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山西飞虹微纳米光电科技有限公司

作品数：51 被引量：2H指数：1
相关机构：太原理工大学山西光宇半导体照明有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 50篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 13篇外延片
  • 10篇发光
  • 9篇晶格
  • 8篇多量子阱
  • 8篇刻蚀
  • 8篇激光
  • 8篇半导体
  • 7篇衬底
  • 6篇金属有机化学...
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 6篇二极管
  • 5篇势垒
  • 5篇半导体激光
  • 5篇LED芯片
  • 5篇波导
  • 5篇超晶格
  • 4篇倒装
  • 4篇电流
  • 4篇电流限制

机构

  • 51篇山西飞虹微纳...
  • 23篇太原理工大学
  • 1篇山西光宇半导...

作者

  • 8篇许并社
  • 4篇贾志刚
  • 2篇田海军
  • 2篇关永莉
  • 2篇梁建
  • 2篇韩蕊蕊
  • 1篇尚林
  • 1篇余春燕
  • 1篇贾伟
  • 1篇马淑芳
  • 1篇李天保
  • 1篇董海亮
  • 1篇卢太平
  • 1篇朱亚丹

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 11篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓激光器腔面以及砷化镓激光器
本实用新型提供一种砷化镓激光器腔面及砷化镓激光器，属于半导体激光器领域；砷化镓激光器腔面包括自下而上设置的腔面本体、阻挡层、钝化膜以及反射膜；阻挡层是由等离子体Ar+经过电场加速后轰击腔面本体，再由混合等离子体NH+经过...
米洪龙关永莉陈宇星王琳
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一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法
本发明提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变...
马淑芳田海军韩蕊蕊李天保吴小强杨杰
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U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管
本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型...
杨鑫关永莉米洪龙吴小强杨杰申江涛陕志芳樊明明
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一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管
本实用新型提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As渐变层，复合...
马淑芳田海军韩蕊蕊李天保吴小强杨杰
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经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED
本发明提供了一种经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED，属于显示设备领域。本发明通过对扩膜处理后的LED芯片的侧壁和表面进行粗化处理，使得相对仅对表面进行粗化处理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍...
关永莉米洪龙徐小红段少清杨鑫周王康陕志芳樊明明
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一种聚酰亚胺电子封装材料及其合成方法
一种聚酰亚胺电子封装材料及其合成方法。其方法首先是将2，3，3’，4’-联苯四酸二酐与2，2’-双(三氟甲基)-4，4’-二胺基二苯基硫等摩尔配比溶于非质子极性溶剂中，在10℃～20℃下反应制备聚酰胺酸；其次是将制备好的...
许并社魏丽乔刘波梁建王智勇史元魁许富贵张保平
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一种半导体激光bar条及其制备方法
本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及...
关永莉米洪龙梁健李小兵王琳董海亮
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具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构
本发明涉及发光二极管组件，具体是一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构。本发明解决了现有氮化镓系发光二极管的芯片结构容易导致发光二极管的光取出效率降低及寿命缩短的问题。具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯...
许并社梁建马淑芳李天保刘旭光
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一种减少键合空洞的图形化方法
本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs...
许并社关永莉徐小红李天保马淑芳韩蕊蕊贾虎生
一种减少键合空洞的图形化方法
本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种减少键合空洞的图形化方法。本发明解决了现有晶片键合技术易产生键合空洞和过大热应力的问题。一种减少键合空洞的图形化方法，该方法是采用如下步骤实现的：（1）选取GaAs衬底；在GaAs...
许并社关永莉徐小红李天保马淑芳韩蕊蕊贾虎生
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