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常州元晶电子科技有限公司

作品数：27 被引量：0H指数：0
相关机构：汉得利(常州)电子股份有限公司深圳市汉得利电子科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作机构

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇扬声器
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇信号
  • 4篇扬声器阵列
  • 4篇阵列
  • 4篇指向
  • 4篇指向性
  • 4篇麦克风
  • 4篇红外
  • 3篇电声
  • 3篇电声换能器
  • 3篇压电
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇信号处理
  • 2篇压电薄膜
  • 2篇衍射

机构

  • 27篇常州元晶电子...
  • 3篇汉得利(常州...
  • 1篇深圳市汉得利...

年份

  • 4篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于contourlet变换的红外阵列图像增强系统及方法
本发明涉及红外热成像技术领域，尤其涉及一种基于contourlet变换的红外阵列图像增强系统及方法，该系统包括：图像采集单元，用于接收目标及背景经大气传输的红外辐射；红外焦平面阵列单元，用于将经图像采集单元聚焦后的光信号...
陶文俊 李红元 吴逸飞
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基于PZT压电材料的微颗粒MEMS传感器及制备方法
本发明属于微颗粒MEMS传感器技术领域，具体涉及一种基于PZT压电材料的微颗粒MEMS传感器及制备方法，本基于PZT压电材料的微颗粒MEMS传感器包括：梁架和检测组件；其中所述第一电极引线部、第二电极引线部通过检测振动部...
王焕焕葛斌周智健
一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法
一种双惠斯通电桥温度补偿差压压力传感器及其制作方法,包括含有双惠斯通电桥的硅薄膜及硅衬底，硅衬底从上至下包括保护层、处理层、牺牲层，保护层包括压力浅腔及压力深腔，压力浅腔位于硅薄膜下方，与压力深腔连通，压力深腔另一端和牺...
王焕焕徐金国费跃
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一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风
本实用新型涉及麦克风技术领域，尤其是涉及一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，包括基板，所述基板上设置有第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件，基板上罩扣有盖壳，盖壳上开设有进音孔。本实用新型的一种高...
朱程葛斌
红外温度传感器
本实用新型涉及一种红外温度传感器，包括TO管帽、TO管座、红外测温芯片、红外滤光片以及热敏电阻，TO管帽的下端设于TO管座上，在TO管帽内部与TO管座上表面之间形成封闭的装配空间，TO管帽的上端具有连通装配空间于外部的开...
王焕焕徐金国费跃
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一种新型白噪声报警器
本实用新型涉及一种新型白噪声报警器，包括扬声器，以及驱动扬声器发出白噪声的驱动模块，所述驱动装置包括极性保护模块，过压保护模块、供电模块与驱动信号模块连接，所述驱动信号模块包括白噪声输出模块以及功放模块，所述白噪声输出模...
程久生吴郑
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一种mems数字扬声器系统及其工作方法
本发明公开了一种mems数字扬声器系统及其工作方法，包括DSP单元、开关电路及驱动单元和mems扬声器阵列单元；其中，DSP单元上设有数字音频信号和模拟音频信号输入口，以及8个数字信号输出口；所述开关电路及驱动单元由8个...
朱程葛斌王焕焕柴文娴
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微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件
本发明涉及一种微型流体泵送器件的制备方法及微型流体泵器件，制备方法包括：S1，基于MEMS微细加工技术将SOI硅片制备成SOI泵体；S2，利用阳极键合工艺将第一玻璃基片与所述SOI泵体的第一表面键合，形成键合样片；S3，...
王焕焕葛斌
一种高密度指向性压电电声换能器阵列的制作方法
本发明涉及一种高密度指向性压电电声换能器阵列的制作方法，其中一个单元制作方法为：硅片晶圆的上表面依次沉积下电极、下层压电、中间电极、上层压电、上电极薄膜形成双层压电薄膜层结构；将双层压电薄膜层结构进行纵向光刻将双层压电薄...
王焕焕葛斌
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具有新型超声波换能器阵列排布方式的声频定向系统
本发明涉及声频定向系统技术领域，尤其是涉及具有新型超声波换能器阵列排布方式的声频定向系统，包括模拟信号模块、模拟信号模块、模拟信号模块、后级缓冲电路模块和全数字式扬声器阵列模块，所述全数字式扬声器阵列模块由若干换能器阵列...
陶文俊徐金国
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