国立大学法人茨城大学
- 作品数：22 被引量：17H指数：3
- 相关作者：小松崎将一更多>>
- 相关机构：JX金属株式会社山东科技大学株式会社电装更多>>
- 相关领域：农业科学理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 覆盖作物及耕作方法对土壤丝状真菌生物量的影响被引量：3
- 2009年
- 以日本国立大学法人茨城大学农学部田间科学教育研究中心附属农场为研究对象,在不同季节（2004年5月、10月和2005年5月、10月）对农田采取旋耕、梨耕和免耕处理,并在每一耕作处理区分别种植黑麦（Secale cereale L.）、毛野豌豆（Vicia villosa Roth）和杂草（休闲处理对照区）,来研究覆盖作物及耕作方法对土壤中真菌生物量的影响效果。结果表明,在免耕处理区,覆盖黑麦、毛野豌豆和杂草的土壤表层（0-10cm）中,其真菌的生物量均分别高于相应覆盖物的深层土壤（10-30cm）中真菌的生物量,并且覆盖黑麦的土壤表层中真菌的生物量比覆盖毛野豌豆的高很多,在2004年5月和10月测得的土壤表层中,覆盖黑麦的真菌生物量分别是覆盖毛野豌豆的1.2和1.8倍,在2005年5月和10月,分别是1.6和1.2倍。对旋耕和梨耕处理区,在不同深度的土层和覆盖物的条件下,真菌生物量均没有明显变化。从上述结果,不同的耕作方式和覆盖不同的作物都会影响土壤中真菌的生物量,并且,免耕和覆盖黑麦相结合,对土壤表层中的真菌生物量影响最为显著。另外,在不同的土壤层之间,表层中的真菌生物量要高于深层土壤。
- 昭日格图陆洪省李桂江小松崎将一太田宽行
- 关键词：覆盖作物耕作方法
- 电力转换设备
- 一种电力转换设备，至少在第一装置、第二装置与第三装置之间进行电力转换。电力转换设备包括初级转换器，上述初级转换器构造成在第一装置与第二装置之间进行电力转换。初级转换器包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关和电容器。第...
- 居安诚二林裕二鹈野将年
- 文献传递
- Al-Mg-Si系铝合金的铸造热加工品及其制造方法
- 本发明提供能够抑制在高湿度中以一定载荷施加拉伸负荷时的裂纹扩展的Al‑Mg‑Si系的铝合金的铸造热加工品及其制造方法。该铸造热加工品是Al‑Mg‑Si系铝合金的铸造热加工品，上述铝合金含有Si和Cu，上述Si的质量％与上...
- 逢坂崇谷野仁伊藤吾朗仓本繁
- Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体、Mg<Sub>2</Sub>Si单晶基板、红外线受光元件以及Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体的制造方法
- 本发明提供一种良好地抑制了晶体内的小角度晶界的产生的Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体。本发明是一种Mg<Sub>2</Sub>Si单晶体，其通过XRD测定出的晶体取向的偏差在±0.020°的范围内。
- 鹈殿治彦
- 光电二极管以及光感应设备
- 一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提...
- 鹈殿治彦朝日聪明
- 文献传递
- Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置和制造方法
- 提供廉价的Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg<...
- 鹈殿治彦水户洋彦
- 文献传递
- 植物的培养土、包含培养土的栽培套件、使用培养土的栽培方法以及带培养土的植物的苗
- 本申请涉及一种植物的培养土，其包含：Cladophialophora属的菌类、以及土壤，其为強酸性的有机栽培土壤、強酸性的惯用栽培土壤和弱酸性～中性的有机栽培土壤中的任一种，或者，一种植物的培养土，其包含：Exophia...
- 成泽一彦H·维维克
- 线栅装置
- 用一个元件简易地实现在太赫兹波带中用强度透射率表示的约10<Sup>-6</Sup>等级的消光比。通过层叠多片由矩形聚合物薄膜(11)构成的薄膜基板(10)而构成，所述矩形聚合物薄膜(11)在一个面的大致中央形成有细长矩...
- 铃木健仁
- 文献传递
- Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置和制造方法
- 提供廉价的Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg<...
- 鹈殿治彦水户洋彦
- 文献传递
- 光电二极管以及光感应设备
- 一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提...
- 鹈殿治彦朝日聪明
