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科发伦材料株式会社

作品数：47 被引量：6H指数：2
相关机构：东京毅力科创株式会社厦门大学芝浦机械电子株式会社更多>>
相关领域：理学环境科学与工程化学工程建筑科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 41篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学

主题

  • 10篇晶片
  • 10篇硅晶
  • 10篇硅晶片
  • 8篇烧结体
  • 6篇单晶
  • 6篇加热器
  • 6篇发热体
  • 5篇单晶硅
  • 5篇气孔率
  • 5篇坩埚
  • 5篇绝热材料
  • 4篇等离子体
  • 4篇电源
  • 4篇电源端子
  • 4篇氧化钇
  • 4篇尖晶石
  • 4篇光催化
  • 4篇硅
  • 4篇催化
  • 4篇TIO2

机构

  • 47篇科发伦材料株...
  • 7篇东京毅力科创...
  • 6篇厦门大学
  • 3篇芝浦机械电子...
  • 1篇株式会社东芝

作者

  • 6篇周忠华
  • 3篇孟彦超
  • 3篇吴玉萍
  • 1篇王笛

传媒

  • 2篇无机化学学报
  • 1篇陶瓷
  • 1篇2009第八...
  • 1篇2009全国...
  • 1篇2009中国...

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 8篇2012
  • 4篇2011
  • 9篇2010
  • 11篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂
本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiO<Sub>x</Sub>...
大桥忠梅本净二郎一木豪
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波长转换煅烧体
本发明提供一种可抑制经波长转换的出射光的颜色不均匀，并且具有优异的发光效率，可抑制机械强度的降低的波长转换煅烧体。波长转换煅烧体1是一个主面为光的入射面2且与所述入射面2相反侧的主面为光的出射面3的板状体，所述板状体由以...
入江正树
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碳纤维补强碳复合材料坩埚以及该坩埚的制造方法
本发明提供碳纤维补强碳复合材料坩埚，其是在制造半导体材料或太阳电池材料等的单晶或多晶的装置中用于支撑、保持收纳溶融材料的坩埚而使用的碳纤维补强碳复合材料坩埚，在其底部弯曲部去除了褶皱或搭接的段差部分，耐久性提高。碳纤维补...
吉光大志外谷荣一大川雅行森隆员津岛荣树
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硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法
本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T...
矶贝宏道仙田刚士丰田英二村山久美子泉妻宏治前田进鹿岛一日児荒木浩司青木竜彦须藤治生望月阳一郎小林昭彦符森林
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深度净化水处理应用领域的TiO2光催化材料的现状和问题
TiO2光催化材料,由于价廉、供应渠道多、性能高以及具备通过长期社会验证得到认可的安全性,在水净化/大气净化的工业规模工程化应用中具有重大潜力。针对饮用水亟待解决的微囊藻毒素、氯消毒副产物以及内分泌干扰物等3方面对人体有...
黄悦周忠华吴玉萍孟彦超
关键词：TIO2光催化材料水处理微囊藻毒素氯消毒副产物内分泌干扰物
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硅晶片的制造方法
在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol....
矶贝宏道仙田刚士丰田英二村山久美子泉妻宏治前田进鹿岛一日児
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绝热材料
本发明涉及包含MgAl<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>的多孔烧结体且1000℃以上的高温下的绝热性优异的绝热材料。本发明提供即使为1500℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且17...
赤岭宗子藤田光广
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面状加热器
本发明涉及一种面状加热器(1)，其中供给电力的电源端子部(108)设置在石英玻璃板状体(102)的下表面中央部，上述电源端子部具备：收容对碳丝发热体供给电力的连接线的小直径的石英玻璃管(105a、106a)以及收容小直径...
岛贯和彦林大辅
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硅晶片的制造方法
在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol....
矶贝宏道仙田刚士丰田英二村山久美子泉妻宏治前田进鹿岛一日児
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单晶硅的提拉方法
本发明提供一种单晶硅的提拉方法，该方法在使用切克劳斯基法的单晶硅的生长中，可以将颈径的变化率抑制在规定的范围内，且在早期排除颈中的位错。将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种...
南俊郎
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