西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系
- 作品数：305 被引量：583H指数：10
- 相关作者：李国正李炳乾程彬杰孙立群朱秉升更多>>
- 相关机构：中国科学院西安光学精密机械研究所西安理工大学自动化与信息工程学院中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 用传输门VCO和动态PFD设计低功耗CMOS琐相环(英文)
- 2005年
- 锁相环(PLL)是VLSI系统的重要单元电路之一,为了实现高速低功耗的CMOS锁相环,用传输门VCO和动态反相器PFD电路设计CMOS锁相环。传输门结构VCO具有高速、低电压和低功耗的特性,而动态反相器PFD具有功耗低和面积小的特点。SPICE模拟表明,当电源电压为2.5V时,基于0.6μmCMOS工艺设计的CMOS锁相环电路,工作频率高达1000MHz,而功耗低于50mW。
- 袁寿财郑月明
- 关键词：传输门低功耗SPICE锁相环
- 用多光路在线监测烟气中烟尘排放量的研究被引量：4
- 2001年
- 提出一种基于Lambert-Beer定律,用激光作光源,经多光路在线监测烟气中烟尘(颗粒 物)浓度分布,统计浓度平均值求得烟尘排放量的方法.论证了该方法在理论上的正确性和在 实践上的可行性.可将该方法应用于一般情况下气固二相流有关参数的在线测量.
- 陈明朱长纯刘君华陈志平
- 关键词：排放量烟尘大气监测
- 一种简单的静电封接技术被引量：1
- 1989年
- 本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻璃组合体是一种刚性结构.封接时所选用的玻璃的热膨胀系数应与硅的热膨胀系数相接近(Si:2.5×10^(-6)/ k,~#7740 Pyrex glass:3.25×10^(-6)/k),例如:九五料玻璃,派雷克斯玻璃均能获得好的封接效果.静电封接技术的特点是:芯片反刻铝引线不会被氧化(封接时温度在400℃左右),封接牢固、迅速、气密性好,不产生蠕变,能耐高温,耐潮湿,稳定性好.
- 陈志刚林奇星汪立椿
- 关键词：压力传感器
- 全文增补中
- 量子阱红外探测器
- 1992年
- 评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势.
- 徐士杰江德生
- 关键词：红外探测器砷化镓
- 真空微电子磁敏传感器的研究被引量：1
- 1994年
- 本文介绍了真空微电子磁敏传感器的原理，并用计算机模拟了器件的内部电场分布，电子飞行轨迹等多数，证明了这是一种具有很高灵敏度的新型器件。
- 王海笑朱长纯
- 关键词：磁敏器件场致发射电场分布传感器
- 高能透射电子束照射聚合物薄膜的带电效应
- 2019年
- 高能透射电子束照射下聚合物薄膜的带电效应严重影响其电子显微学检测的可靠性.采用数值计算方法研究了聚合物薄膜的带电效应.基于Monte Carlo方法模拟了电子的散射过程,采用有限差分法处理电荷的输运、俘获和复合过程,获得了净电荷、内建电场、表面出射电流、透射电流等动态分布特性,分析了薄膜厚度、电子束能量对相关带电特性的影响.结果表明:由于近表面电子的出射,样品内部净电荷、空间电位沿入射方向均呈现先为正、后为负的分布特性,导致部分出射电子返回表面以及内部沉积电子向基底输运形成电子束感生电流;随着电子束照射,由于薄膜带电强度较弱,透射电流随时间保持不变,实际出射电流及样品电流分别下降和上升至一个稳定值.薄膜厚度的增加使带电过程的瞬态时间增加,引起表面电位下降以及实际出射电流、样品电流增大;电子束能量的升高使透射电流增大,样品电流减小,引起表面正电位下降及实际出射电流的减小.
- 霍志胜蒲红斌李维勤
- 关键词：数值模拟输运
- 梯形截面硅脊形波导的模式特性及其等离子体色散效应被引量：20
- 1991年
- 本文运用有效折射率法和WKB法对具有梯形状截面的硅脊形波导的模式特性作了分析,导出了TE模和TM模的模方程以及截止方程,并运用一阶微扰法对因波导顶部注入载流子而引起的模式调制的大小作了数值估计。其结果可为全硅光波导器件的研制提供指导。
- 刘育梁刘恩科
- 关键词：硅波导等离子体色散效应
- 硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究
- 1993年
- 半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实验研究。
- 关辉朱长纯
- 关键词：场致发射光电探测器
- PtSi／Si整流接触的研究被引量：1
- 1995年
- 本文对影响ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。
- 李国正
- 关键词：SBD硅化铂硅整流接触
- 纳米硅薄膜退火特性被引量：11
- 1995年
- 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g^(opt)值变化之间的关系。
- 余明斌何宇亮刘洪涛罗晋生
- 关键词：硅薄膜纳米
