云南大学光电信息材料研究所
- 作品数：46 被引量：42H指数：4
- 相关作者：杨瑞东韦冬周原杨洲欧阳焜更多>>
- 相关机构：中国科学院上海技术物理研究所昆明理工大学冶金与能源工程学院黔南民族师范学院物理与电子科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Si表面生长Ge量子点的研究进展
- 本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析，回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。
- 刘鹏强王茺杨宇
- 关键词：锗量子点掺杂改性退火温度
- 热退火诱导C^+注入Si晶体的蓝光发射
- 2014年
- 在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016cm-2,随后即对样品进行高温退火处理。采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征。实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射。PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应。
- 周原王茺韦冬卢赛杨宇
- 关键词：离子注入量子限制效应
- 埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响
- 2014年
- 利用离子束溅射制备双层Ge/Si量子点,通过变化Si隔离层厚度和Ge沉积量研究了埋层应变场对量子点生长的影响。实验中观察到隔离层厚度较薄时,双层结构中第2层量子点形成的临界厚度减小,生长过程提前;此外,随着Ge沉积量的增加,第2层量子点密度维持在一定范围,分布被调制的同时岛均匀长大呈现单模分布。增大隔离层厚度,埋层岛的生长模式在第2层岛生长时得到复制。通过隔离层传递的不均匀应变场解释了量子点生长模式的变化。
- 周曦王茺杨杰靳映霞杨宇
- 关键词：离子束溅射
- 绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析被引量：1
- 2013年
- 利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.
- 于杰王茺杨洲陈效双杨宇
- 关键词：P-MOSFET
- 本征和Al3＋掺杂ZnO薄膜的特性研究
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO:Al薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的(002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小;并且当Al3+掺杂浓度为1.5%(摩尔百分比)时所获得的ZnO:Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ωcm。
- 宋立媛唐利斌姬荣斌刘新近陈雪梅薛经纬庄继胜王茺杨宇
- 关键词：ZNO:AL薄膜X射线衍射
- SiGe∶H薄膜太阳能电池研究进展被引量：4
- 2014年
- 针对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜太阳能电池在发展过程中所面临的问题,阐述了氢化硅锗(SiGe∶H)薄膜在太阳能电池制备方面的优越性及其最新研究进展,总结了提高SiGe∶H薄膜太阳能电池效率的几种方法,着重介绍了叠层太阳能电池内部运行机理,分析了影响叠层太阳能电池转换效率的因素,最后对SiGe∶H薄膜材料在太阳能电池领域的应用前景以及一些亟待解决的问题进行了展望。
- 柯少颖王茺杨宇
- 关键词：太阳能电池光谱响应
- 锰氧化物薄膜激光能量计的信号读出电路系统研制
- 2009年
- 利用MS-51系列单片机,设计和研制了专用于基于钙钛矿锰氧化物薄膜激光感生热电电压效应的激光能量计的信号读出电路系统,采用三位发光二极管(LED)数码显示器记录激光能量/功率。使用出射波长为248nm和308nm准分子激光器测试表明:输出能量和LED记录结果存在较为优良的线性关系。
- 陈雪梅王茺唐利斌万锐敏宋立媛庄继胜杨宇
- 关键词：能量计单片机
- 渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计被引量：5
- 2014年
- 利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜太阳能电池的各项性能.计算结果表明:渐变带隙结构电池具有较高的开路电压(V oc)和较好的填充因子(FF),转换效率(E ff)比非渐变带隙电池提高了0.477%.研究了氢化非晶硅(a-Si:H)、氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)和氢化纳米晶硅(nc-Si:H)三种不同材料的窗口层对a-SiGe:H薄膜太阳能电池性能的影响.结果显示:在以nc-Si:H为窗口层的电池能带中,费米能级E F已经进入价带,使得窗口层电导率及电池开路电压有所提高,又由于ITO与p-nc-Si:H的接触势垒较低,使得接触处的电场降低,更有利于载流子的收集.另一方面,窗口层与a-SiGe:H薄膜之间存在较大的带隙差,在p/i界面由于能带补偿作用形成了价带势垒(带阶)?E v,阻碍了空穴的迁移,因此我们在p/i界面引入缓冲层,使得能带补偿作用得到释放,更有利于空穴的迁移和收集,得到优化后单结渐变带隙a-SiGe:H薄膜结构太阳能电池的转换效率达到了9.104%.
- 柯少颖王茺潘涛何鹏杨杰杨宇
- 关键词：太阳能电池
- 外延GaNAs薄膜价带分裂随温度变化的研究被引量：1
- 2010年
- 利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长了GaN0.01As0.99薄膜,然后使用光调制反射(PR)光谱研究了薄膜的光学性质和能带结构。PR光谱实验表明GaN0.01As0.99/GaAs薄膜价带在Γ点发生轻、重空穴分裂,且分裂的轻、重空穴带到导带边的2个跃迁峰随着温度的升高均发生红移。采用Varshni法则、Bose-Einstein关系和BAC模型分别对轻、重空穴的能隙分裂和红移特征进行了拟合。分析结果表明,随着温度的升高,Ga-NAs外延层与GaAs衬底间晶格失配的减少可能是导致应变能和价带分裂能量减少的主要因素。
- 陈雪梅唐利斌万锐敏王茺杨宇
- 关键词：温度
- 红外探测器集成OLED的光上转换器研究进展
- 2015年
- 红外探测器集成OLED的光上转换器不仅可以结合红外探测器(PD)和有机发光二极管(OLED)的优势,提高转换效率,降低生产成本,而且可以实现红外光信号到可见光影像的转换,有广阔的应用前景。阐述了PDOLED光上转换器的基本原理,综述了光上转换器的研究现状,分析了影响转换效率的主要因素,并对其中的一个重要因素——中间界面的常用结构和作用机理的最新研究成果进行了重要归纳,随后介绍了该类杂化器件在探测成像方面的应用进展,最后提出了PD-OLED光上转换器的发展方向并对其应用前景进行了展望。
- 李辉松邱锋王茺杨宇
- 关键词：红外探测器OLED
