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株式会社FLOSFIA

作品数：122 被引量：0H指数：0
相关机构：国立大学法人京都大学国立研究开发法人物质·材料研究机构株式会社电装更多>>
相关领域：经济管理电子电信文化科学化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 122篇中文专利

领域

  • 13篇经济管理
  • 9篇电子电信
  • 6篇化学工程
  • 6篇文化科学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 100篇半导体
  • 89篇半导体装置
  • 60篇氧化物
  • 45篇刚玉
  • 38篇导体
  • 32篇半导体膜
  • 26篇氧化物半导体
  • 26篇金属
  • 21篇膜厚
  • 20篇功率器件
  • 18篇基板
  • 14篇耐压性
  • 12篇氧化镓
  • 12篇载气
  • 12篇肖特基
  • 11篇热反应
  • 11篇半导体元件
  • 9篇导电性
  • 9篇金属氧化物
  • 8篇电极

机构

  • 122篇株式会社FL...
  • 8篇国立大学法人...
  • 7篇国立研究开发...
  • 5篇株式会社电装
  • 3篇三菱重工业株...
  • 3篇国立大学法人...

年份

  • 24篇2024
  • 16篇2023
  • 29篇2022
  • 14篇2021
  • 24篇2020
  • 12篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 122 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置
本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以...
人罗俊实织田真也
文献传递
p型氧化物半导体膜及其形成方法
提供一种能够有用于工业且半导体特性优良的p型氧化物半导体膜；以及其形成方法。使用金属氧化物(例如氧化铱)的气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体(例如蓝宝石基板等)上进行结晶成长，直至膜厚为50nm以上。由此，形成具有金...
高桥勋松田时宜四户孝
文献传递
半导体装置
本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期...
织田真也德田梨绘神原仁志河原克明人罗俊实
文献传递
蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法
本发明涉及蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法。本发明提供了一种能够在工业上有利地对对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法。本发明涉及一种蚀刻处理方法，使用蚀刻液对对象物(例如α‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
高桥勋
文献传递
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置
本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜...
人罗俊实织田真也高塚章夫
结晶性层叠结构体，半导体装置
本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄...
人罗俊实织田真也
文献传递
半导体装置
提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种...
松田时宜 杉本雅裕 四户孝
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置
本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜...
人罗俊实织田真也高塚章夫
文献传递
半导体装置或结晶
本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥...
金子健太郎人罗俊实平尾孝
文献传递
半导体装置、电力转换装置及控制系统
本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及...
冲川满奥井富士雄樋口安史雨堤耕史柴田英高加藤勇次寺井睦
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