山东师范大学物理与电子科学学院
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- 单电子器件中电子在耦合能级上的几率分布
- 2001年
- 两量子点耦合时．根据简并态徽扰理论，单量于点的一个能级分裂为系统的两个能级，即对称态和反对称态．当单电子从外部隧穿进入一个量子点时，则电子在两耦合的量子点间振荡．本文讨论了电子在两能级上分布几率随时间的演化规律．
- 王义全王传奎
- 关键词：量子点能级电子器件
- NiTi合金的离子注入穆斯堡尔谱学
- 1996年
- 简要介绍了离子注入穆斯堡尔谱学的基本原理，讨论了离子注入的不同途径，及离子注入穆斯堡尔谱学的应用．
- 李玉国
- 关键词：离子注入穆斯堡尔谱学形状记忆合金镍钛合金
- 开放的V型单色非相干泵浦系统的非线性理论被引量：2
- 2000年
- 本文给出了具有单色非相干泵浦场的开放 V型系统频率上转换无粒子数反转激光的非线性理论 ,研究了驱动场的 Rabi频率、原子注入速率、原子退出速率、能级间衰变率及非相干泵浦速率对系统无粒子数反转激光的增益、色散以及布居数差的影响 ,讨论了无粒子数反转激光增益的稳定性。
- 李萍樊锡君
- 关键词：开放系统非线性激光物理
- 基于统计特征的非理想虹膜图像分割方法
- 2013年
- 由于退化条件的存在,非理想虹膜识别的关键在于正确分割虹膜区域,这一区域包含能够用于个体识别的纹理。本文提出了一种基于统计特性的非理想虹膜图像分割方法,包括内边界定位、外边界定位和眼睑检测3个阶段。在内边界定位阶段,通过高斯混合(GMM)模型及多弦长均衡策略,实现对瞳孔及虹膜中心的精确定位;在外边界定位阶段,利用简化的基于区域信息的曲线演化方法,将其与序统计滤波(OSF)结合,以确保曲线收敛至虹膜外边界;在眼睑检测阶段,利用二次曲线对眼睑进行建模。对多个数据库进行实验的结果表明,本文方法能够有效克服反光、睫毛和眼睑遮挡、外边界模糊等不利因素的影响,精确实现了非理想虹膜图像的分割。
- 万洪林李宝生韩民
- 关键词：生物特征识别虹膜识别
- 气/液界面上双萘菁夹心化合物有序超分子结构的组装被引量：1
- 2001年
- 研究了气/液界面上双(八-十二烷硫基)萘菁铒{Er[Nc(SC12H25)8]2}形成的Langmuir单层膜中的超分子结构. 表面压-面积(π-A)等温线表明该化合物形成了稳定的单层膜. 将其沉积在云母片上, 用原子力显微镜(AFM)进行观察, 表明分子形成了取向高度有序的结构, 聚集体特征长度在100 nm左右(有的长达300 nm), 宽为20-30 nm.用紫外-可见光谱、偏振紫外-可见光谱、小角X射线衍射等对 LB膜进行了研究, 发现分子大环平面与基片平面夹角为54°, 每层厚度为3.53 nm. 研究表明形成的超分子结构由4-6列以面对面堆积形成的柱状体构成.
- 陈艳丽陈艳丽潘娜刘洪国潘娜张宪玺刘伟
- 关键词：超分子组装超分子结构
- 二维碎片拼接的局部匹配被引量：2
- 2015年
- 基于轮廓的二维非规则碎片拼接问题,通常分为局部匹配和全局匹配两个步骤,这里提出一种新的局部匹配的方法,首先对轮廓进行多边形逼近得到多边形顶点序列,然后获取多边形顶点的转角序列特征并计算相邻顶点间长度,对该转角序列使用改进过的"坦克算法",应用一定筛选规则,寻找到多边形顶点的若干候选匹配信息。改进的算法可降低时间复杂度,提高匹配效率。
- 房然然黄发忠辛化梅
- 关键词：多边形逼近
- Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜
- 2005年
- 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜。利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长。
- 王书运庄惠照高海永
- 关键词：氨化射频磁控溅射透射电镜
- LD抽运Nd:YVO_4 1．34μm激光器及其热效应研究被引量：1
- 2006年
- 研究了激光二极管(LD)抽运Nd:YVO4连续波1．34μm激光器在不同腔长时的输出特性,通过计算晶体中的振荡光光斑大小随泵浦功率的变化,分析了1．34μm激光输出的热透镜效应对腔稳定性和激光输出特性的影响,为1．34μm激光谐振腔的优化设计提供了基本的理论依据。实验中采用简单的平-凹腔结构,泵浦功率为7．56 W时,得到2．39 W的连续波1．34μm激光输出,最大斜效率为36．5％,光-光转换效率为31．7％。
- 彭倩倩杨峰刘杰王云范秀伟何京良
- 关键词：ND:YVO4热透镜效应
- 椭圆偏振光的全反射被引量：1
- 1996年
- 计算并讨论了椭圆偏振光经界面全反射后。
- 刘福平于洛平王安玲
- 关键词：偏振光椭圆偏振光全反射相位
- Ga阶梯式深结分布特性与应用研究
- 2007年
- 利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备。实验与理论表明:J_1和J_2结附近Ga的较小浓度梯度α_j保证器件具有较高阻断耐压特性;J_3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P_2区内Ga较高的电导率(?)和J_3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性。
- 裴素华黄萍张美娜江玉清
- 关键词：GA晶闸管电学性能
