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学校法人名城大学

作品数：30 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社岛津制作所丰田合成株式会社丰田自动车株式会社更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇氮化物
  • 10篇导体
  • 10篇发光
  • 10篇半导体
  • 8篇氮化物半导体
  • 6篇质谱
  • 6篇微生物
  • 6篇菌种
  • 6篇光元件
  • 6篇发光元件
  • 5篇蛋白
  • 5篇蛋白质
  • 5篇核糖
  • 5篇核糖体
  • 5篇核糖体蛋白
  • 5篇核糖体蛋白质
  • 5篇白质
  • 4篇菌属
  • 3篇晶体
  • 3篇基板

机构

  • 30篇学校法人名城...
  • 6篇株式会社岛津...
  • 5篇丰田合成株式...
  • 3篇丰田自动车株...
  • 2篇斯坦雷电气株...
  • 2篇国立大学法人...
  • 2篇国立大学法人...
  • 2篇工程株式会社
  • 1篇株式会社小糸...
  • 1篇株式会社日本...
  • 1篇株式会社名城...
  • 1篇大同工业株式...
  • 1篇高砂工业株式...
  • 1篇夏普株式会社

年份

  • 8篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
接近车辆检测系统和接近车辆检测方法
一种接近车辆检测系统，其根据由安装在主车辆上的多个声音收集器收集到的声音检测接近车辆，所述接近车辆检测系统判定由多个声音收集器检测到的声源的横向运动方向是否为接近主车辆的方向（S11），判定使用多个声音收集器检测到的声源...
船山龙士佐藤润里中久志山田启一坂野秀树山本修身旭健作小川明
文献传递
吸入粉末剂、其评价方法及其用途
本发明提供一种吸入粉末剂，其作为分散性、肺递送性和沉积性优异的吸入粉末剂，在能够通过吸气进行分散、破碎并且能够在吸湿时溶胀的多孔性中空球形颗粒的至少一部分中含有有效成分。
冈本浩一奥田知将
文献传递
医疗用处置器具
本公开的一个方面是一种医疗用处置器具，该医疗用处置器具具有第一臂部以及第二臂部，第一臂部以及第二臂部均具有第一端部和第二端部，并且第一臂部的第一端部和第二臂部的第一端部彼此连结成使得第一臂部的第二端部和第二臂部的第二端部...
番靖博本村和也仙场淳彦
文献传递
发光装置、显示装置、可穿戴装置及发光装置的制造方法
本公开涉及的发光装置(10)包括：包含第一发光层第一半导体层(11)和包含第二发光层的第二半导体层(12)，第一半导体层(11)所具有的第一侧壁(W1)和第二半导体层(12)所具有的第二侧壁(W2)隔着间隙而相邻，第一侧...
上田吉裕岩谷素显末广好伸今泉雄太斋藤龙成长谷川直希井村慧悟
氮化物半导体晶体及其制备方法
本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体...
竹内哲也铃木智行笹岛浩希岩谷素顕赤崎勇
文献传递
多微空心阴极光源和原子吸收光谱仪
本发明提供了一种多微空心阴极光源，该光源是一种单点光源。所述多微空心阴极光源配置有阴极板(11)、绝缘板(12)、阳极板(13)以及金属片(14)。所述绝缘板(12)夹在阴极板(11)和阳极板(13)之间。所述阴极板(1...
堀胜伊藤昌文太田贵之加纳浩之山川晃司
文献传递
III族氮化物半导体的制造方法
本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核...
奥野浩司 斋藤义树 永田贤吾 竹内哲也 上山智 岩谷素显 石黑永孝 可知朋晃 藤田真帆
氮化物半导体多层膜反射镜以及使用了该反射镜的发光元件
本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中，第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高，在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导...
竹内哲也岩谷素顕赤崎勇
文献传递
层叠体及层叠体的制造方法
本发明提供促进GaN层的高品质晶体生长的层叠体及层叠体的制造方法。层叠体具有非晶质玻璃基板和形成于非晶质玻璃基板之上的AlN层，AlN层在非晶质玻璃基板上沿c轴取向，非晶质玻璃基板的玻璃化转变温度(Tg)为720℃以上8...
池田雅延石田有亲上山智岩谷素显竹内哲也
氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件
提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlIn...
竹内哲也柴田夏奈岩谷素显上山智仓本大
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