2025年1月25日
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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金锋
徐向明
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华虹半导体(无锡)有限公司
上海交通大学
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集成LDMOS与SGT器件的制造方法
本发明提供一种集成LDMOS与SGT器件的制造方法,提供第一导电类型的衬底,衬底上包括LDMOS器件的形成区以及SGT器件的形成区,在衬底上形成第二导电类型的埋层,之后在衬底上形成第一导电类型的外延层;在外延层上形成第一...
张红林
陈天
肖莉
王黎
陈华伦
半导体器件的形成方法
本发明提供了一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体基底,半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底、依次位于衬底正面的栅氧化层、栅极结构和金属层,位于衬底内的有源区硅结构,金属层通过连接结构连接在有源区硅结构和栅极结构...
严强生
任媛媛
崔燕雯
陈宏
曹秀亮
光刻胶底切形貌的制作方法
本发明公开了一种光刻胶底切形貌的制作方法,包含:步骤一,提供一半导体衬底,在所述半导体衬底表面形成一层抗反射层;步骤二,在所述抗反射层的表面再形成一层光刻胶;步骤三,利用灰度光罩曝光使得负性光刻胶底切区域形成光强自上而下...
王辉
金属互连结构及其形成方法
本申请公开了一种金属互连结构及其形成方法,该结构包括:第一接触孔,其形成于第一介质层中;第二接触孔,其形成于第二介质层中,第二接触孔的顶部与第一接触孔的底部接触,第二接触孔和第一接触孔的构成材料不同;金属连线,其形成于第...
王妍
宋欢欢
反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法
本发明提供一种反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法,所述反熔丝存储器件的制造方法包括:提供一衬底;在第一阱区上形成反熔丝栅结构;形成图形化的掩模层,覆盖反熔丝栅结构及其两侧的第一阱区;执行轻掺杂离子注入工艺;去除第一掩...
凌周轩
余快
梁肖
孙琪
改善SONOS器件失效的方法
本发明提供一种改善SONOS器件失效的方法,所述方法包括:于半导体衬底表面形成ONO栅极结构,所述ONO栅极结构包括由第一氧化层、第二氮化层及第三氧化层叠加而成的ONO层及形成于所述ONO层表面的多晶硅栅;于所述ONO栅...
曹俊
吴兵
陆涵蔚
高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构
本申请公开了一种高压JFET器件及其制造方法、高压JFET器件的版图结构,涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底、N型深阱、设置在N型深阱内的P型阱;P型阱内设置有第一P型区和第一N型区,第一P型区和第一N型区引出后...
蔡莹
金锋
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一种可编程电容阵列电路
本发明公开了一种可编程电容阵列电路,包括:电容阵列,包括s条较低权重的电容支路以及n‑s条较高权重的电容支路,该s条较低权重的电容支路采用两级电容阵列反向串联结构,用于给单刀多掷开关的每个射频开关支路提供不同的电容并组合...
戴若凡
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一种自适应线性度增强低噪声放大器
本发明公开一种自适应线性度增强低噪声放大器,包括:输入放大电路,用于将输入信号RFin进行初步放大;输出放大电路,用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路;可控有源反馈电路,用于产生一可变等效...
戴若凡
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分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法
本发明提供了一种分栅快闪存储器及避免其编程串扰失效的方法,包括:提供管芯,所述管芯包括衬底、形成于所述衬底上的隧穿氧化层;在所述隧穿氧化层表面形成字线层,所述字线层的厚度H<Sub>0</Sub>=H<Sub>1</Su...
徐涛
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