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山东天岳先进科技股份有限公司
作品数:
350
被引量:2
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相关机构:
中国电子科技集团公司
中国科学院
河北普兴电子科技股份有限公司
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国家自然科学基金
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相关领域:
化学工程
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中国电子科技集团公司
中国科学院
河北普兴电子科技股份有限公司
中电化合物半导体有限公司
中国电子科技集团第十三研究所
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作者
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芦伟立
1篇
马农农
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兰欣
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房玉龙
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冯显英
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李慧
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李沛刚
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郑红军
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高伟
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李佳
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陈红梅
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孟凡桂
传媒
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1篇
半导体光电
1篇
内燃机与动力...
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科技创新导报
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2023
64篇
2022
170篇
2021
共
350
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一种反应器定位装料装置及半导体自动化装卸系统
本申请公开了一种反应器定位装料装置及半导体自动化装卸系统,属于半导体材料制备技术领域。该装置包括:装载台,所述装载台用于支撑炉体下盖和反应器,所述反应器设置在所述炉体下盖的上方;定位模板,所述定位模板与所述炉体下盖和反应...
张健
刘咸朕
许登基
李文强
王勃
一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置
本申请公开了一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置,包括:配套的保温筒和保温盖,所述保温筒的内部具有空腔,所述保温筒的顶部具有连通所述空腔的开口,在装配状态下,所述保温筒的空腔内放置有坩埚;所述保温盖的底部开设有与所述保...
张九阳
李霞
王永方
杨晓俐
张红岩
高超
刘光旭
苏丽娜
一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件,涉及碳化硅晶片技术领域。该碳化硅衬底由晶体至少经过切割步骤后得到,晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段,晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤:靠近晶体生长...
高超
潘亚妮
宁秀秀
高宇晗
杨晓俐
石志强
一种循环冷却系统及长晶炉
本申请公开了一种循环冷却系统及长晶炉,尤其涉及一种用于碳化硅生长的循环冷却系统及长晶炉,所述循环冷却系统包括:循环管路;冷却组件,所述冷却组件包括冷却腔、缓冲腔、第一冷却介质、第二冷却介质和第三冷却介质,所述缓冲腔及待冷...
李帅
刘家朋
潘亚妮
邵红
李硕
石志强
文献传递
一种晶体生长的装置及方法
本发明提供了一种晶体生长的装置及方法,该装置包括:上坩埚,其用于晶体的生长,上坩埚的底部设置有多个上筛孔;下坩埚,其位于上坩埚的下方,下坩埚的底部封闭,顶部设置有多个下筛孔,下筛孔与上筛孔错位设置;升降装置,包括控制上坩...
张虎
刘圆圆
周敏
郑荣庆
高立志
刘伟
周国顺
文献传递
一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置
本申请涉及一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置,属于半导体材料制备领域。该大尺寸碳化硅单晶的制备方法,其包括下述步骤:提供坩埚和籽晶柱;将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔,将籽晶柱安装在坩埚内,组装后放入长...
高超
李霞
宁秀秀
张九阳
宗艳民
文献传递
一种带自保护装置的冷却系统
本申请公开了一种带自保护装置的冷却系统,包括冷却循环装置、检测装置和自保护装置;冷却循环装置包括依次连接的进水管件、石英管组、出水管件和单向阀,检测装置用于监测石英管组的水温和出水管件的水流量;自保护装置包括泄水阀组件和...
史建伟
柴志强
杨振鲁
韩政
一种高质量n型碳化硅及其制备方法
本申请公开了一种高质量n型碳化硅晶体的制备方法,包括下述步骤:(1)组装阶段;(2)加热阶段;(3)长晶阶段:将含有氮源气体和惰性保护气体的混合气体通入到所述长晶炉内,控制所述长晶炉至所需的压力,在所述籽晶上生长n型碳化...
方帅
高宇晗
高超
文献传递
一种高品质碳化硅衬底及半导体器件
本申请提供了一种高品质碳化硅衬底及半导体器件,涉及碳化硅晶片技术领域。所述碳化硅衬底为导电型,且其全面积范围内不含有生长特征面、高掺杂区和缺陷聚集区中的任意一项或两项以上;所述碳化硅衬底采用PVT法制备得到。本申请碳化硅...
高超
高宇晗
杨晓俐
石志强
彭红宇
潘亚妮
方帅
一种密封机构及长晶组件
本申请公开了一种密封机构及长晶组件,属于生产辅助工具技术领域。该密封机构,其用于将盖体密封盖合在壳体的开口,包括移动机构和设置在所述移动机构的移动台的弹性组件;所述弹性组件的伸缩件的一端与移动台连接,另一端与盖体和壳体中...
张维刚
宋建
史建伟
阴法波
张长银
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