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上海新储集成电路有限公司

作品数：403 被引量：3H指数：1
相关机构：中国科学院中国科学院大学上海科技大学更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信金属学及工艺航空宇航科学技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 400篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 74篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 141篇存储器
  • 59篇非易失性
  • 57篇芯片
  • 55篇功耗
  • 46篇电路
  • 39篇处理器
  • 31篇非易失性存储
  • 29篇非易失性存储...
  • 28篇低功耗
  • 28篇网络
  • 27篇内存
  • 27篇存储阵列
  • 26篇相变
  • 25篇硬盘
  • 22篇缓存
  • 21篇读写
  • 19篇堆叠
  • 17篇联网
  • 16篇物联网
  • 16篇晶体管

机构

  • 403篇上海新储集成...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇宋志棠
  • 2篇陈邦明
  • 2篇叶勇

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇电子与信息学...

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 18篇2020
  • 58篇2019
  • 55篇2018
  • 50篇2017
  • 67篇2016
  • 47篇2015
  • 55篇2014
  • 22篇2013
  • 10篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 403 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种前端传感器设备及数据处理方法
本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种前端传感器设备及数据处理方法，操作人员能够对前端传感器设备发出控制信号，前端传感器设备中的处理器根据该控制信号，对存储器中存储的数据采集设备采集的外部数据进行匹配或对比筛选操作，再...
李辉陈邦明
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一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法
本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法，本发明通过深沟槽刻蚀工艺形成一种CMOS器件结构，实现了在先进工艺下无法实现高压驱动晶体管的难题，利用深沟槽隔离工艺实现立体栅...
景蔚亮陈邦明
一种物联网网关和基于该物联网网关的前端设备维护方法
本发明涉及物联网领域，尤其涉及一种物联网网关，可有效实现对物联网中各种物品的统一管理和维护；同时本发明还提出一种物联网前端设备维护方法，可实现根据物联网网关传输的物联网前端设备的状态信息实时对前端设备进行统一的管理和维护...
景蔚亮瞿磊陈邦明
文献传递
一种混合存储器结构的低功耗刷新方法
本发明提供了一种混合存储器结构的低功耗刷新方法，当DRAM处于非繁忙状态，运行在温度敏感模式下，非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内中检测到的最差存储单元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一时刻检测到当前温...
景蔚亮陈邦明
一种基于数据更新频率的写入方法
本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于数据更新频率的写入方法，应用于一混合内存，包括：步骤S1，通过控制器获得动态随机存取存储器中的每个存取单元的数据更新频率；步骤S2，通过控制器将每个存取单元的数据更新频率分别与标准频...
景蔚亮陈邦明
一种可刷新的非易失性存储器及其刷新方法
本发明提供一种可刷新的非易失性存储器及其刷新方法，该非易失性存储器包括：存储阵列，用以存储数据；控制器，与存储阵列相连，用以对存储阵列中的数据进行定期刷新，通过控制器对存储阵列中的数据进行定期刷新的定期刷新提高了数据存储...
景蔚亮陈邦明
文献传递
一种新型开机低功率输出空调系统及工作方法
本发明提供了一种新型开机低功率输出空调系统及工作方法，包括空调、第一通讯终端、第二通讯终端、第一通讯信道和第二通讯信道。第一通讯终端通过第一通讯信道与第二通讯终端通讯连接，第二通讯终端通过第二通讯信道与空调通讯连接。第一...
景蔚亮陈邦明
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一种非易失性双列直插式存储器及存储方法
本发明涉及非易失性存储领域，尤其涉及一种非易失性双列直插式存储器及存储方法。本发明中，当系统掉电后，备份数据所需要的NVM容量大大小于传统的NVDIMM，这将大大降低NVDIMM的价格、超级电容的容量、发热量等，对于大量...
景蔚亮黄添益陈邦明
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一种混合存储器中数据迁移的自学习的方法
本发明提供了一种混合存储器中数据迁移的自学习的方法，系统通过一段时间自学习当前用户的使用习惯，对于特定的用户，当该用户的混合内存数据接口IO吞吐量满足一定的条件时，经过一定的时间进行数据的迁移，同时把用户从满足混合内存数...
亢勇陈邦明
一种加快相变存储器写操作速度的方法
本发明提供了一种加快相变存储器写操作的方法，其中，提供一相变存储器，在对所述相变存储器中连续的多个写操作地址进行写操作时执行下述步骤：将当前的所述写操作地址作为当前地址并进行写操作；对所述当前地址后续的所述写操作地址依次...
景蔚亮陈邦明
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