武汉工程大学材料科学与工程学院等离子体化学与新材料湖北省重点实验室
- 作品数：253 被引量：570H指数：10
- 相关作者：王传新万军许涛吴振辉曹为更多>>
- 相关机构：江汉大学化学与环境工程学院武汉理工大学材料科学与工程学院中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 气体流动方式对MPCVD金刚石薄膜均匀性的影响被引量：3
- 2020年
- 在实验室自主研制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置上,通过改变气体的进出方式,探讨了气体流动方式对金刚石膜均匀性和质量的影响。结果表明:随着Si基片表面气体分子数增多,等离子体中的H原子和CH活性基团强度增强,扩散到基片表面中心的原子H和含碳活性基团增多,基片中心区域的金刚石膜生长速率略微有所提升,由原来的2.5μm/h提高到2.8μm/h,沉积得到的金刚石膜质量和均匀性均得到改善。
- 王斌汪建华翁俊刘繁王振湉王蒙
- 关键词：微波等离子体等离子体发射光谱金刚石薄膜
- 非对称磁镜场ECR氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜
- <正>超光滑表面CVD金刚石膜器件的应用在现代社会中日益广泛,而生产出的CVD金刚石膜表面往往是粗糙不平的,需进行刻蚀、抛光等后序加工后,才能达到应用要求。本文提出一种新的CVD金刚石膜刻蚀方法——非对称磁镜场ECR氧等...
- 谭必松马志斌吴振辉
- 文献传递
- PCB钻头上金刚石涂层的制备被引量：7
- 2009年
- 本文在直径为0.8mm硬质合金钻头上进行沉积金刚石涂层的研究。在沉积之前,先用硝酸和铁氰化钾进行腐蚀处理,以去除表面的Co。用微波等离子体CVD设备进行金刚石的沉积。在金刚石涂层沉积过程中,钻头尖端在微波电磁场中产生辉光放电现象,导致钻头尖端刃部很难获得金刚石涂层。通过使用金属丝屏蔽的方法改变钻头周围的微波电磁场分布,成功的采用微波等离子体CVD法在钻头上沉积出了金刚石涂层。用扫描电子显微镜(SEM),能量色散谱仪(EDS)和激光拉曼光谱(Raman)对钻头的表面形貌和金刚石薄膜的质量进行了表征,同时在铝基复合材料上进行了钻孔测试。结果表明金刚石薄膜表面比较光滑,晶粒尺寸较小,涂层质量良好,薄膜的附着力也较高。
- 谢鹏汪建华满卫东王传新王升高李远
- 关键词：金刚石涂层微波等离子体化学气相沉积硬质合金
- 基于MATLAB的单相全控整流电路功率因数测定被引量：10
- 2010年
- 介绍了单相全控整流电路移相控制方法的实现,并详细地讲解了功率因数的测量原理,同时给出了利用MATLAB的Simulink工具实现单相全控整流电路的功率因数测定的具体方法和仿真模型,最后给出了在不同移相控制角下所得到的功率因数测量结果.
