您的位置： 专家智库 > >

三洋半导体制造株式会社

作品数：37 被引量：0H指数：0
相关机构：三洋电机株式会社三洋半导体株式会社关东化学株式会社更多>>
相关领域：经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 2篇经济管理

主题

  • 30篇半导体
  • 25篇半导体装置
  • 14篇蚀刻
  • 12篇绝缘膜
  • 6篇绝缘
  • 5篇蚀刻液
  • 5篇组合物
  • 5篇半导体器件
  • 4篇电压
  • 4篇亚胺
  • 4篇掩模
  • 4篇有机绝缘
  • 4篇粘接
  • 4篇树脂
  • 4篇配线
  • 4篇酰亚胺
  • 4篇漏电
  • 4篇漏电流
  • 4篇内壁
  • 4篇聚酰亚胺

机构

  • 37篇三洋半导体制...
  • 37篇三洋电机株式...
  • 32篇三洋半导体株...
  • 1篇关东化学株式...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 9篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 37 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
台型半导体装置及其制造方法
在台型半导体装置及其制造方法中，提升耐电压并降低漏电流。于半导体基板(1)的表面形成N－型半导体层(2)，于N－型半导体层(2)的上层形成P型半导体层(3)。接着，从P型半导体层(3)的表面蚀刻PN接合部JC、N－型半导...
铃木彰关克行小田岛庆汰
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
在台型半导体装置及其制造方法中，谋求提升良率及生产性。于半导体基板(10)的表面形成N－型半导体层(11)，于该N－型半导体层(11)的上层形成P型半导体层(12)。于P型半导体层(12)上复形成与P型半导体层(12)连...
铃木彰关克行小田岛庆汰
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁11的第2绝缘膜10的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导...
关克行土屋尚文铃木彰冈田喜久雄
文献传递
硅各向异性蚀刻液组合物
本发明提供一种硅各向异性蚀刻液组合物，含有(a)作为有机碱化合物和无机碱化合物的混合物的碱化合物；以及(b)含硅化合物。作为有机碱化合物，使用氢氧化季铵盐或乙二胺中的1种以上。此外，作为无机碱化合物，使用氢氧化钠、氢氧化...
勇谦司木村真弓青山哲男田湖次广
文献传递
半导体装置的制造方法
本发明涉及一种半导体装置的制造方法。目前存在埋入扩散层在其他的热处理工序中超出必要而爬上，而不能得到所希望的耐压特性的问题。在本发明中，形成N型埋入扩散层(2)后，为了将用于元件间隔离等的槽部(8)的角部(9)圆化，而进...
小内聪寺中志敦
文献传递
台型半导体装置及其制造方法
本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、...
关克行铃木彰小田岛庆汰冈田喜久雄龟山工次郎
文献传递
半导体器件及其制造方法
一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N－型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜...
铃木彰土屋尚文龟山工次郎
文献传递
蚀刻液组合物
本发明提供能够将铝膜或铝合金膜等金属膜控制性良好地、且在抑制、防止抗蚀涂层渗透发生的情况下进行蚀刻，从而得到具有所需锥形形状和优异平坦性的金属膜的蚀刻液组合物。将含有磷酸、硝酸、有机酸盐的水溶液作为用于蚀刻基板上的金属膜...
田湖次广松田知丈木村直弓青山哲男
文献传递
半导体器件
本发明是一种半导体器件，以双极高耐压垂直式PNP工艺为基础，以高耐压、低导通电阻特性的二极管形成串联二极管群。将串联二极管群并联两个予以连接而形成桥接，以构筑一种没有因寄生晶体管等所导致的漏泄电流的高效率全波整流电路。通...
三田惠司玉田靖宏高桥政男丸山孝男
文献传递
半导体装置的制造方法
本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体...
铃木彰关克行龟山工次郎及川贵弘
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0