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厦门市三安集成电路有限公司

作品数：607 被引量：5H指数：1
相关机构：三安日本科技株式会社山东大学中国科学院更多>>
相关领域：电子电信文化科学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 598篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 188篇电子电信
  • 12篇金属学及工艺
  • 12篇文化科学
  • 10篇自动化与计算...
  • 7篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 2篇历史地理
  • 2篇理学
  • 2篇兵器科学与技...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 118篇半导体
  • 106篇晶体管
  • 62篇金属
  • 60篇势垒
  • 60篇激光
  • 57篇外延层
  • 55篇势垒层
  • 52篇晶圆
  • 51篇半导体器件
  • 48篇氮化镓
  • 48篇激光器
  • 44篇衬底
  • 42篇栅极
  • 37篇电路
  • 37篇芯片
  • 36篇电极
  • 33篇射频
  • 32篇漏极
  • 31篇氮化
  • 30篇迁移率

机构

  • 607篇厦门市三安集...
  • 6篇三安日本科技...
  • 4篇山东大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇华为技术有限...
  • 2篇福建晶安光电...
  • 1篇华南农业大学
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇浙江财经大学

作者

  • 4篇赵佳
  • 2篇阚强
  • 1篇左致远
  • 1篇周洁

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国民族博览
  • 1篇商业文化
  • 1篇光通信技术
  • 1篇中国新技术新...
  • 1篇中国光学
  • 1篇中国光学（中...

年份

  • 41篇2024
  • 83篇2023
  • 125篇2022
  • 128篇2021
  • 95篇2020
  • 56篇2019
  • 40篇2018
  • 22篇2017
  • 11篇2016
  • 6篇2015
共 607 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化物HEMT器件
本实用新型公开了一种氮化物HEMT器件，包含从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，所述沟道层与势垒层构成异质结；还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，以及栅极，所述栅极包括设置于有源区处的源极与漏...
刘胜厚林志东孙希国
文献传递
Doherty功率放大器集成电路及其制备方法、设备
一种Doherty功率放大器集成电路及其制备方法、设备，涉及通信技术领域。该Doherty功率放大器集成电路包括功分器、主功率放大器、峰值功率放大器、栅极偏置电压调节器和合路器；功分器的第一信号输出端与主功率放大器的信号...
蔡文必刘胜厚万亮卢益锋孙希国
文献传递
包含弹性波器件的模块
一种包含弹性波器件的模块，所述弹性波器件需要中空结构，且所述模块具备：基板，在零件安装面形成着多个导电性焊垫；至少一个弹性波器件，在与所述基板的所述零件安装面对向的面上存在电极配置部分，且具有与所述导电性焊垫电连接的导电...
熊谷浩一中村博文门川裕
外延结构和低开启电压晶体管
本申请提供了一种外延结构和低开启电压晶体管，涉及半导体领域。外延结构包含复合基电极层和复合发射极层。复合基电极层包含第一基电极层和制备在第一基电极层上的第二基电极层。第一基电极层的材料包含In<Sub>x</Sub>Ga...
颜志泓蔡文必魏鸿基
文献传递
一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构
一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构，涉及半导体技术领域。该声表面滤波器的键合方法包括在键合基板的上表面形成不透明的反射层；在高真空条件下，以预设压力将压电层通过反射层键合于键合基板上。该声表面滤波器键合方法能够有效降...
罗捷林科闯谢祥政
文献传递
一种声表面波滤波器的叉指换能器的制作方法
本发明公开了一种声表面波滤波器的叉指换能器的制作方法，通过在衬底背面蒸镀金属Ti形成Ti金属层，然后再在衬底的正面进行IDT制程形成IDT金属层，最后通过湿法刻蚀工艺去除Ti金属层。Ti金属层在IDT制程中不仅可以实现遮...
王进川林志东王信棋尤建发
文献传递
提高半导体器件隔离度均匀性的方法及半导体器件
本发明公开了一种提高半导体器件隔离度均匀性的方法及半导体器件，该方法在已完成第一次光刻技术形成第一集电极区域和第二集电极区域的基础上，将第二集电极区域下方外围的部分第一集电极区域或者部分第一集电极区域及其下方的截止层蚀刻...
翁振樟王伟强何湘阳郭佳衢魏鸿基
一种氮化物器件和CMOS器件集成结构及其制备方法
本申请提供一种氮化物器件和CMOS器件集成结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，可以根据氮化物器件和CMOS器件各自所需要的不同晶向，通过对硅衬底表面的第一区域进行晶向处理从而形成(111)晶面，同时，保留硅衬底表面第二...
刘胜厚蔡文必刘波亭孙希国
一种半导体器件的电极结构及半导体器件
本实用新型公开了一种半导体器件的电极结构及半导体器件，包括形成于外延层上表面的第一电极层、形成于第一电极层上且厚度大于第一电极层的第二电极层，还具有包裹第一电极层和第二电极层的黏合层、依序形成于黏合层上方的钝化层和平坦层...
王勇林鑫张灿秋
文献传递
表面声波装置
一种表面声波装置，包含一压电层、一与该压电层相间隔的基底层、一位于该压电层与该基底层间并贴合该压电层的其中一面的中层单元，以及一设置在该压电层的另外一面的电极层。该基底层包括一个朝向该中层单元的第一面。该第一面包括数个突...
高岡良知枋明辉
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