重庆大学数理学院应用物理系
- 作品数：69 被引量：210H指数：9
- 相关作者：付光宗赵兴强汪立文李廷先金雷更多>>
- 相关机构：中国科学院物理研究所重庆师范学院物理学与信息技术系成都理工大学信息科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- CVD金刚石膜的压阻及其温度特性
- 2003年
- 在Fuchs Sondheimer(F S)薄膜理论的基础上,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,求出了P 型金刚石膜的电导率。在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式,计算了微应力作用下金刚石膜的压阻,压阻和应力的变化(Δε)有比较好的线性关系,张应力情况下压阻大于零,压应力情况下压阻小于零。从理论上给出了压阻和温度的关系,计算了压阻随温度的变化,压阻随着温度的上升而单调减小。
- 孔春阳王万录廖克俊马勇方亮
- 关键词：金刚石薄膜压阻CVD温度特性半导体材料
- 测试环境对碳纳米管场发射性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构对其场发射性能进行测试,测试结果表明:(1)碳管表面态对其场发射稳定性影响明显,运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)对碳管表面吸附水分子前后电子能带结构和态密度作比较,发现吸附水分子后碳管功函数降低,费米能级处电子态密度增大,有利于增大碳管场发射电流;(2)高真空是获得碳管场发射稳定性一个必要条件;(3)荧光粉对碳管场发射电流也有一定贡献,但大的场发射电流情形下可忽略其影响。
- 陈伟中王蜀霞贺叶露陈西浩杜声玖
- 关键词：碳纳米管场发射密度泛函理论
- 有机高分子聚合物LPPP异质结构微腔调谐器可靠性的研究
- 2000年
- 研究表明有机半导体微腔效应可通过简单地调节有机发光层的厚度来实现。实验结果还指出，由空穴传输型的LPPP和电子转移型掺杂的Alq构成的异质结构的微腔器能极大地改进其可靠性。同时用金刚石电极代替金属电极也能提高有机发光器件的稳定性。
- 廖克俊王万录王蜀霞孔春阳
- 关键词：微腔调谐器
- 对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究被引量：28
- 2002年
- 研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对碳纳米管的场发射性能的影响 ,从理论上深入探索碳纳米管阵列的电场增强因子并提出改善其场发射电子性能的有效途径 .研究结果表明 ,碳纳米管阵列的电场增强因子的数量级一般为 10 2 — 10 3,并对任何长径比的碳纳米管阵列 ,都对应着一个最佳阵列密度 ,当碳纳米管阵列密度取此最佳密度值时 ,其电场增强因子明显提高 .
- 朱亚波王万录廖克俊
- 关键词：场发射碳纳米管阵列长径比
- 退火处理对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜性能的影响
- 采用溶胶-凝胶旋涂法在普通载玻片衬底上制备出 Al掺杂 Zno(AZO)薄膜。对所制备的薄膜在空气气氛中进行了不同温度(400～600℃)的退火处理,并在500℃下的不同气氛 (氢气和氩气)中进行退火处理。利用 XRD ...
- 杨小飞方亮殷波
- 文献传递
- P型多晶金刚石薄膜压阻效应的研究被引量：4
- 1999年
- 结合Mayadas Shatzkes多晶模型 ,对硼掺杂多晶金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论 .结果认为 ,价带分裂和晶界散射的联合作用是导致P型多晶金刚石薄膜具有显著压阻效应的主要原因 .推导出考虑晶界散射时压阻因子的近似计算公式 ,计算结果与实际情况相符 .
- 方亮王万录丁培道廖克俊王健
- 关键词：金刚石薄膜压阻效应半导体P型
- 碳纳米管光学各向异性的解释被引量：1
- 2007年
- 碳纳米管对光的吸收与光的偏振方向有关,光偏振方向与碳纳米管管轴方向平行时光吸收最强,光偏振方向与碳纳米管管轴方向垂直时光吸收最弱。采用半经典理论处理光和碳纳米管的相互作用,计算了碳纳米管的光吸收与光偏振方向的关系,计算结果表明碳纳米管光吸收速率与cos^2θ成正比,其中θ是光偏振方向和碳纳米管轴向夹角。
- 胡慧君王蜀霞杨云青牛君杰饶早英
- 关键词：碳纳米管光学各向异性光偏振光吸收
- 硫化镉薄膜的XPS研究被引量：14
- 2002年
- 用XPS分析了CdS薄膜的结构。硫化镉薄膜是用化学沉积法制备的胶体颗粒,然后再通过真空蒸发法在平面玻璃上形成的多晶薄膜。XPS分析表明CdS薄膜中的Cd3d和S2P峰值均比块状CdS向高能方向偏移了10eV。这主要是由于表面效应所致。
- 冯庆刘亚静郭江刘高斌王万录廖克俊
- 关键词：XPS
- 用碳纳米管膜测量转动速度
- 2003年
- 对多壁碳纳米管(MWCNTs)膜在高速转动下的压阻效应进行了研究,并讨论了利用这种效应来测量转动速度和制造这类传感器的可能性。实验所用的多壁碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成。研究发现:在室温下,多壁碳纳米管膜的电阻随转子转速的增加而增加,在转子转速从1000r/min～3000r/min的变化过程中,多壁碳纳米管膜的电阻近似呈线性变化。并且碳纳米管膜在拉伸和压缩两种情况下电阻变化与转速之间的关系曲线近似对称。
- 张毅王万录廖克俊王永田吴子华
- 关键词：碳纳米管压阻效应传感器电阻
- Ni_(50.5)Mn_(24.5)Ga_(25)单晶的预马氏体相变特性被引量：6
- 2005年
- 通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量 ,系统研究了近正配分比Ni50 5Mn2 4 5Ga2 5单晶的预马氏体相变特性 .在自由样品中观察到预马氏体相变应变 .在预相变点 ,沿 [0 10 ]方向施加大小约为 80kA m的磁场 ,在晶体母相的 [0 0 1]方向上获得了高达 5 0 5ppm的磁致伸缩 ,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的 5倍多 .同时 ,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果 .利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点 ,分析了预相变应变产生的机理 .而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争 .利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中 [0 0 1]和 [0 10 ]轴方向间进一步增大的各向异性 .进而对磁场沿 [0 0 1]和 [0 10 ]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别 ,包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等 。
- 崔玉亭陈京兰刘国栋吴光恒廖克俊王万录
- 关键词：马氏体相变软模相变点单晶磁性测量磁化强度
