华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与元器件研究所
- 作品数：124 被引量：523H指数：12
- 相关作者：王保争杨开霞牛晶华於黄中陈建龙更多>>
- 相关机构：南开大学物理学院云南民族大学化学与生物技术学院中国科学院广州地球化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- 电极对CuPc/C_(60)双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用传输矩阵法的光学模型以及MATLAB软件模拟了电极对CuPc/C60双层异质结有机太阳能电池光学性能的影响。模拟结果表明:当把微腔结构引入到双层异质结电池时,对于入射电极,发现活性层的吸光率主要受其反射相移的影响而非其透射率,并且通过变化入射电极相移调节层到合适厚度可以使活性层吸光率相比于传统器件增加很多;而当把正负折射率交替的光子晶体引入到电池中作为背电极时,发现活性层的吸光率和背电极反射率、反射相移都有很大关系,在获得高反射率的同时可以通过调节背电极厚度从而使活性层在整个吸收光谱内的吸光率大于传统器件。
- 李祥文尚胜贺前华季飞姚日晖
- 关键词：传输矩阵法电极
- 一种红光螯合电磷光聚合物光电性能的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了螯合电磷光聚合物PFBtpIrm的光致发光、电化学和电致发光特性,并通过优化器件结构提高聚合物的电致发光性能.发现在聚合物中加入PBD使发光效率降低;而加入PVK空穴传输层后,由于能量有效地转移到电磷光聚合物中,器件性能提高.基于器件ITO/PEDOT/PVK/PFBtpIrm5/Ba/Al,在电流密度为10.0mA/cm2时,最大外量子效率为4.25%,饱和红光的色坐标为(0.69,0.29).
- 甄红宇罗潺朱德喜叶辉王军培
- 关键词：聚合物发光二极管电子传输材料空穴传输材料
- 聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性被引量：4
- 2010年
- 为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍.
- 刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅
- 关键词：薄膜晶体管稳定性钝化
- 聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性被引量：7
- 2009年
- 运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,发现退火温度对空穴迁移率有明显影响,未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级,迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化,退火后样品的空穴迁移率有明显提高,约为10-3cm2/Vs数量级,此时,空穴迁移率受电场影响相对较大.
- 尹丽琴彭俊彪
- 关键词：空穴迁移率
- Ta_2O_5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响被引量：4
- 2006年
- 以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.
- 彭俊彪兰林锋杨开霞牛巧丽曹镛
- 关键词：有机晶体管氧化钽
- 有机电致发光显示彩色化技术及其发展
- 介绍了几种有机电致发光显示屏彩色化技术,探讨了各种制备技术的优点与不足以及相应的改进方案.
- 刘南柳彭俊彪
- 关键词：有机电致发光二极管平板显示
- 文献传递
- 芴与噻吩发光共聚物的合成及其电致发光性能被引量：34
- 2003年
- 采用Suzuki偶合方法合成出了一系列新型的 9,9 二辛基芴 (DOF)和噻吩 (Th)的共聚物 .其中 ,DOF与Th的投料比 (摩尔比 )分别为 95∶5 (PTF5 )、90∶1 0 (PTF1 0 )、85∶1 5 (PTF1 5 )、70∶3 0 (PTF3 0 )、5 0∶5 0 (PTF5 0 ) .所有的聚合物均可溶于常用的有机溶剂 ,如THF,CHCl3等 ,其分子量在 60 0 0～ 5 3 0 0 0之间 .当在聚芴主链中引入噻吩后 ,其发光波长发生了红移 ,最大发光波长由PTF5时的 490nm红移到PTF5 0时的 5 41nm .随着聚芴主链中噻吩含量的增加 ,最大电致发光和光致发光效率都逐渐降低 由这些聚合物所制得的器件 ,最大电致发光效率为PTF5和PTF1 0的 0 45 %.由此表明 。
- 侯琼牛于华杨伟阳仁强袁敏曹镛
- 关键词：噻吩共聚物电致发光红移发光材料
- 提高聚合物白光二极管发光效率的界面研究(邀请报告)
- 利用聚合物的溶解特性,用旋涂方法制备了双层高分子白光二极管(WPLED),实现了结构为ITO/PEDOT(50nm)/PVK:PFO-BT:PFO-DBT(40nm)/PFO(40nm)/Ba(4nm)/Al(120am...
- 邹建华吴宏滨彭俊彪
- 关键词：聚合物发光二极管白光二极管发光效率
- 文献传递
- 具有新型双空穴注入层的有机发光二极管被引量：4
- 2013年
- 采用新型双空穴注入层N,N,N′,N′-tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine/Copper phthalocyanine(MeO-TPD/CuPc)及器件结构:ITO/MeO-TPD(15nm)/CuPc(15nm)/N,N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)benzidine(NPB,15nm)/8-hydroxyquinoline(Alq3,50nm)/LiF(1nm)/Al(120nm),研制出高效有机发光二极管(器件D),与其他器件(器件A,没有空穴注入层的器件;器件B,MeO-TPD单空穴注入层;器件C,CuPc单空穴注入层)相比,其性能得到明显改善.器件D的起亮电压降至3.2V,比器件A,B,C的起亮电压分别降低了2,0.3,0.1V.器件D在10V时,其最大亮度为23893cd/m2,最大功率效率为1.91lm/W,与器件A,B,C的最大功率效率相比,分别提高了43%(1.34lm/W),22%(1.57lm/W),7%(1.79lm/W).性能改善的主要原因是由于空穴注入和传输性能得到了改善,通过单空穴型器件的J-V曲线对这一现象进行了分析.
- 刘佰全兰林锋邹建华彭俊彪
- 关键词：有机发光二极管空穴注入层功率效率势垒
- 提拉法制备图案化有机纳米线场效应晶体管
- <正>本文采用简单低成本的提拉技术,原位生长制备图案化有机纳米线场效应晶体管阵列。通过外力作用控制衬底的运动,如衬底被提升的速度与距离,衬底停留的时间等,能有效调控纳米线阵列生长位置及其长度。对衬底提拉上升的距离进行调控...
- 刘南柳周焱彭俊彪裴坚王坚
