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中国科学院长春物理研究所

作品数:162 被引量:357H指数:8
相关作者:靳春明刘学彦张晓马文生王敬伯更多>>
相关机构:吉林大学中国科学院天津理工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 103篇期刊文章
  • 42篇会议论文
  • 17篇科技成果

领域

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  • 1篇动力工程及工...
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主题

  • 53篇发光
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  • 15篇电致发光
  • 14篇半导体
  • 13篇液晶
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  • 12篇光学
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  • 11篇光材料
  • 10篇光致
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  • 9篇发光材料
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机构

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作者

  • 19篇虞家琪
  • 17篇黄世华
  • 15篇范希武
  • 12篇刘行仁
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  • 5篇李文连
  • 5篇邵喜斌
  • 5篇张晓
  • 4篇孙睿鹏

传媒

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  • 3篇光电子.激光
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  • 3篇中国稀土学报
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  • 2篇中国激光
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  • 2篇功能材料
  • 2篇第三届中国功...
  • 1篇中国激光医学...

年份

  • 1篇2001
  • 6篇2000
  • 20篇1999
  • 25篇1998
  • 2篇1997
  • 28篇1996
  • 23篇1995
  • 15篇1994
  • 5篇1993
  • 8篇1992
  • 6篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 4篇1986
  • 1篇1979
162 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Dy^(3+)和Tb^(3+)离子掺杂的稀土硼酸盐玻璃的光谱性质被引量:5
1999年
合成 Dy3+ , Tb3+ 掺杂的稀土硼酸盐玻璃. 测试基质玻璃的透过率光谱及 Dy3+ , Tb3+单掺和双掺玻璃的激发和发射光谱. 观察并分析该体系中 Dy3+ 敏化 Tb3+
王晓君林海黄立辉刘行仁
关键词:镝离子铽离子光谱性质
InP中和C带有关深能级的近红外光致发光被引量:1
1990年
本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。
高瑛刘学彦刘益春阎大卫
关键词:INPC带能级光致红外
阴极射线激发下荧光粉衰减效应的分析
2000年
大屏幕投影电视的激发密度远远大于普通电视,荧光粉的饱和特性和老化特性成了选择的重要标准。本工作研究了两种绿粉的衰退特性,找出引起变化的机制,并在此基础上改进制备方法,提高了荧光粉的衰退特性。
李炳生熊光楠李岚娄素云申德振
关键词:荧光粉
螺吡喃类化合物纳米有序组装体系的结构与光致变色研究被引量:2
1994年
利用LB技术制备纳米有序螺吡喃类化合物光信息储存超分子膜,着重研究了螺吡喃类化合物在不同亚相和pH值时的成膜条件和结构之间的关系,并对膜的稳定性,光致变色特性和抗疲劳能力做了较详细的研究。得到一种粒度均匀,分辨率在微米量级的超分子膜,并提出了作为三维贮储光记忆材料时一种写入和非破坏性读出的方法。
杜祖亮赵伟利马晓东朱自强明阳福樊美公吕安德
关键词:螺吡喃光致变色LB技术
ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱的MOCVD生长及其光学特性研究
范希武于广友张吉英
关键词:光学特性化合物半导体
文献传递网络资源链接
SrF_2晶体中Ho^(3+)-Ho^(3+)离子对的上转换发光研究被引量:11
1999年
究了在连续可调谐红色染料激光激发下,掺杂Ho3+离子的SrF2单晶中Ho3+Ho3+对的上转换发光特性。Ho3+Ho3+离子对的上转换发光主要分布于:强5F3→5I8跃迁480nm蓝色发射,较强5S2,5F4→5I8跃迁的540nm绿色发射。给出了SrF2晶体中Ho3+离子发射光谱中不同能级跃迁的谱峰及所对应的跃迁。通过对样品的激发,发射光谱和发光的上升、衰减等过程的分析,研究了发光中心的结构,分析了Ho3+上转换发光的机制。
张晓刘行仁黄世华许武
关键词:上转换发光激光材料
Er[*+*]离子注入ZnSe MIS二极管的电致发光
研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光,首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可...
田华范希武许少鸿
关键词:电致发光硒化物发光中心离子注入镉化合物
金属有机物化学气相沉积GaAs/Si外延层中1.13eV发光带特性研究
1995年
用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长的GaAs外延层中的1.13eV发光带的发光特性,表明此发光带为施主-受主对复合发光.根据1.13eV发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系,确定施主和受主的束缚能分别为5和295meV,并证实GaAs/Si外延层中的1.13eV发光为硅施主-镓空位受主对的复合发光.
赵家龙高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷
关键词:光致发光深能级外延层砷化镓
双基色LED图文显示屏的可靠性预计
1998年
用元器件计数法对LED显示屏的可靠性进行预计,并针对该实例分析影响系统可靠性的因素,提出提高系统可靠性的途径。
郑齐健王遵立丁铁夫刘键
关键词:可靠性失效率LED图文显示屏
具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶(PDLC)膜被引量:1
1995年
通过对制膜材料的选择和制膜条件(如光强、温度等)的精确控制,制备了具有高对比度的快速响应聚合物分散液晶膜。本文给出了实验结果并进行了简单的讨论。
任洪文凌志华邵喜斌黄锡珉马仁祥
关键词:聚合物分散液晶
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