浙江大学物理系硅材料国家重点实验室
- 作品数：13 被引量：9H指数：2
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- CdSe量子点的子带跃迁以及在红外探测中的潜在应用
- 孔伟光叶振宇黎瑞峰吴惠桢
- 关键词：CDSE量子点光电探测
- Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究
- 1997年
- 利用同步辐射光源测量Ｎａ２ｓ二次电子部分产额谱得到Ｎａ诱导Ｓｉ（１１１）３×１结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Ｎａ／Ｓｉ（１１１）３×１吸附结构与Ｍｎｃｈ模型相一致．Ｎａ原子吸附在Ｓｉ的顶位，Ｎａ—Ｓｉ键长为０３ｎｍ．
- 范朝阳张训生唐景昌隋华徐亚伯徐世红潘海斌徐彭寿
- 关键词：半导体结构NEXAFS
- Ag/ZnO低维结构中激子-等离子体共振耦合效应
- 徐天宁贾文旺李翔隋成华吴惠桢
- 多重散射团簇理论对CO/NiO(100),NO/NiO(100)吸附系统的分析与比较被引量：1
- 2000年
- 用多重散射团簇(MSC)理论对CO/NiO(100)和NO/NiO(100)吸附系统的C1s近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)和N1sNEXAFS谱进行了详细的计算和分析.理论计算表明CO/NiO(100)是弱物理吸附,CO分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖C—O键长的变化,MSC方法分析表明,CO是以C原子朝下,吸附在衬底的Ni—O键桥上,可靠性因子计算显示C原子的吸附位置距Ni原子009nm,CO分子中C原子距衬底的吸附高度为031±001nm,CO分子倾斜角不大于25°.理论计算证实NO/NiO(100)是弱化学吸附,σ共振明显地依赖N—O键长而变化,NO分子倾斜角的范围为35°—55°,NO键长为0118nm,NO分子的吸附高度为020nm.分析了CO/NiO(100)C1sNEXAFS谱中共振峰的物理起因,讨论了物理吸附与化学吸附物理机制的差别.
- 庄飞唐景昌何江平汪雷
- 氧化铟薄膜制备及其特性研究被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
- 原子健朱夏明王雄张莹莹万正芬邱东江吴惠桢杜滨阳
- 关键词：氧化铟射频磁控溅射表面形貌X射线衍射电学特性
- Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应被引量：1
- 2013年
- 利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品,研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明,在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5 nm的Ta2O5绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强,并随着Ta2O5绝缘层厚度的增大而减弱。通过对Al/ZnO∶Al样品进行退火处理可以使带边荧光和蓝光峰分别增强9倍和83倍。基于局域表面等离子体共振理论,计算了Al/ZnO∶Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲线。实验结果与理论计算相一致。
- 徐天宁卢忠隋成华吴惠桢
- 关键词：ZNO荧光增强
- Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究
- 1996年
- 分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。
- 张训生范朝阳隋华鲍世宁徐亚伯徐世红潘海斌徐彭寿
- 关键词：硅表面钠半导体光电子能谱
- 用溶胶—凝胶方法制备磁光记录用的铋代钇铁石榴石薄膜(英文)
- 1999年
- 研究了在ＧＧＧ基底上用溶胶—凝胶方法制备的铋代钇铁石榴石单晶薄膜的磁光法拉弟效应与铋的替代量之间的关系。该膜层是以低于液相外延３００℃左右的６６０℃在大气中退火４ 小时制得的。最大的铋的置换量为ｘ＝ ２．７，实验发现石榴石相的晶化温度随ｘ 的增大而降低。且薄膜有很强的法拉弟效应，在λ＝ ０．６３３μｍ 的波长，可达－ ８．１×１０４ｄｅｇ／ｃｍ 。
- 黄敏
- 关键词：磁光记录溶胶-凝胶
- PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理被引量：2
- 2007年
- 采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
- 斯剑霄吴惠桢徐天宁曹春芳
- 关键词：迁移率
- 半导体纳米结构表面等离子与中红外光子相互作用研究
- 近年来，金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道，并在光电子器件中得到了重要应用。但是，在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少，原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米...
- 蔡春锋金树强张兵坡吴惠桢
- 关键词：半导体材料金属纳米结构
- 文献传递
