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波兰商艾蒙诺公司
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日亚化学工业株式会社
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氮化物半导体激光元件及其制造方法
一种氮化物半导体激光元件及其制造方法,该具有高输出型谐振器端面的氮化物半导体激光元件,在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具有包括由含In的氮化物半导体构成的活性层的谐振器,并且,在所述激光元件的相对向的谐振器端...
罗伯特·德维林斯基
罗曼·多兰特金斯基
耶日·加尔金斯基
莱择克·西尔兹普托夫斯基
神原康雄
文献传递
获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
本发明涉及在超临界含氨溶液的环境中用于晶体生长方法的新改进,这些改进以特殊的叠氮化物矿化剂的使用为基础,并得到了改进的大的Ⅷ族元素氮化物单晶,尤其是主要用于各种氮化物基的半导体产品如各种光电装置的大单晶含镓氮化物。本发明...
R·德林斯基
R·多拉德仁斯基
J·加尔科钦斯基
L·P·谢拉兹普托斯基
神原康雄
文献传递
氮化镓的块状单结晶的制造方法
本发明涉及利用超临界氨制得氮化镓块状单结晶的方法。在高压釜中,形成含碱金属离子的超临界溶剂,在此,将熔化(flux)法所形成的氮化镓单结晶当作供料(feed stock),经溶解后生成超临界溶液,同时或是个别地在晶种面上...
罗伯特·德威林斯基
罗曼·多拉辛斯基
哲兹·卡兹尼斯基
莱哲克·西芝普陶斯基
神原康雄
文献传递
获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
本发明涉及在超临界含氨溶液的环境中用于晶体生长方法的新改进,这些改进以特殊的叠氮化物矿化剂的使用为基础,并得到了改进的大的XIII族元素氮化物单晶,尤其是主要用于各种氮化物基的半导体产品如各种光电装置的大单晶含镓氮化物。...
R·德林斯基
R·多拉德仁斯基
J·加尔科钦斯基
L·P·谢拉兹普托斯基
神原康雄
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氮化铝块状单晶的制造方法
本发明涉及为了制得氮化铝块状单晶利用超临界氨,在高压釜中,形成含碱金属离子的超临界溶剂,在此,溶解原料(feed stock)生成超临界溶液,同时或是个别地在晶种面上结晶含铝的氮化物。此方法使用为生成超临界溶剂设置有控制...
罗伯特·德威林斯基
罗曼·多拉辛斯基
哲兹·卡兹尼斯基
莱哲克·西芝普陶斯基
神原康雄
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取向生长用基底
本发明涉及专门用于制备氮化物半导体层的取向生长用基底。发明包括一种氮化物大块单晶,特征在于该单晶是氮化镓单晶,其在垂直于氮化镓六方晶格c-轴平面的横截面表面积大于100mm<Sup>2</Sup>,单晶厚度超过1.0μm...
罗伯特·德维林斯基
罗曼·多兰特金斯基
耶日·加尔金斯基
莱择克·P·西尔兹普托夫斯基
神原康雄
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获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置
本发明涉及一种制备含镓氮化物结晶体的氨碱方法,其中是使含镓原料于含碱金属成分存在下,在超临界含氮溶剂中,于至少一个结晶化作用晶种上结晶。此方法可提供具有极高品质的单晶性含镓氮化物结晶体。
罗伯特·托马什·德威林斯基
罗曼·马雷克·多拉辛斯基
莱哲克·彼得·西芝普陶斯基
哲兹·卡兹尼斯基
神原康雄
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氮化镓的块状单结晶的制造方法
本发明涉及利用超临界氨制得氮化镓块状单结晶的方法。在高压釜中,形成含碱金属离子的超临界溶剂,在此,将溶化(flux)法所形成的氮化镓单结晶当作供料(feedstock),经溶解後生成超临界溶液,同时或是个别地在晶种面上再...
罗伯特·德威林斯基
罗曼·多拉辛斯基
哲兹·卡兹尼斯基
莱哲克·西芝普陶斯基
神原康雄
文献传递
氮化铝块状单晶的制造方法
本发明涉及为了制得氮化铝块状单晶利用超临界氨,在高压釜中,形成含碱金属离子的超临界溶剂,在此,溶解原料(feed stock)生成超临界溶液,同时或是个别地在晶种面上结晶含铝的氮化物。此方法使用为生成超临界溶剂设置有控制...
罗伯特·德威林斯基
罗曼·多拉辛斯基
哲兹·卡兹尼斯基
莱哲克·西芝普陶斯基
神原康雄
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使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
提供一种高输出型的氮化物发光元件,在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间含有活性层的氮化物发光元件中,所述基板是从含镓氮化物的块状单晶中被切出,具有缺陷密度为10<Sup>5</Sup>/cm<Sup>2</Sup...
罗伯特·德维林斯基
罗曼·多兰特金斯基
耶日·加尔金斯基
莱择克·西尔兹普托夫斯基
神原康雄
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