移传感器(LVDT)的信号调理电路,该电路用于将LVDT的副边输出信号进行处理,并输出一个表征铁芯位移的直流电压;主要由解调电路、除法电路和运算放大器组成。LVDT副边输出为两个互补的正弦波信号,直接驱动信号调理电路;由于该信号调理电路采用了独特的比值架构,得到的是两个电压的差与和的比值,所以不要求LVDT初级激励使电压幅度保持稳定,同时,LVDT初级与次级线圈的相移以及干扰电压对该电路的功能不会产生影响,能有效地解决传统信号调理电路在测量精度和可靠性等方面的问题,具有更好的稳定性和性能优势,经过仿真验证及流片测试表明,该信号调理电路总误差≤1.49%/FS,线性度≤0.05%,满量程输出电压≥±10 V。各项功能指标均达到设计要求。
- 杨朝辉马奎杨发顺
- 关键词：LVDT信号调理同步解调除法器
- 分子束外延生长过程中GaAs(001)表面铝液滴的扩散成核过程被引量：1
- 2021年
- 量子点的性质主要由其密度及尺寸参数控制,而原子在衬底上的成核运动又决定了量子点的密度、直径、高度等参数,因此研究原子的扩散成核过程对自组装制备量子点具有重要意义。本文通过分子束外延生长技术研究了GaAs(001)表面金属铝液滴的成核过程,发现衬底温度和金属铝沉积速率的变化直接影响了液滴的尺寸、密度以及形状等特征。根据经典成核理论分析GaAs(001)表面金属铝液滴空间分布与几何结构的演化规律,推导得出表面金属铝液滴密度与衬底温度、金属铝沉积速率的关系方程。在此基础上,进一步计算得出液滴形成过程中未成核态、临界成核态、成核态三种亚稳态所包含的最小原子数分别为1个、2个、5个。
- 蒋冲王一丁召丁召罗子江罗子江李耳士郭祥
- 关键词：分子束外延衬底温度沉积速率
- 磁控溅射衬底加热温度和后退火温度对制备β-Ga_(2)O_(3)薄膜材料的影响被引量：3
- 2021年
- 作为宽禁带半导体材料的一员,结构稳定的β-Ga_(2)O_(3)具有比SiC和GaN更宽的禁带宽度和更高的巴利加优值,近年来受到科研人员的广泛关注。本文采用射频(RF)磁控溅射法在C面蓝宝石衬底上生长β-Ga_(2)O_(3)薄膜,探究溅射过程中衬底加热温度的影响。溅射完成后通过高温退火处理提升薄膜质量,研究衬底加热温度和后退火温度对氧化镓薄膜晶体结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等测试手段对β-Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌等进行分析表征。实验结果表明,随着衬底加热温度的升高,β-Ga_(2)O_(3)薄膜表面粗糙度逐渐降低,薄膜晶体质量得到显著提升;在氧气气氛中进行后退火,合适的后退火温度有利于氧化镓薄膜重新结晶、增大晶粒尺寸,能够有效修复薄膜的表面态和点缺陷,对于改善薄膜晶体质量有明显优势。
- 高灿灿姬凯迪马奎杨发顺
- 关键词：宽禁带半导体磁控溅射高温退火
