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日本财团法人高知县产业振兴中心

作品数：24 被引量：0H指数：0
相关机构：卡西欧计算机株式会社樫尾计算机株式会社高砂热学工业株式会社更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇氧化物
  • 10篇氧化物半导体
  • 10篇半导体
  • 8篇等离子体
  • 8篇氧化锌
  • 8篇半导体器件
  • 6篇电极
  • 4篇电子发射
  • 4篇场强
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇低电阻
  • 2篇电场
  • 2篇电场强度
  • 2篇电压
  • 2篇电源
  • 2篇电子发射特性
  • 2篇电阻
  • 2篇阳极
  • 2篇阴极

机构

  • 24篇日本财团法人...
  • 22篇卡西欧计算机...
  • 2篇高砂热学工业...
  • 2篇樫尾计算机株...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 6篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
场致发射电极、其制造方法和电子装置
将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
西村一仁笹冈秀纪
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等离子体CVD装置及成膜方法
本发明提供等离子体CVD装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离...
西村一仁笹冈秀纪
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场发射电极、其制造方法及其制造设备
一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。
西村一仁笹冈秀纪
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等离子体化学气相沉积装置及等离子体表面处理方法
本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a...
西村一仁笹冈秀纪
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等离子体化学气相沉积装置及等离子体表面处理方法
本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a...
西村一仁笹冈秀纪
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沉积设备和沉积方法
本发明公开了沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，在所述处理对象和所述冷却部件之间，与处理对象...
西村一仁笹冈秀纪
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软X线发生装置及除电装置
本发明目的在发生软X线的装置中抑制发热量，从而延长寿命。在本发明中，包括电子释放部即发射器和靶的除电装置中，由粒径为2nm～100nm的钻石颗粒构成的薄膜形成在发射器的表面上。其特征在于：该薄膜在XRD测定过程中具有钻石...
稻叶仁大久保义典八木祥行佐藤俊一西村一仁
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薄膜晶体管及其制造方法
一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄...
古田守平尾孝古田宽松田时宜平松孝浩石井裕满保刈一志吉田基彦
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半导体器件
一种半导体器件，其包括氧化物半导体薄膜层(3)，所述氧化物半导体薄膜层(3)主要包括具有至少一个不同于(002)取向的取向的氧化锌。该氧化锌可以具有包括(002)取向和(101)取向的混合取向。可选地，该氧化锌可以具有包...
平尾孝古田守古田宽松田时宜平松孝浩
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包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法
一种半导体器件，包括由氧化锌构成的所述氧化物半导体薄膜层(3)。至少一部分所述氧化物半导体薄膜层的(002)晶格面沿垂直于所述半导体器件的衬底(1)的方向具有择优取向，并且该(002)晶格面具有至少为<Image fil...
平尾孝平松孝浩古田守古田宽松田时宜
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