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上海旦宇传感器科技有限公司

作品数：11 被引量：0H指数：0
相关机构：新会康宇测控仪器仪表工程有限公司广东和宇传感器有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇应变计
  • 3篇电阻
  • 3篇失调电压
  • 3篇芯片
  • 3篇绝缘膜
  • 3篇基片
  • 3篇硅基
  • 3篇硅基片
  • 3篇硅芯片
  • 3篇感器
  • 3篇背腔
  • 3篇DSOI
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇单片
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅材料
  • 2篇引线
  • 2篇内引线

机构

  • 11篇上海旦宇传感...
  • 7篇新会康宇测控...
  • 4篇广东和宇传感...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种单片硅基微压传感器及其制作方法
本发明公开了一种单片硅基微压传感器及其制作方法，通过在硅基片之中的腐蚀坑之中，制作背岛结构，而在背岛结构之中，包括有用于稳定测量的背岛，相对于常见的厚度为400微米左右的微压传感器，本发明的背岛的体积很小，而且背岛底面与...
沈绍群罗小勇阮炳权
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一种SOI压力应变计及其制作方法
本发明公开了一种SOI压力应变计及其制作方法，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能...
沈绍群罗小勇梁栋汉阮炳权
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一种DSOI应变计及其制作方法
本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬...
沈绍群罗小勇梁栋汉
一种DSOI应变计及其制作方法
本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬...
沈绍群罗小勇梁栋汉
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高过载背压式绝压传感器模块
本实用新型公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外...
沈绍群罗小勇
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高过载背压式绝压传感器模块及其制造工艺
本发明公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝...
沈绍群罗小勇
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一种SOI压力应变计
本实用新型公开了一种SOI压力应变计，所述应变计的硅衬底为单晶硅或多晶硅材料，在硅衬底表面形成二氧化硅绝缘薄膜，在绝缘薄膜表面再形成单晶硅或多晶硅薄膜作为力敏电阻制作材料，通过半导体平面工艺形成2个或4个电学性能完全绝缘...
沈绍群罗小勇梁栋汉阮炳权
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压力传感器的硅芯片结构总成
本实用新型公开了压力传感器的硅芯片结构总成，包括硅芯片，所述硅芯片上设置有硅弹性膜区，在该硅弹性膜区上设置有四个压敏电阻构成惠斯顿电桥，所述硅芯片上连接有金属基座，所述金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片上对应...
沈绍群罗小勇
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一种DSOI应变计
本实用新型公开了一种DSOI应变计，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部...
沈绍群罗小勇梁栋汉
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新型表压传感器及其制作方法
本发明公开了一种新型表压传感器及其制作方法，通过在硅基片之上层叠设置膜岛结构，而膜岛结构包括弹性硅膜和设置于弹性硅膜之上的岛区，因此岛区会处于硅片主体的表面，从而免去了传统的设置于硅基片背面的大背岛结构，使得岛区不再受到...
沈绍群罗小勇阮炳权
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