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东京电子株式会社

作品数:105 被引量:1H指数:1
相关机构:株式会社富士金东京电子亚利桑那公司更多>>
相关领域:电子电信交通运输工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 104篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 37篇等离子体
  • 20篇等离子
  • 19篇等离子体处理
  • 12篇电路
  • 11篇半导体
  • 10篇静电
  • 9篇晶片
  • 8篇氮化
  • 8篇等离子体密度
  • 8篇等离子体源
  • 8篇蚀刻
  • 8篇前体
  • 8篇静电屏蔽
  • 7篇半导体晶片
  • 6篇氮化物
  • 6篇等离子体辅助
  • 6篇等离子体蚀刻
  • 6篇电弧
  • 6篇电子密度
  • 6篇磁场

机构

  • 105篇东京电子株式...
  • 3篇株式会社富士...
  • 2篇东京电子亚利...

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 8篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 22篇2005
  • 18篇2004
  • 9篇2003
  • 14篇2002
  • 6篇2001
  • 7篇2000
  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1994
105 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于将来自基底的热量传递给卡盘的方法和设备
一种用于在对基底加工期间支撑基底(W)的方法和卡盘设备(50,150,300),其中所述基底具有以下表面(W<Sub>L</Sub>)。所述设备有利于在基底的加工期间从基底中传递出热量。该设备包括一卡盘本体(60),它具...
安德列·米特罗维克柳连俊
文献传递
干燥处理方法及其装置
本发明的干燥处理装置向用于容纳半导体晶片的处理室内供给干燥气体,以干燥半导体晶片,该干燥处理装置设有加热载运气体的加热器32、利用由加热器32加热的N<Sub>2</Sub>气体来使IPA变成雾状并生成经过加热的IPA气...
小美野光明内泽修
文献传递
用于在等离子体加工系统中电弧抑制的方法和系统
本发明涉及一种用于等离子体加工的电弧抑制系统,其包括至少一个耦合到等离子体加工系统上的传感器,和耦合到至少一个传感器上的控制器。该控制器提供至少一种算法用于确定和衬底接触的等离子体的状态并控制等离子体加工系统抑制电弧放电...
保罗·茅罗兹埃里克·斯特朗
文献传递
用于等离子处理的装置和方法
一种等离子处理系统,包括处理室、设置在处理室内的基片架和设置成向处理室供给第一气体和第二气体的气体注入系统。该等离子处理系统还包括控制器,该控制器控制气体注入系统向处理室持续地流动第一气体流,并在第一时间向处理室脉冲第二...
埃里克·J·斯特朗
文献传递
高清洁高温阀
提供一种高清洁高温阀,使用该阀可以提高其作为阀装置使用的使用环境的泛用性。该阀具备有:在可滑动地支撑着阀轴(12)的阀盖(20)上连结着阀驱动部(30)和阀箱(40),一端位于由上盖(32)及下盖(33)的两端关闭而形成...
千叶康广山本康平高田宽小泉康太八木靖司渡边伸吾小野裕司金子裕是长谷川孝祐
文献传递
用于动态传感器配置和运行时间执行的方法和设备
本发明提供一种图形用户接口(GUI),用于配置和设置在半导体处理系统中用于监视工具和处理性能的动态传感器。所述半导体处理系统包括许多处理工具、许多处理模块(室)和许多传感器。图形显示被这样组织,以使得所有的重要参数被清楚...
莫瑞特·芬克
文献传递
用于截头圆锥形溅射靶的高靶利用率磁性装置
磁控管溅射涂敷系统具有磁控管阴极(20),该阴极包括截头圆锥形靶(25),该靶具有锥形磁体组件(30),该磁体组件在靶(25)未侵蚀时在主磁力隧道下方在靶(25)的中间半径或中心线处产生最高的侵蚀率,且随着靶的侵蚀,最高...
德尔克·安德鲁·罗素
文献传递
监控处理室中薄膜沉积的方法及设备
一种在处理室中监控室壁上薄膜沉积的设备。该设备包括提供在室壁上的表面声波器件。启动表面声波器件,产生共振频率,并且检测所产生的共振频率,确定是否达到室壁上薄膜的临界厚度,其中共振频率的降低量与室壁薄膜的厚度成正比。当检测...
吉姆·N·弗德沃尔特埃里克·J·斯特朗史蒂文·T·芬克
文献传递
除去光刻胶和蚀刻残渣的方法
提供等离子体灰化的方法,以除去在介电层的前一等离子体蚀刻过程中形成的光刻胶残余物和蚀刻残渣。灰化方法使用牵涉两步的等离子体工艺和含氧气体,其中在第一清洗步骤中向基片施加低或零偏压,从基片上除去大量光刻胶残余物和蚀刻残渣,...
V·巴拉苏布拉马尼亚姆M·萩原E·西村K·稻泽
文献传递
自钽卤化物前体获得整体式的钽和钽氮化物膜的化学气相沉积方法
描述了一种从无机五卤化钽(TaX<Sub>5</Sub>)前体和氮气中沉积形成高质量的保形钽/钽氮化物(Ta/TaNx)双层膜的化学气相沉积(CVD)法。该无机钽卤化物前体是五氟化钽(TaF<Sub>5</Sub>),五...
约翰·J·豪塔拉约翰内斯·F·M·韦斯滕多普
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共11页<12345678910>
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