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NGK陶瓷设备株式会社

作品数：9 被引量：0H指数：0
相关机构：日本碍子株式会社更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇压电
  • 5篇基板
  • 4篇支承
  • 4篇钽酸锂
  • 4篇铌酸锂
  • 2篇虚设
  • 2篇粘贴
  • 2篇制法
  • 2篇生坯
  • 2篇蚀刻
  • 2篇速率
  • 2篇强酸
  • 2篇芯片
  • 2篇离子束
  • 2篇面部
  • 2篇极化
  • 1篇硅

机构

  • 9篇日本碍子株式...
  • 9篇NGK陶瓷设...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2016
  • 3篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
复合基板
本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第...
多井知义岩崎康范堀裕二山寺乔纮服部良祐铃木健吾
文献传递
芯片部件的制造方法
提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体...
小熊勇绪方孝友舟桥茂太田英武
复合基板及其制造方法
复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b...
多井知义堀裕二山寺乔纮服部良祐铃木健吾
文献传递
复合基板及其制法
本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层...
堀裕二多井知义岩崎康范山寺乔纮服部良祐铃木健吾
文献传递
复合基板及其制法
本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层...
堀裕二多井知义岩崎康范山寺乔纮服部良祐铃木健吾
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复合基板
本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第...
多井知义岩崎康范堀裕二山寺乔纮服部良祐铃木健吾
文献传递
芯片部件的制造方法
提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体...
小熊勇绪方孝友舟桥茂太田英武
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复合基板及其制造方法
复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b...
多井知义堀裕二山寺乔纮服部良祐铃木健吾
复合基板
本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板...
山寺乔纮堀裕二多井知义服部良祐铃木健吾
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