复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室
- 作品数：481 被引量：928H指数：12
- 相关作者：蒋最敏盛篪张开明卢学坤董树忠更多>>
- 相关机构：中国科学院高能物理研究所北京大学物理学院长沙电力学院物理与信息工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 利用多孔硅方法制备有机光微腔
- 邓振波詹意强龚大卫樊永良
- 关键词：多孔硅
- 文献传递
- Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
- 2001年
- 用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．
- 郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏
- 关键词：锗半导体材料表面偏析分子束外延
- 孔雀羽毛颜色的来源
- 自然界产生颜色通过两种途径:色素和光学效应。光学效应有:干涉,如光学多层膜,选择性反射某种范围频率的光;衍射,如光栅,选择性反射某种频率的光;散射,如无序小颗粒中的瑞利散射。最近发现另一种光学效应,既光子晶体的光子带隙效...
- 资剑李乙洲胡新华刘晓晗王兴军
- 文献传递
- 基于Se缺陷的FeSe薄膜磁性研究
- 利用极低温环境(4.2 K)和矢量磁场的自旋极化扫描隧道显微镜(SP-STM)，原位探测研究了生长在钛酸锶(001)上的非超导多层FeSe薄膜上Se空位附近的磁性.实验中，我们利用反铁磁的Cr针尖，发现Se空位附近的电子...
- 陈维炯田子俊罗卫东高春雷
- 关键词：超导反铁磁
- 表面微构造的硅材料——一种新型的光电功能材料被引量：12
- 2003年
- 在SF6气体氛围内用飞秒激光照射硅表面 ,可在硅表面产生准规则排列的微米量级尖峰结构 ,形成“黑硅”新材料 .初步研究表明 ,这种“黑硅”新材料对波长为 2 5 0— 2 5 0 0nm的光波有大于 90 %的吸收 ,同时它还具有相当好的场致发射特性 .由于具有这些奇特的光电性质 ,这种表面微构造的硅材料在光电探测器、太阳能电池、平板显示器等器件制造领域有着重要的潜在应用价值 .
- 赵明苏卫锋赵利
- 关键词：硅材料光电功能材料飞秒激光光电性质
- (Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光被引量：1
- 2002年
- 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54
- 肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚
- 关键词：氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光
- Si_（1－x）Ge_x／Si脊形波导X型分支器的研制被引量：3
- 1995年
- 采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导，在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能．设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交叉波导传输特性分析的结果．Ｘ型光分支器的实现为进一步研制Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验．
- 高勇刘恩科李国正李国正
- 关键词：异质结脊形波导波导分支器锗
- NPB/Alq_3界面激子拆分研究
- 2010年
- 采用瞬态光电压技术研究了NPB和Alq3界面激子拆分过程和拆分机理.对NPB和Alq3组成双层结构的样品,在脉冲355nm激光照射下,测量样品的瞬态光电压信号,通过对不同结构的和有界面激子阻挡层的样品的瞬态光电压分析,并排除了ITO/有机外界面对激子拆分的影响,得出了NPB/Alq3界面激子拆分机理是向Alq3注入电子,向NPB注入空穴.
- 王爱芬孙晓宇李文彬郑晓燕游胤涛
- 铁磁/反铁磁多层膜中纵向和垂直交换偏置被引量：2
- 2004年
- 对于坡莫合金/CoO和坡莫合金/FeMn多层膜,无论是纵向交换偏置还是垂直交换偏置,其交换偏置场和矫顽力均随温度的升高而减小.研究表明:垂直交换偏置的建立可以产生垂直各向异性,其独特的温度特性使其在光磁混合记录技术方面有潜在的应用价值.
- 刘秋朝袁淑娟王磊单荣周仕明
- 关键词：铁磁反铁磁多层膜交换偏置
- Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
- 2012年
- 利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
- 汪建军方泽波冀婷朱燕艳任维义张志娇
- 关键词：X射线光电子能谱
