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溶液法制备全有机P3HT光电探测器被引量：1: 2015年; 基于场效应晶体管（FET）结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中,全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而,多层有机聚合物的成膜,必须避免在溶液制备过程中的“溶剂腐蚀”问题。实验中,采用顶栅底接触（TGBC）FET结构及正交溶剂（orthogonal solvent）的方法,以乙酸丁酯作为聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的溶剂,避免对聚（3-己基噻吩）（P3HT）有源层的破坏,成功制备了性能优良的全有机光电探测器Au（源漏极）/P3HT（150 nm）/PMMA（800 nm）/Al（栅极）,其“开/关”电流比达到103,迁移率达8×10-3cm2·V-1·s-1。该器件对350~650 nm的光照均有响应,在0.1 m W/cm2光照下其“明/暗”电流比达75。在600 nm光照下,其最大响应度达到0.28 A/W,其响应度变化趋势与P3HT的吸收光谱情况相似。; 张丽杨丹王好伟王依山杨盛谊; 关键词：溶液法光电探测器场效应晶体管响应度

Kagome超导体AV_(3)Sb_(5)(A=K,Rb,Cs)的掺杂效应: 2024年; Kagome材料为研究电子关联效应、拓扑物态、非常规超导电性和几何阻挫等新奇物理现象提供了良好的平台.最近,Kagome超导体AV_(3)Sb_(5)(A=K,Rb,Cs)在凝聚态物理领域引起了广泛关注和研究,国内外多个课题组通过化学掺杂对其物性进行有效调控,为进一步理解和认识该体系材料提供了巨大帮助.本文综述了AV_(3)Sb_(5),掺杂研究的最新进展,对这一快速发展材料体系的掺杂效应进行了总结,以促进Kagome超导体AV_(3)Sb_(5)的进一步探索和研究.具体地说,回顾了CsV_(3)Sb_(5)中Nb,Ta,Ti和Sn的原子掺杂,以及Cs,O等元素表面掺杂对材料量子效应和电子能带结构的影响,讨论了掺杂对物性调控的物理机制.为进一步理解和研究该材料体系的电荷密度波、时间反演对称性破缺、超导电性等丰富量子效应提供相关基础.; 李永恺刘锦锦张鑫朱鹏杨柳张钰琪吴黄宇王秩伟; 关键词：超导电性电荷密度波

半导体量子点中的双激子发光被引量：3: 2023年; 双激子发光是半导体材料在高激发强度下形成两个激子后复合发光的一种物理过程。相较于块体材料,量子点体积小、载流子受限、能级分立,从而具有独特的双激子发光特性,具体表现为双激子结合能大,级联发射中的光子对是极化反对称的,激子对的俄歇复合效应强。从双激子发光研究的发展历程出发,重点介绍了量子点双激子发光的基本原理、光谱特性,特别是量子效应对量子纠缠和光增益的影响。讨论了量子点双激子发光在纠缠光源、量子点激光器等方面的应用潜力和目前所面临的挑战。; 黄鹏张用友钟海政; 关键词：量子光学量子点双激子光增益

硅纳米线阵列光电探测器研究进展被引量：1: 2023年; 硅(Si)作为最重要的半导体材料之一,被广泛应用于太阳电池、光电探测器等光电器件中.由于硅和空气之间的折射率差异,大量的入射光在硅基表面即被反射.为了抑制这种反射带来的损失,多种具有强陷光效应的硅纳米结构被研发出来.采用干法蚀刻方案多数存在成本高昂、制备复杂的问题,而湿法蚀刻方案所制备的硅纳米线阵列则存在间距等参数可控性较低、异质结有效面积较小等问题.聚苯乙烯微球掩膜法可结合干法及湿法蚀刻各自的优点,容易得到周期性硅纳米线(柱)阵列.本文首先概述了硅纳米线结构的性质和制备方法,总结了有效提升硅纳米线(柱)阵列光电探测器性能的策略,并分析了其中存在的问题.进而,讨论了基于硅纳米线(柱)阵列光电探测器的最新进展,重点关注其结构、光敏层的形貌以及提高光电探测器性能参数的方法.最后,简要介绍了其存在的主要问题及可能的解决方案.; 刘晓轩孙飞扬吴颖杨盛谊邹炳锁; 关键词：硅纳米线光电探测器

基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器被引量：2: 2015年; 并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D).实验发现,在工作电压低至-3 V时,并五苯光电探测器ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80nm)/Au的阈值电压为-0.9 V,"开/关"电流比为104,表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能.在350—750 nm的不同波长单色光照射下,器件的"明/暗"电流比和响应度随入射波长而变化;在350nm单色光照射下,该光电探测器的"明/暗"电流比的最大值达到308,其对应的响应度为219 m A·W-1,大于标准硅基探测器在350 nm单色光照射下的探测率.这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.; 杨丹张丽杨盛谊邹炳锁; 关键词：响应度并五苯

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北京理工大学物理学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室