河北大学通信与电子工程系
- 作品数：18 被引量：16H指数：2
- 相关作者：彭峰更多>>
- 相关机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 超大规模集成电路激光束加工技术的新进展被引量：2
- 1992年
- 本文给出了近十年来各种波长的激光在超大规模集成电路(VLSI)的精细化加工中的应用领域,重点介绍了激光在VLSI制备中应用的新进展。包括激光金属平坦化,激光载带自动键合,激光多层布线和多芯片互连以及激光掩膜版和芯片图形缺陷的修复。
- 宋登元
- 关键词：激光束集成电路ULSI
- 全文增补中
- 九十年代微电子学突破方向的展望
- 1992年
- 纳电子学和真空微电子学是九十年代微电子学的两个极有发展前途的新方向。本文概要介绍了纳电子学和真空微电子学发展的状况及其主要器件的工作原理,并介绍了它们的应用领域和发展方向。
- 宋登元
- 关键词：微电子学纳电子学真空
- 能带工程对电子和光子器件发展的影响
- 1993年
- 简要概述能带工程的概念,能带工程的外延手段和常用材料的特性,并介绍了以能带工程为基础的几种新器件.
- 宋登元
- 关键词：光子
- 多孔硅的可见光谱发光现象及其应用前景
- 1992年
- 在可见光谱内,多孔硅的发光现象及其广阔的应用前景激发了人们对这种潜在光电子学材料的巨大研究兴趣。本文介绍了多孔硅的结构、制备方法和形成原理,着重从纳米结构量子尺寸效应的角度,讨论了多孔硅的能带展宽现象和可见光的发射机制,并评述了这种材料在实际应用中的重要价值与原型器件的发展状况。
- 宋登元
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀量子效应
- 硅双极晶体管的低温h_(FE)
- 1997年
- 低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。
- 林兆军薄仕群
- 关键词：双极晶体管
- 化学束外延(CBE)技术
- 1991年
- 化学束外延是最近几年发展起来的一种新的外延技术．本文在把化学束外延与分子束外延和金属有机物化学气相淀积比较的基础上，介绍了化学束外延的基本原理、生长动力学过程和它的突出优点，同时总结了该技术在半导体材料和光电器件制备方面的应用，最后简要指出了目前它存在的不足之处．
- 宋登元
- 关键词：化学束外延分子束外延MOCVD
- Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟被引量：1
- 1992年
- 报道了Si-SiGe-Si异质结双极晶体管的数字模拟结果。采用有限差分法解半导体器件的载流子输运方程,求出各点上的载流子浓度及其电位,由此可确定器件的直流特性。器件的发射区掺杂浓度为1.4×10^(17)cm^(-3),基区掺杂浓度为7×10^(18)cm^(-3),SiGe基区中Ge摩尔含量为0.31,模拟得到的最高电流增益为390。数字模拟得到的晶体管特性曲线与实验结果符合良好。
- 郭宝增
- 关键词：异质结双极晶体管
- 半导体金刚石与器件被引量：2
- 1992年
- 本文介绍了半导体金刚石材料的结构、光电特性及其器件的特点,总结了与器件制备相关工艺的发展和这种器件的研制历史与现状,同时还指出了金刚石器件走向实用化所需克服的困难。
- 宋登元
- 关键词：半导体金刚石光电特性
- 应变层结构和新半导体器件
- 1991年
- 本文介绍了应变层结构的原理及其在半导体器件中的应用．由于轴应变使应变层结构的价带空穴表现出多样的特性，本文详细讨论了应变层量子阱的电子结构，着重指出了价带工程的可能应用．并介绍了高空穴迁移率晶体管、低阈值激光管等新器件的研制情况，以及几种典型的应变层结构材料．
- 郭宝增
- 关键词：应变层半导体
- 用于集散控制系统的网络通信程序设计被引量：7
- 1997年
- 本文介绍了一个实用的集散控制系统的网络通信程序的设计原理。网络标准为以太网，采用ＴＣＰ／ＴＰ协议的ＴＣＰ居上的套接口函数编写网络程序，实现了控制主机与操作员站间的实时通信。
- 郭宝增
- 关键词：集散控制系统计算机网络网络通信
