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绍兴文理学院数理信息学院材料物理与设备研究所

作品数：5 被引量：2H指数：1
相关机构：西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇TIO2薄膜
  • 2篇TIO2
  • 1篇形貌
  • 1篇设备资源
  • 1篇实验教学
  • 1篇物理教学
  • 1篇理教
  • 1篇教学效果
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇教学
  • 1篇功能扩展
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇氧
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇MAGNET...

机构

  • 5篇绍兴文理学院
  • 4篇西华师范大学

作者

  • 5篇龚恒翔
  • 4篇李雪
  • 3篇王秩伟
  • 2篇谌家军
  • 1篇谭永胜

传媒

  • 2篇纳米科技
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇2007年全...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究
2008年
利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明，当氧浓度高或Toff小，样品为锐钛矿结构，晶粒大小20～30nm；而当氧浓度低或Toff大，样品为金红石结构，晶粒大小10～15nm。应变分析表明，锐钛矿结构只存在压应变，大小0．044～0．211；而金红石存在压应变（大小0．021-0．398）或张应变（大小0．182～0．438）。氧浓度低（或Toff大）样品具有更平整的表面和更均一的晶粒大小。
王秩伟龚恒翔李雪谭永胜
关键词：TIO2反应磁控溅射形貌
氧脉冲磁控溅射法制备多晶TiO2薄膜
2008年
利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样，所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒，样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了沉积时间、氧分压以及氧气开关时间对沉积速率、晶体结构和表面形貌的影响。研究结果显示，在氧分压为30％，断氧时间Toff=30s和20s下制备的样品具有最好的金红石相或锐钛矿相单一晶体结构，并且在Toff=30s时，具有最佳的表面形貌。此外，在较高沉积速率和较低氧分压下，样品更趋向于生成金红石相。利用范德堡法研究了样品的电阻率，在氧分压为30％，Toff=30s和50％，Toff=40s下制备的样品的电阻率为10·cm左右。该样品适合进一步研究透明导电TiO2薄膜。
王秩伟龚恒翔李雪谌家军
关键词：TIO2薄膜反应溅射沉积速率
Polycrystalline TiO2 Thin Films Deposited by a Modified Oxygen Pulse Magnetron Sputtering
In this paper, polycrystalline TiO2 thin films were deposited on slide glass by a modified sputtering, which c...
王秩伟龚恒翔李雪
溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征被引量：2
2007年
用氧脉冲直流反应磁控溅射法，在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间％的多晶TiO2纳米薄膜，并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现，脉冲式通氧能有效消除靶中毒，将薄膜沉积速率最大提高到3～5nm／min，并且当断氧时间大于30s时，沉积速率在2．5nm／min以上；薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化，在初始氧浓度为30％、断氧时间为30s时，金红石结构样品具有最佳结晶程度，并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀，而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30％或50％、断氧时间20s.
王秩伟龚恒翔李雪谌家军
关键词：TIO2晶体结构表面形貌
真空蒸发法金属铝薄膜制备实验的设备支持与功能扩展
本文通过对真空蒸发法铝薄膜制备仪器设备和教学效果的分析,列举了现有设备存在的不足,指出了能够达到良好实验教学效果的仪器设备必须具备的基本特征:(1)物理过程直观可见,激发学生兴趣;(2)操作简单,运行可靠,维护方便;(3...
龚恒翔夏明荣李雪
关键词：教学效果实验教学设备资源物理教学
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