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先进技术材料公司

作品数：7 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 5篇衬底
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇气相沉积
  • 3篇扩散
  • 2篇电极
  • 2篇淀积
  • 2篇选择性
  • 2篇氧化物
  • 2篇阻挡层
  • 2篇金属
  • 2篇铋
  • 1篇氧化钽
  • 1篇氧化铋
  • 1篇氧化锶
  • 1篇铁电性
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇迁移
  • 1篇离子

机构

  • 7篇先进技术材料...
  • 5篇因芬尼昂技术...
  • 2篇西门子股份公...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2002
  • 1篇2001
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化
通过特别选择组分和/或淀积参数，减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层，防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。
F·S·欣特迈尔J·F·雷德B·C·亨德里克斯D·A·德斯罗切尔斯T·H·鲍姆
文献传递
选择性沉积铋基铁电薄膜的方法
本申请叙述一种通过选择性化学气相沉积在衬底上选择性沉积铋基铁电膜的方法。沉积过程的选择性是通过选择衬底－母体的组合得到的,与特定的工艺参数组合,能确保在某些区域的高铋沉积率和在另一些区域的低铋沉积率。
F·欣特迈尔B·亨德里克斯J·R·勒德P·范布斯基尔克T·H·鲍姆
文献传递
减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化
通过特别选择组分和/或淀积参数,减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层,防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。
F·S·欣特迈尔J·F·雷德B·C·亨德里克斯D·A·德斯罗切尔斯T·H·鲍姆
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用化学气相沉积法由烷氧化铋制备铁电薄膜
化学气相沉积被用来在加热的底物上通过分解一些氧化物的前体而在该底物表面上形成氧化铋、氧化锶和氧化钽的薄膜。氧化铋的前体是一种铋的络合物，它包含至少一个烷氧基并且可在低于450℃的温度条件下分解和沉积。用低温CVD方法获得...
F·S·欣特迈尔P·C·范布斯基尔克J·F·雷德尔B·C·亨德里克斯T·H·鲍姆D·A·德斯罗彻尔斯克里斯托斯
文献传递
具有结晶学结构的Bi－基氧化物陶瓷膜
一种非易失性存储器,其中电容器包括具有结晶学结构的Bi－基金属氧化物,以产生可换向的高极化作用。
D·A·德斯洛切斯B·C·亨德里克斯J·F·雷德F·S·欣特迈尔
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减少移动离子从金属氧化物陶瓷向衬底的扩散
提供一种清除层,以防止过量移动物质从例如钽酸锶铋(SBT)等金属氧化物陶瓷扩散到不希望的器件区。在金属氧化物陶瓷上提供清除层,例如Ti或过渡金属或它们的氧化物。在过量移动物质从金属氧化物陶瓷中扩散出来时,它向着清除层迁移...
F·S·欣特迈尔T·H·鲍姆J·F·雷德B·C·亨德里克斯D·A·德斯罗切斯
文献传递
选择性沉积铋基铁电薄膜的方法
本申请叙述一种通过选择性化学气相沉积在衬底上选择性沉积铋基铁电膜的方法。沉积过程的选择性是通过选择衬底-母体的组合得到的，与特定的工艺参数组合，能确保在某些区域的高铋沉积率和在另一些区域的低铋沉积率。
F·欣特迈尔B·亨德里克斯J·R·勒德P·范布斯基尔克T·H·鲍姆
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