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拉姆研究公司

作品数：108 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 108篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 51篇晶片
  • 20篇半导体
  • 14篇等离子体
  • 14篇基板
  • 14篇半导体晶片
  • 11篇流体
  • 10篇刻蚀
  • 8篇淀积
  • 8篇研磨
  • 8篇化学机械研磨
  • 7篇衬底
  • 6篇等离子体处理
  • 6篇等离子体密度
  • 6篇刷子
  • 6篇离子能量
  • 6篇感器
  • 6篇出口
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇等离子体刻蚀

机构

  • 108篇拉姆研究公司
  • 2篇格罗方德半导...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 6篇2009
  • 9篇2008
  • 12篇2007
  • 12篇2006
  • 25篇2005
  • 18篇2004
  • 9篇2003
  • 9篇2002
  • 2篇2001
共 108 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
摆动的固定研磨料化学机械研磨系统及其实现方法
本发明提供了一种化学机械研磨(CMP)设备。第一滚筒是位在第一点上且第二滚筒位在第二点上，并使所述第一点与所述第二点分开。还包括研磨垫带，在卷筒操作配置中，其具有固设于所述第一滚筒的第一端部及固设于所述第二滚筒的第二端部...
米格尔·A·萨尔达尼亚亚历山大·A·奥夫恰兹
文献传递
用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备
用于在旋转干燥操作期间监测半导体晶片的方法和设备。在一种用于在旋转处理操作期间监测半导体晶片的方法中，当晶片被旋转时测量在电容传感器(124)和晶片(116)之间的电容值。当确定测量的电容值达到希望的(如基本恒定)水平时...
伦道夫·E·特勒
文献传递
晶片制备系统、晶片制备方法以及晶片洗涤和干燥装置
提供了用于晶片制备的晶片制备系统和方法。晶片制备系统包括一洗涤单元和一垂直设置于洗涤单元上方的干燥单元。洗涤单元接收一晶片以进行机械性洗涤清理，在机械性洗涤清洗后干燥单元从洗涤单元接收该晶片。在晶片为垂直取向的情况下完成...
大卫·T·弗罗斯特奥利弗·戴维·琼斯
文献传递
用于对光谱反射计光信号进行电子空间滤波的方法和系统
一种用于确定对半导体晶片进行等离子处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：提供光源；和提供用于对来自该光源的光进行准直并使其对准半导体晶片的活性表面。多条光检测器光纤交织在多条光源光纤间，这些光源光纤将光从光源传输到透镜系...
安德鲁·佩里
文献传递
使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
一种用于使用一个提供高瞬时功率脉冲和具有宽光谱宽度的脉冲闪光灯、原位监测薄膜厚度以及刻蚀或淀积速率的干涉测量方法和装置。闪光灯与用于检测从一晶片反射的光的光谱摄制仪之间的光路实质上对于光谱的紫外线区是可透射的。利用软件算...
安德鲁·佩里兰德尔·S·蒙特
文献传递
红外线终点检测系统
提供了用于实现处理状态和基板表面组分的红外线检测的化学机械平面化系统和方法。在一个例子中，化学机械平面化系统包括用于保持和旋转一个基板的基板夹盘，安装在制备载体上的制备头，和安装在修整载体上的修整头。制备头被配置为压靠该...
耶海尔·哥特科斯罗德尼·凯斯特勒
文献传递
用于在等离子体刻蚀室中刻蚀晶片的方法
提供了一种用于在宽范围内控制偏压和用于对双射频电流进行去耦以允许独立地控制用于处理基板的等离子体的等离子体密度和离子能量的方法和设备。示例性的设备提供了等离子体处理室，该等离子体处理室包括被配置得保持一基板的底部电极和连...
安德瑞斯·费舍尔
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控制单晶片清洗系统的电化腐蚀效应的设备和方法
提供了一种控制单晶片清洗系统的电化腐蚀作用的设备及方法。在一个实施例中，提供了一种单晶片清洗系统中将电化腐蚀效应减至最小的方法。此方法首先在晶片表面上施用含有腐蚀抑制剂的清洗化学制剂。而后，将晶片表面暴露于清洗化学制剂一...
约翰·M·博伊德麦克·拉夫金卡特里娜·A·米哈里奇
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用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
一种用以蚀刻位于半导体器件上的碳掺杂有机硅酸盐玻璃(OSG)绝缘层的方法。如文中所揭示的,本方法包含在处理室中导入一衬底,衬底上具有一碳掺杂有机硅酸盐玻璃绝缘层和一上覆的掩模层且掩模层中有一孔洞。然后在处理室中从一氧化气...
倪图强南希·特兰
文献传递
感应耦合等离子体腐蚀装置
一种感应耦合等离子体腐蚀装置包括室(100)和用于密封该室的顶部开口的窗口(10)。窗口(10)具有暴露到室(100)内部区域的内表面。起法拉第屏蔽作用的金属板(217)设置在窗口(10)上方并与窗口(10)有一定的间距...
中嵨州
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