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上海华虹宏力半导体制造有限公司

作品数：7,508 被引量：89H指数：4
相关作者：金锋徐向明范曾轶更多>>
相关机构：华虹半导体(无锡)有限公司上海交通大学电子科技大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项上海市青年科技启明星计划上海市重大科技攻关项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 7,344篇专利
  • 134篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 3篇标准

领域

  • 1,288篇电子电信
  • 546篇自动化与计算...
  • 116篇文化科学
  • 84篇经济管理
  • 33篇金属学及工艺
  • 30篇电气工程
  • 17篇化学工程
  • 17篇医药卫生
  • 12篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 7篇矿业工程
  • 4篇机械工程
  • 4篇交通运输工程
  • 4篇环境科学与工...
  • 3篇建筑科学
  • 2篇石油与天然气...
  • 2篇冶金工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇天文地球
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 1,191篇刻蚀
  • 1,147篇电路
  • 1,023篇半导体
  • 961篇多晶
  • 755篇多晶硅
  • 686篇存储器
  • 644篇闪存
  • 616篇栅极
  • 614篇光刻
  • 599篇氧化层
  • 557篇衬底
  • 528篇电阻
  • 498篇晶圆
  • 492篇浮栅
  • 482篇电压
  • 451篇介质层
  • 415篇半导体器件
  • 359篇接触孔
  • 339篇沟槽
  • 338篇击穿电压

机构

  • 7,495篇上海华虹宏力...
  • 256篇华虹半导体(...
  • 7篇上海交通大学
  • 3篇电子科技大学
  • 3篇普莱克斯
  • 2篇华东师范大学
  • 2篇上海集成电路...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海电机学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇华润上华科技...
  • 1篇上海计算机软...
  • 1篇中国人民武装...
  • 1篇天水华天电子...
  • 1篇台积电(中国...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇上海民航华东...
  • 1篇西安龙腾新能...
  • 1篇上海超致半导...
  • 1篇上海澎博钛白...

作者

  • 2篇石艳玲
  • 2篇李强
  • 2篇康晓旭
  • 2篇黄乐天
  • 2篇张晓枫
  • 1篇黄其煜
  • 1篇张卫
  • 1篇李泽宏
  • 1篇杨志和
  • 1篇郭筝
  • 1篇杭弢
  • 1篇王鹏飞
  • 1篇张顺斌
  • 1篇杨琳
  • 1篇包飞军
  • 1篇张华
  • 1篇任敏
  • 1篇赵风景
  • 1篇徐向明
  • 1篇朱海英

传媒

  • 73篇集成电路应用
  • 9篇半导体技术
  • 8篇固体电子学研...
  • 4篇微电子学
  • 3篇电子测试
  • 3篇电子技术应用
  • 3篇电子世界
  • 3篇电子技术（上...
  • 3篇电子技术与软...
  • 3篇2014`全...
  • 2篇中国集成电路
  • 2篇电子与封装
  • 2篇上海电机学院...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国设备工程
  • 1篇电子制作
  • 1篇中国科技奖励
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 379篇2024
  • 672篇2023
  • 526篇2022
  • 439篇2021
  • 570篇2020
  • 594篇2019
  • 637篇2018
  • 772篇2017
  • 1,140篇2016
  • 1,068篇2015
  • 694篇2014
  • 4篇2013
共 7,508 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件的形成方法
本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底、依次位于衬底正面的栅氧化层、栅极结构和金属层，位于衬底内的有源区硅结构，金属层通过连接结构连接在有源区硅结构和栅极结构...
严强生任媛媛崔燕雯陈宏曹秀亮
光刻胶底切形貌的制作方法
本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成一层抗反射层；步骤二，在所述抗反射层的表面再形成一层光刻胶；步骤三，利用灰度光罩曝光使得负性光刻胶底切区域形成光强自上而下...
王辉
金属互连结构及其形成方法
本申请公开了一种金属互连结构及其形成方法，该结构包括：第一接触孔，其形成于第一介质层中；第二接触孔，其形成于第二介质层中，第二接触孔的顶部与第一接触孔的底部接触，第二接触孔和第一接触孔的构成材料不同；金属连线，其形成于第...
王妍宋欢欢
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法
本发明提供一种反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法，所述反熔丝存储器件的制造方法包括：提供一衬底；在第一阱区上形成反熔丝栅结构；形成图形化的掩模层，覆盖反熔丝栅结构及其两侧的第一阱区；执行轻掺杂离子注入工艺；去除第一掩...
凌周轩余快梁肖孙琪
改善SONOS器件失效的方法
本发明提供一种改善SONOS器件失效的方法，所述方法包括：于半导体衬底表面形成ONO栅极结构，所述ONO栅极结构包括由第一氧化层、第二氮化层及第三氧化层叠加而成的ONO层及形成于所述ONO层表面的多晶硅栅；于所述ONO栅...
曹俊吴兵陆涵蔚
高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构
本申请公开了一种高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底、N型深阱、设置在N型深阱内的P型阱；P型阱内设置有第一P型区和第一N型区，第一P型区和第一N型区引出后...
蔡莹金锋
文献传递
一种可编程电容阵列电路
本发明公开了一种可编程电容阵列电路，包括：电容阵列，包括s条较低权重的电容支路以及n‑s条较高权重的电容支路，该s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构，用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合...
戴若凡
文献传递
一种自适应线性度增强低噪声放大器
本发明公开一种自适应线性度增强低噪声放大器，包括：输入放大电路,用于将输入信号RFin进行初步放大；输出放大电路，用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；可控有源反馈电路，用于产生一可变等效...
戴若凡
文献传递
分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法
本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法，包括：提供管芯，所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成字线层，所述字线层的厚度H<Sub>0</Sub>＝H<Sub>1</Su...
徐涛
文献传递
一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法
本发明提供了一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法，包括：第一步骤：执行ONO结构刻蚀工艺，其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体；第二步骤：执行与所述ONO结构刻蚀工艺不同的另一半导体处理工艺；第三步骤：再次执行所述ONO...
陈宏许昕睿
文献传递
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