西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室
- 作品数：352 被引量：507H指数：10
- 相关作者：唐天同陈仙林舒杨文晋王炎武更多>>
- 相关机构：兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室中国科学院西安光学精密机械研究所空军工程大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- A6阶梯腔体同轴辐射相对论磁控管的粒子模拟
- 2016年
- 以粒子模拟方法研究了A6阶梯腔体相对论磁控管的工作特性。研究表明,当外加电压为405kV时,透明阴极驱动A6阶梯腔体磁控管的最大输出功率可达1.58GW,最大功率转换效率可达72%。数值模拟发现,当二次电子发射产生时,A6阶梯腔体相对论磁控管中工作模式的平均输出功率和阳极电流降低不超过5%,小于传统光滑渐变腔体结构或者径向输出结构的15%。另外,还得到了阶梯腔体结构能够扩大功率容量,降低二次电子发射对输出功率和阳极电流的影响,并有效减少模式竞争,提高工作模式的稳定性的结论。
- 刘美琴黄志娟刘纯亮
- 关键词：物理电子学相对论磁控管输出功率
- 真空沟道MOS二极管电子发射性能的数值模拟研究
- 真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点。本文提出一种圆形真空沟道MOS二极管结构,并对其电子发射性能开展基于有限...
- 沈志华王晓吴胜利田进寿
- 关键词：数值模拟
- 文献传递
- 多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究被引量：3
- 2012年
- 采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜(n--PS)中的孔较深且孔径较大,而重掺杂n型Si基底上的PS膜(n+-PS)中的孔分布较为密集,而且呈多分枝结构;腐蚀电流密度相同时,PS的膜厚和腐蚀时间成正比,而在较高的腐蚀电流密度下制备得到的PS膜在结构上更为疏松。制作了基于n+型硅基底的PS阴极,此阴极的阈值电压约为14 V,高于该电压后发射电流随着二极管电压提高而呈指数性增加趋势,而且发射电流对环境气压不敏感,即使在0.1 Pa的低真空中也没有明显的衰减。
- 罗文胡文波郑宇宋忠孝吴汇炎
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀冷阴极电子发射
- 多层ZnO-HfO_x薄膜结构的发光特性研究
- 在p型硅衬底上制备的基于HfO_x薄膜的MOS结构器件,加电后会在介质层形成导电通路,可热致激发出连续光谱的可见光。为研究ZnO-HfO_x层对器件发光特性的影响,在p型硅衬底上制备了1层、2层,及3层结构的ZnO-Hf...
- 刘凌光余泊江林媛媛张小宁
- 关键词：发光器件ZNO
- 文献传递
- 一种二次电子发射的复合唯象模型被引量：7
- 2013年
- 二次电子发射模型的精度对二次电子倍增击穿阈值的模拟计算影响很大,针对现有两种经典二次电子发射唯象模型的不足,以修正Vaughan模型作为Furman模型中的真二次电子发射系数计算模型,建立起一种二次电子发射的复合唯象模型.该模型不仅适用于倍增击穿过程的数值模拟,还很大程度上提高了与实验数据拟合的准确性.通过对银和铝合金两种材料二次电子发射系数实验结果和模型拟合结果的对比发现,在不同入射角情况下。
- 李永东杨文晋张娜崔万照刘纯亮
- 关键词：二次电子发射击穿阈值
- CT图像重建预处理滤波器设计被引量：2
- 2008年
- 本文分析并设计了用于CT图像重建的几种预处理滤波器。通过分析不同滤波函数对断层图像重建质量的影响,从几种经典的滤波函数出发,进行改进并与窗函数结合得到了可用于CT图像重建的几种滤波器。有关投影数据的图像重建结果表明,所设计的几种滤波器较好地满足了实际图像重建的要求。
- 文斌吴胜利潘瑞谊
- 关键词：图像重建窗函数
- 真空场发射三极管电学特性研究及大气工作性能探究
- 真空场发射三极管(Vacuum Field Emission Triode, VFET)是一种在真空沟道中弹性传输电子的真空微电子器件,融合了真空电子器件和固态电子器件的优点。本文基于表面传导电子发射源制备技术和微加工工...
- 龙铭刚刘逸为张劲涛吴胜利
- 关键词：电学性能
- 文献传递
- Sc_2O_3掺杂及其工艺参数对MgO介质保护膜性能的影响被引量：1
- 2007年
- MgO介质保护膜掺杂可以改变其性能,基于这一现象,本文利用电子束加热蒸镀法,在多种掺杂比和多种工艺条件下制备了MgO介质保护膜和宏单元气体放电屏。利用扫描电子显微镜(SEM)对制备的复合介质保护膜样品的进行了微观表征,并且,利用宏单元气体放电实验屏研究了介质保护膜的气体放电特性。结果表明:与纯MgO介质保护膜相比,掺杂Sc2O3的介质保护膜具有较好的性能。
- 范玉锋夏星刘纯亮张劲涛
- 关键词：等离子体显示器保护膜着火电压
- 选择调整的亮度增强算法被引量：4
- 2008年
- 提出一种应用于平板显示的选择调整的亮度增强算法,可以在基本保留原图像暗部细节的同时,按照灰度级的原始值进行增强,从而在视频图像处理中达到较好的效果。在灰度模式下,该算法可以避免传统处理带来的对比度减小,从而保留更多的暗部细节。在RGB彩色模式下,该算法还可以避免传统亮度调整算法带来的灰度级不连续分布,使得调整后的RGB三个分量的直方图中灰度级连续分布,图像的色彩范围和色彩饱和度可以达到比以前更好的效果。
- 董菁吴胜利王丰刘纯亮孟令国
- 关键词：直方图对比度
- 离子束轰击改性对基底表面织构形成规律的影响研究被引量：2
- 2015年
- 利用氩离子束对硅基底表面进行轰击,形成了不同规则的纳米织构,对不同织构的变化规律进行系统的研究,采用原子力显微镜分析表面形貌。结果表明,随着氩离子垂直轰击基底表面的时间从0增加到15 min,表面粗糙度由0.205增大到0.490 nm,且当垂直轰击基底15 min时,表面呈现出纳米点阵织构;当氩离子与基底呈一定夹角轰击时,基底表面呈现波纹纳米织构,且随着轰击角度的增加,表面逐渐变得粗糙。当离子束轰击时间继续增加时,基底表面织构基本维持不变。研究结果为进一步探索离子束表面改性技术对不同基底表面形貌产生的影响、提高沉积薄膜附着力、以及离子束刻蚀等工作提供了理论参考。
- 安书董王晓燕陈仙王炎武赵玉清
- 关键词：表面形貌表面粗糙度
