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CUSIC股份有限公司

作品数：14 被引量：0H指数：0
相关机构：信越化学工业株式会社更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇基板
  • 10篇SIC
  • 8篇多晶
  • 4篇气相沉积
  • 4篇翘曲
  • 4篇晶格
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体元件
  • 2篇单极性
  • 2篇氮化
  • 2篇原子排列
  • 2篇熔融
  • 2篇碳化
  • 2篇邻接
  • 2篇母材
  • 2篇晶格匹配
  • 2篇晶种
  • 2篇化合物半导体

机构

  • 14篇CUSIC股...
  • 12篇信越化学工业...

年份

  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 4篇2018
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法
本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC...
久保田芳宏秋山昌次长泽弘幸
SiC复合基板的制造方法
本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶S...
秋山昌次久保田芳宏长泽弘幸
SiC层叠体、其制造方法和半导体器件
本发明提供一种3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构以及其制造方法，在半导体器件中使用该3C‑SiC和六方晶SiC的层叠结构能够抑制异质界面中的载流子俘获和散射，从而提高半导体器件的特性。在六方晶SiC(1)表面上设置与晶...
长泽弘幸
碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板
本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面...
长泽弘幸久保田芳宏秋山昌次
文献传递
SiC复合基板及其制造方法
本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I<Sub>12/11</Sub>，上...
久保田芳宏秋山昌次长泽弘幸
化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件
本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含...
长泽弘幸久保田芳宏秋山昌次
SiC复合基板的制造方法
本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶S...
秋山昌次久保田芳宏长泽弘幸
文献传递
SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法
本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC...
久保田芳宏秋山昌次长泽弘幸
文献传递
SiC复合基板及其制造方法
本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I<Sub>12/11</Sub>，上...
久保田芳宏秋山昌次长泽弘幸
文献传递
化合物半导体层叠基板及其制造方法以及半导体元件
本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含...
长泽弘幸久保田芳宏秋山昌次
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