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北京芯可鉴科技有限公司

作品数：345 被引量：4H指数：1
相关机构：北京智芯微电子科技有限公司国网信息通信产业集团有限公司国家电网有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作机构

文献类型

  • 326篇专利
  • 15篇标准
  • 4篇期刊文章

领域

  • 113篇电子电信
  • 54篇自动化与计算...
  • 19篇电气工程
  • 11篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 131篇芯片
  • 85篇电路
  • 44篇漂移区
  • 37篇半导体
  • 34篇场板
  • 26篇导电类型
  • 26篇电阻
  • 25篇导通
  • 22篇FET器件
  • 21篇集成电路
  • 21篇LDMOS
  • 20篇信号
  • 18篇电磁
  • 18篇击穿电压
  • 17篇极区
  • 15篇芯片测试
  • 15篇LDMOS器...
  • 12篇漏极
  • 12篇刻蚀
  • 11篇源区

机构

  • 345篇北京芯可鉴科...
  • 337篇北京智芯微电...
  • 86篇国网信息通信...
  • 44篇国家电网有限...
  • 27篇北京航空航天...
  • 14篇西安电子科技...
  • 13篇国网福建省电...
  • 12篇中国电子技术...
  • 9篇国网江苏省电...
  • 8篇国网思极紫光...
  • 7篇中国科学院
  • 6篇复旦大学
  • 6篇信息产业部电...
  • 6篇国网宁夏电力...
  • 5篇清华大学
  • 5篇中国家用电器...
  • 5篇中国汽车工程...
  • 5篇扬芯科技(深...
  • 5篇浙江诺益科技...
  • 5篇广州市诚臻电...

作者

  • 3篇曹国顺
  • 2篇李锟
  • 2篇张海峰
  • 2篇戴飞
  • 2篇李振荣
  • 2篇刘芳
  • 2篇刘芳
  • 2篇张涛
  • 1篇李楠
  • 1篇崔强
  • 1篇罗晓羽
  • 1篇刘佳
  • 1篇李金龙
  • 1篇刘芳
  • 1篇刘红侠
  • 1篇陈燕宁
  • 1篇杨睿
  • 1篇高杰
  • 1篇白云

传媒

  • 2篇集成电路与嵌...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇市场监督管理

年份

  • 26篇2024
  • 102篇2023
  • 175篇2022
  • 39篇2021
  • 3篇2020
共 345 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备
本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环...
朱亚星赵东艳戴飞陈燕宁刘芳吴波王柏清王凯宋斌斌连亚军
LDMOS晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOS晶体管及其制造方法。所述LDMOS晶体管包括衬底、P型体区、N型漂移区、N型高压阱区、位于P型体区的源极、位于N型漂移区的漏极、栅极以及浅槽隔离区，所述N型漂移区设置有P型掺杂区，...
余山赵东艳陈燕宁付振刘芳王帅鹏王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文张同
AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法
本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之...
赵东艳王于波陈燕宁邵瑾刘芳付振段宝兴李秀伟李腾浩钟明琛马俊超李明哲杨银堂
横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯...
陈燕宁余山付振刘芳王凯吴波邓永峰郁文邵亚利沈美根张东
串口自适应电路、电子设备和电路板
本发明提供一种串口自适应电路、电子设备和电路板，属于RS‑232通讯串口领域。所述串口自适应电路包括：电平转换模块、对称型电阻网络模块和RS‑232接口；电平转换模块用于实现两路TTL电平串口信号与两路RS‑232负逻辑...
符艳军潘成郑利斌付振王帅鹏马媛
LDMOS器件、制备方法及芯片
本发明提供一种LDMOS器件、制备方法及芯片。该器件包括：半导体衬底、栅极结构、源极区、漏极区、体区以及漂移区，栅极结构包括二氧化硅层、高K金属氧化物层和金属电极层，二氧化硅层形成在半导体衬底的上方，高K金属氧化物层形成...
赵东艳王于波郁文陈燕宁刘芳付振余山吴波王帅鹏刘倩倩
用于变更数据库表的表结构的方法和装置
本发明涉及芯片领域，尤其涉及生产过程数据信息化领域，公开了一种用于变更数据库表的表结构的方法和装置。该方法包括：根据变更操作和变更事项修改预设数据库字段表和/或预设数据内容表；基于待变更数据类型标识，从预设数据库字段表和...
梁英宗陈燕宁邵亚利靳梅阳倪芳王立城赵扬刘芳付振
人工电磁超表面及其制作方法
本发明实施例提供一种人工电磁超表面，用于生成贝塞尔涡旋波束，属于微波段电磁波调控技术领域。所述人工电磁超表面由多个均匀布置的柱状介质基础单元构成；其中，各介质基础单元的尺寸信息由预设工作场景信息决定；各介质基础单元的工作...
赵东艳王于波陈燕宁邵瑾赵扬付振张永华庞振江王立城成睿琦梁冰洋周远国任强
文献传递
平面版图三维建模方法和芯片仿真方法
本申请公开了一种平面版图三维建模方法和芯片仿真方法，属于芯片技术领域。所述建模方法包括：获取芯片的平面版图文件以及芯片流片的掩膜版图信息；基于所述掩膜版图信息，确定所述平面版图文件中所述芯片各层对应的结构层配置信息；基于...
梁英宗赵东艳陈燕宁刘芳邵亚利沈美根解尧明李东镁
类脑计算芯片和数据处理终端
本发明实施例提供一种类脑计算芯片和数据处理终端，属于芯片技术领域。所述类脑计算芯片包括类脑计算阵列，用于类脑计算任务的数据处理，所述类脑计算阵列包括多个脉冲神经处理单元，所述多个脉冲神经处理单元呈阵列分布，所述多个脉冲神...
赵东艳潘成付振邵瑾陈燕宁潘彪张鹏庞振江王文赫
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