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财团法人国际科学振兴财团

作品数：31 被引量：0H指数：0
相关机构：国立大学法人东北大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 31篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 24篇半导体
  • 20篇半导体装置
  • 9篇晶体管
  • 8篇绝缘膜
  • 8篇基板
  • 6篇介电
  • 6篇沟道
  • 5篇膜厚
  • 5篇布线
  • 5篇布线结构
  • 4篇栅极
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘层
  • 4篇半导体器件
  • 3篇电流
  • 3篇电流控制
  • 3篇电流控制型
  • 3篇电源电压
  • 3篇有效介电常数
  • 3篇阈值电压

机构

  • 31篇财团法人国际...
  • 28篇国立大学法人...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 10篇2011
  • 3篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体装置
在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制...
大见忠弘寺本章伸黑田理人
文献传递
半导体装置以及多层布线基板
本发明的半导体装置以及多层布线基板中，在多层布线结构所包含的第一布线层与第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的气体或者绝缘物。在第一布线层中的布线与第二布线层中的布线之间设置导电连接体，在第一布线层中的规定的布...
大见忠弘
文献传递
半导体装置
在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10<Sup>-11</Sup>Ωcm<Sup>2<...
大见忠弘寺本章伸黑田理人
文献传递
半导体装置
本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。
大见忠弘寺本章伸程炜涛
文献传递
层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法
提供一种低介电常数且不会产生CF<Sub>x</Sub>、SiF<Sub>4</Sub>等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效...
大见忠弘
文献传递
半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法
本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理，则可以减低表面微粗糙度的增...
大见忠弘森永均
文献传递
层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法
提供一种低介电常数且不会产生CF<Sub>x</Sub>、SiF<Sub>4</Sub>等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效...
大见忠弘
文献传递
半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法
本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理，则可以减低表面微粗糙度的增...
大见忠弘森永均
层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法
提供一种低介电常数且不会产生CF<Sub>x</Sub>、SiF<Sub>4</Sub>等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效...
大见忠弘
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半导体器件
为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三...
大见忠弘寺本章伸渡边一史
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