- 崔士杰汪建华
- 关键词：功率因数MATLAB测量方法
- MPCVD快速制备(100)面金刚石薄膜被引量：13
- 2013年
- 利用实验室自主研发的10 kW微波等离子体装置,在直径为75 mm的(100)硅片上快速沉积高质量(100)面金刚石薄膜。实验中,甲烷浓度由1%提高至5%,金刚石薄膜的沉积速率由1μm/h增至8.2μm/h。随着金刚石薄膜生长速率的增加,薄膜质量下降,晶型杂乱,非金刚石相含量增加。在气源中加入氧气以提高高速生长下金刚石薄膜的质量。不同氧气浓度对金刚石薄膜的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)有较大影响:氧气浓度为0.1%～0.5%时,金刚石薄膜的FWHM随着氧气浓度的增加而减小;0.6%～1.2%时,薄膜FWHM值随着氧气浓度的增加而增大;浓度大于1.2%时,FWHM值保持不变。在H2流量为300 cm3/min,CH4浓度为5%,O2浓度为0.5%的条件下,制备出了(100)面完整,晶型完整,有台阶生长状的金刚石薄膜。
- 孙祁汪建华翁俊罗曼
- 关键词：微波等离子体金刚石薄膜甲烷氧气
- 氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理被引量：3
- 2014年
- 采用电子回旋共振(ECR)等离子体在不同的磁场位形和工作气压下刻蚀化学气相沉积(CVD)金刚石膜,运用双探针和离子灵敏探针法对等离子体进行了诊断,研究了等离子体参数对刻蚀效果的影响。结果表明:磁场由发散场向收敛场转变时,离子温度、电子温度和等离子体密度都随之增大,刻蚀效果逐渐增强;当工作气压由低气压向高气压变化时,等离子体参数先增大后减小,CVD金刚石膜表面粗糙度降低程度也出现了相同的趋势。
- 潘鑫马志斌李国伟曹为王传新付秋明
- 关键词：刻蚀CVD金刚石等离子体参数ECR等离子体
- Ni/AAO纳米复合薄膜的制备及其光学性能被引量：1
- 2009年
- 采用交流电化学沉积方法,以经过阶梯降压处理的多孔氧化铝(AAO)为模板,制备出Ni/AAO纳米复合薄膜。研究了薄膜的结构及光学性能。结果表明:Ni/AAO纳米复合薄膜中Ni呈线状均匀分布在AAO纳米孔隙中,直径与AAO孔径一致,约80nm,并沿[111]方向择优生长,具有面心立方结构。光谱分析表明,该复合薄膜的光学带隙为3.18eV,较AAO模板(3.38eV)自身红移;光致发光峰位于465nm,与AAO模板相同,发光强度较模板自身减弱。
- 李承勇王学华马连姣曹宏
- 关键词：多孔氧化铝模板光学带隙光致发光
- 新型MPCVD装置制备大面积CVD金刚石膜的研究
- <正>金刚石膜高的硬度、热导率、载流子迁移率、化学稳定性等优异的物理化学性能使其成为极具发展前景的新型材料。由于各领域特别是军事领域对金刚石膜的沉积面积和质量不断提高,使得对制备大面积高质量CVD金刚石膜的装置和工艺参数...
- 翁俊汪建华熊礼威满卫东
- 文献传递
- 化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展被引量：7
- 2006年
- 化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。
- 熊礼威汪建华满卫东曹菊琴
- 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积光学性能成核薄膜生长
- ECR-MPCVD单晶金刚石外延生长研究
- 2023年
- 借助高速光纤光谱仪对ECR微波等离子体进行实时诊断,研究了等离子体空间分布以及工作气压和甲烷浓度对等离子体发射光谱的影响,并在ECR-MPCVD设备上研究了单晶金刚石同质外延生长工艺。在CH4/H2体系下,ECR微波等离子体与运行于中高气压下等离子体中所含基团种类基本相同。且等离子体各基团谱峰相对强度沿磁场强度梯度下降的方向减弱,在磁场共振区(875 Gs)最强,将基片台置于磁场共振区,则基片台附近各基团谱峰相对强度随气压的升高先增强后减弱,I(H_(α))、I(H_(β))、I(H_(γ))峰值在气压0.6 Pa附近,I(CH)和I(C_(2))峰值在0.8 Pa附近。保持工作气压为0.8 Pa,甲烷浓度从0.5%增加到8%的过程中,I(H_(α))几乎不变,I(H_(β))和I(H_(γ))先降低后趋于饱和,I(CH)和I(C_(2))先增强后趋于饱和;I(H_(α))/I(C_(2))先急剧下降后缓慢减小再趋于饱和,I(H_(α))/I(CH)缓慢减小并趋于饱和,I(CH)/I(C_(2))和I(H_(γ))/I(H_(β))基本不变。以微波功率1200 W,氢气流量50 mL/min,甲烷浓度3%,工作气压0.8 Pa,金刚石种晶温度800℃的条件下生长10 h,在抛光的单晶金刚石表面得到了呈台阶状生长的外延层,生长速率为200 nm/h。
- 张通王御睿张昊张宇付秋明赵洪阳马志斌
- 关键词：等离子体发射光谱
