2024年8月19日
星期一
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
上海华虹宏力半导体制造有限公司
作品数:
7,508
被引量:89
H指数:4
相关作者:
金锋
徐向明
范曾轶
更多>>
相关机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
上海交通大学
电子科技大学
更多>>
发文基金:
国家科技重大专项
上海市青年科技启明星计划
上海市重大科技攻关项目
更多>>
相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
文化科学
经济管理
更多>>
合作机构
华虹半导体(无锡)有限公司
上海交通大学
电子科技大学
普莱克斯
华东师范大学
发表作品
相关人物
相关机构
所获资助
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
7,344篇
专利
134篇
期刊文章
9篇
会议论文
5篇
科技成果
3篇
标准
领域
1,288篇
电子电信
546篇
自动化与计算...
116篇
文化科学
84篇
经济管理
33篇
金属学及工艺
30篇
电气工程
17篇
化学工程
17篇
医药卫生
12篇
理学
10篇
一般工业技术
7篇
矿业工程
4篇
机械工程
4篇
交通运输工程
4篇
环境科学与工...
3篇
建筑科学
2篇
石油与天然气...
2篇
冶金工程
2篇
轻工技术与工...
1篇
天文地球
1篇
动力工程及工...
主题
1,191篇
刻蚀
1,147篇
电路
1,023篇
半导体
961篇
多晶
755篇
多晶硅
686篇
存储器
644篇
闪存
616篇
栅极
614篇
光刻
599篇
氧化层
557篇
衬底
528篇
电阻
498篇
晶圆
492篇
浮栅
482篇
电压
451篇
介质层
415篇
半导体器件
359篇
接触孔
339篇
沟槽
338篇
击穿电压
机构
7,495篇
上海华虹宏力...
256篇
华虹半导体(...
7篇
上海交通大学
3篇
电子科技大学
3篇
普莱克斯
2篇
华东师范大学
2篇
上海集成电路...
1篇
复旦大学
1篇
上海电机学院
1篇
中国科学院
1篇
华润上华科技...
1篇
上海计算机软...
1篇
中国人民武装...
1篇
天水华天电子...
1篇
台积电(中国...
1篇
中芯国际集成...
1篇
上海民航华东...
1篇
西安龙腾新能...
1篇
上海超致半导...
1篇
上海澎博钛白...
作者
2篇
石艳玲
2篇
李强
2篇
康晓旭
2篇
黄乐天
2篇
张晓枫
1篇
黄其煜
1篇
张卫
1篇
李泽宏
1篇
杨志和
1篇
郭筝
1篇
杭弢
1篇
王鹏飞
1篇
张顺斌
1篇
杨琳
1篇
包飞军
1篇
张华
1篇
任敏
1篇
赵风景
1篇
徐向明
1篇
朱海英
传媒
73篇
集成电路应用
9篇
半导体技术
8篇
固体电子学研...
4篇
微电子学
3篇
电子测试
3篇
电子技术应用
3篇
电子世界
3篇
电子技术(上...
3篇
电子技术与软...
3篇
2014`全...
2篇
中国集成电路
2篇
电子与封装
2篇
上海电机学院...
1篇
电力电子技术
1篇
中国设备工程
1篇
电子制作
1篇
中国科技奖励
1篇
电子工业专用...
1篇
电子器件
1篇
功能材料与器...
年份
379篇
2024
672篇
2023
526篇
2022
439篇
2021
570篇
2020
594篇
2019
637篇
2018
772篇
2017
1,140篇
2016
1,068篇
2015
694篇
2014
4篇
2013
共
7,508
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
半导体器件的形成方法
本发明提供了一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体基底,半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底、依次位于衬底正面的栅氧化层、栅极结构和金属层,位于衬底内的有源区硅结构,金属层通过连接结构连接在有源区硅结构和栅极结构...
严强生
任媛媛
崔燕雯
陈宏
曹秀亮
光刻胶底切形貌的制作方法
本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法,包含:步骤一,提供一半导体衬底,在所述半导体衬底表面形成一层抗反射层;步骤二,在所述抗反射层的表面再形成一层光刻胶;步骤三,利用灰度光罩曝光使得负性光刻胶底切区域形成光强自上而下...
王辉
金属互连结构及其形成方法
本申请公开了一种金属互连结构及其形成方法,该结构包括:第一接触孔,其形成于第一介质层中;第二接触孔,其形成于第二介质层中,第二接触孔的顶部与第一接触孔的底部接触,第二接触孔和第一接触孔的构成材料不同;金属连线,其形成于第...
王妍
宋欢欢
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法
本发明提供一种反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法,所述反熔丝存储器件的制造方法包括:提供一衬底;在第一阱区上形成反熔丝栅结构;形成图形化的掩模层,覆盖反熔丝栅结构及其两侧的第一阱区;执行轻掺杂离子注入工艺;去除第一掩...
凌周轩
余快
梁肖
孙琪
改善SONOS器件失效的方法
本发明提供一种改善SONOS器件失效的方法,所述方法包括:于半导体衬底表面形成ONO栅极结构,所述ONO栅极结构包括由第一氧化层、第二氮化层及第三氧化层叠加而成的ONO层及形成于所述ONO层表面的多晶硅栅;于所述ONO栅...
曹俊
吴兵
陆涵蔚
高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构
本申请公开了一种高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构,涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底、N型深阱、设置在N型深阱内的P型阱;P型阱内设置有第一P型区和第一N型区,第一P型区和第一N型区引出后...
蔡莹
金锋
文献传递
一种可编程电容阵列电路
本发明公开了一种可编程电容阵列电路,包括:电容阵列,包括s条较低权重的电容支路以及n‑s条较高权重的电容支路,该s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构,用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合...
戴若凡
文献传递
一种自适应线性度增强低噪声放大器
本发明公开一种自适应线性度增强低噪声放大器,包括:输入放大电路,用于将输入信号RFin进行初步放大;输出放大电路,用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路;可控有源反馈电路,用于产生一可变等效...
戴若凡
文献传递
分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法
本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法,包括:提供管芯,所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层;在所述隧穿氧化层表面形成字线层,所述字线层的厚度H<Sub>0</Sub>=H<Sub>1</Su...
徐涛
文献传递
一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法
本发明提供了一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法,包括:第一步骤:执行ONO结构刻蚀工艺,其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体;第二步骤:执行与所述ONO结构刻蚀工艺不同的另一半导体处理工艺;第三步骤:再次执行所述ONO...
陈宏
许昕睿
文献传递
全选
清除
导出
共750页
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张