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株式会社半导体能源研究所

作品数：9,255 被引量：0H指数：0
相关机构：夏普株式会社夏普公司TDK株式会社更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 9,255篇中文专利

领域

  • 547篇电子电信
  • 348篇自动化与计算...
  • 246篇电气工程
  • 129篇文化科学
  • 109篇理学
  • 55篇经济管理
  • 26篇一般工业技术
  • 19篇医药卫生
  • 15篇金属学及工艺
  • 6篇化学工程
  • 6篇机械工程
  • 4篇矿业工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 3,922篇半导体
  • 2,025篇发光
  • 1,704篇半导体装置
  • 1,697篇晶体管
  • 1,406篇半导体器件
  • 1,374篇光元件
  • 1,356篇发光元件
  • 1,321篇显示装置
  • 1,173篇氧化物
  • 915篇电路
  • 876篇导体
  • 850篇电极
  • 800篇化合物
  • 779篇氧化物半导体
  • 776篇绝缘
  • 760篇薄膜晶体
  • 759篇薄膜晶体管
  • 741篇显示器
  • 730篇半导体膜
  • 681篇绝缘膜

机构

  • 9,255篇株式会社半导...
  • 45篇夏普株式会社
  • 37篇夏普公司
  • 12篇TDK株式会...
  • 2篇高砂香料工业...
  • 2篇石川岛播磨重...

年份

  • 34篇2024
  • 472篇2023
  • 383篇2022
  • 405篇2021
  • 333篇2020
  • 293篇2019
  • 297篇2018
  • 364篇2017
  • 488篇2016
  • 475篇2015
  • 337篇2014
  • 439篇2013
  • 720篇2012
  • 467篇2011
  • 550篇2010
  • 625篇2009
  • 419篇2008
  • 489篇2007
  • 423篇2006
  • 318篇2005
共 9,255 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
显示器及其制造方法
本发明的目的是实现薄、低功耗、制造时能提高产量且能双面显示的显示器，这种显示器可用于像手机这种便携信息终端设备。包括第一基板1a和第二基板1b的液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器3001和反射型有源矩阵第二液晶显...
细谷邦雄
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半导体器件的制造方法
本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；通过用连续波激光束照射所述半导体薄膜使其结晶；在所述半导体薄膜中形成源区、漏区、LDD...
山崎舜平大谷久田中幸一郎笠原健司河崎律子
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显示装置
考虑到减小EL薄膜的厚度可能会引起阳极和阴极之间发生短路和晶体管出现故障。本发明提供一种显示装置，该装置具有：包括电极和电致发光层的发光元件；电连接到发光元件的电极的导线；包括具有源极、漏极和沟道形成区的有源层的晶体管；...
木村肇
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显示装置和电子设备
本发明提供一种显示装置和一种电子设备，在使用数字时间灰度级方法驱动的情况下，它可以减少功耗。根据本发明，所有像素都显示黑色的一行像素集中在布置于矩阵中的多个像素中，不执行将要输入到布置在该行中像素的数据的取样。然后，在不...
棚田好文尾崎匡史
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图象显示器设备及其驱动电路
一个为响应数字图象信号的输入而运作的图象显示器设备被提供,其中其信号线驱动电路的占用面积被减小,以及数字图象信号的输入传输线的寄生电容和电阻被减小。该设备既包括用于直接输入数字图象信号至移位寄存器以及用于实现串并变换的一...
小山润浅见宗广
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半导体装置及电子设备
提供一种功耗低的半导体装置。在具备设置于低电源电位一侧的第一晶体管及设置于高电源电位一侧的第二晶体管的共源共栅电路中，第二晶体管的栅极与第三晶体管的源极或漏极及电容连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的背栅极电连接。作为第...
池田隆之国武宽司木村肇马场晴之
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显示装置及电子设备
提供一种根据外光环境进行图像校正的显示装置。显示装置包括主机装置及光传感器。此外，显示装置包括处理电路。主机装置具有软件上进行使用神经网络的运算处理的功能以及以神经网络进行监督学习的功能。处理电路具有硬件上进行使用神经网...
黑川义元
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半导体装置的制造方法
本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的...
恵木勇司须泽英臣笹川慎也
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用于制造半导体装置的方法
本发明涉及用于制造半导体装置的方法。本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极...
秋元健吾津吹将志
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制造半导体器件的方法
制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点...
山崎舜平竹村保彦张宏勇高山彻鱼地秀贵
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