您的位置： 专家智库 > >

中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

作品数：405 被引量：33H指数：3
相关机构：成都森未科技有限公司中国振华电子集团有限公司贵州大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理金属学及工艺更多>>

合作机构

文献类型

  • 372篇专利
  • 28篇期刊文章

领域

  • 85篇电子电信
  • 44篇自动化与计算...
  • 17篇经济管理
  • 17篇金属学及工艺
  • 8篇化学工程
  • 8篇电气工程
  • 4篇文化科学
  • 2篇社会学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇政治法律
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 109篇二极管
  • 94篇封装
  • 59篇芯片
  • 51篇管芯
  • 38篇电路
  • 34篇电极
  • 30篇半导体
  • 28篇键合
  • 28篇玻璃钝化
  • 26篇封装结构
  • 23篇陶瓷
  • 21篇引线
  • 21篇整流
  • 21篇光电耦合
  • 20篇耦合器
  • 20篇晶体管
  • 20篇光电耦合器
  • 19篇夹具
  • 17篇金属
  • 13篇电流

机构

  • 400篇中国振华集团...
  • 4篇成都森未科技...
  • 3篇中国振华电子...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇中国电建集团...

作者

  • 1篇梅益
  • 1篇孙全龙
  • 1篇张国浩
  • 1篇刘闯

传媒

  • 2篇河南科技
  • 2篇办公室业务
  • 2篇城市情报
  • 2篇今日自动化
  • 1篇电子测试
  • 1篇江苏科技信息
  • 1篇塑料工业
  • 1篇知识经济
  • 1篇兰台内外
  • 1篇城建档案
  • 1篇经济管理文摘
  • 1篇商讯（商业经...
  • 1篇无线互联科技
  • 1篇科技风
  • 1篇中小企业管理...
  • 1篇财会学习
  • 1篇时代人物
  • 1篇今商圈
  • 1篇低碳世界
  • 1篇经济与社会发...

年份

  • 42篇2024
  • 69篇2023
  • 55篇2022
  • 87篇2021
  • 49篇2020
  • 39篇2019
  • 13篇2018
  • 8篇2017
  • 22篇2016
  • 16篇2015
共 405 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种光电耦合器封装结构
本实用新型提供一种光电耦合器封装结构，包括上载片、下载片、光耦芯片和塑封体，上载片的一端、下载片的一端和光耦芯片均嵌埋于塑封体内，并且光耦芯片分别与上载片、下载片固连，上载片的另一端、下载片的另一端延伸出塑封体以外，下载...
杨军方明洪姚良智代骞简青青陈嘉嘉吴双彪
双向导通EDS二极管芯片
本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背面还设有背金属...
袁强贺晓金陆超周嵘杜先兵姚秋原王博
文献传递
一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法
本发明提供了一种带螺栓外形半导体产品老化测试方法，包括如下步骤：①焊接：将导电引线分别焊接在相配合的半导体元器件螺母上；②配对：将相配合且焊接好导电引线的半导体元器件螺母和半导体元器件螺栓以螺纹配对上紧；③安装：将螺纹配...
袁锟王明康代骞杨辉
文献传递
一种晶体管阵列陶瓷封装结构
一种晶体管阵列陶瓷封装结构，属于半导体器件封装技术领域。包括陶瓷封装底座本体及多个引脚，在陶瓷封装底座本体的上端设有陶瓷封装框体，在陶瓷封装框体内设有多个芯片焊接区和多个引线键合区，芯片焊接区和引线键合区低于陶瓷封装框体...
蒋兴彪吴凯丽胡耀文马路遥陆浩宇邓丹李珏
一种高速场效应晶体管及其制备方法
本发明提供的一种高速场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层，本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaA...
孟繁新姚秋原袁强贺晓金陆超王博岳兰
一种晶体管清洗设备
本实用新型提供一种晶体管清洗设备，包括机架、多个清洗槽和多个U形限位架，所述清洗槽与所述机架固连，并且所述清洗槽的外表面上安装有超声振子，所述限位架上端的左右两侧分别与所述机架固连，并且所述限位架的下端伸入所述清洗槽内。...
罗健平皇甫晨帆肖燕陈大勇郑爱兵
一种高速场效应晶体管
本实用新型提供的一种高速场效应晶体管，包括衬底，所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层，本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaAs层,N...
孟繁新姚秋原袁强贺晓金陆超王博岳兰
一种光电耦合器内盖板的焊线夹具
本发明提供了一种光电耦合器内盖板的焊线夹具，包括定位盖板、焊盘、支撑垫块；所述定位盖板上设置有定位槽，所述支撑垫块一端面上设有挤压凸台,所述焊盘装配在定位槽底部，挤压凸台装配在定位槽上部将焊盘的焊接面压紧在定位槽底部，所...
贺波简青青陈嘉
一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法
本发明属于碳化硅功率半导体技术领域，具体涉及一种集成反并联JBS的SiC槽栅MOSFET的制造方法，本方法提供一种高击穿电压、高栅氧可靠性、低比导通电阻以及低反向导通压降的SiC槽栅MOSFET。成功将不兼容的SiC M...
易波石文坤向勇周嵘徐艺朱枝勇李歆伟
一种光电耦合器输出端恒功率老炼电路
一种光电耦合器输出端恒功率老炼电路，涉及元器件老炼技术领域。包括：电源V1、电源V2、输入端恒流模块、待老炼光耦、输出端限流稳压差模块、输出端恒流控制模块、输出电流采样模块；输入端恒流模块的一端接V1正极，另一端接待老炼...
代骞王智钱军军吕前进任真伟郭俊峰周卓方明洪简青青
文献传递
全选 清除 导出
共40页<12345678910>
聚类工具0